3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標準規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關鍵字： 三星 NAND
爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業(yè)者進一步合作。 據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。 官員透露，爾必達來臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
- 關鍵字： TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導體市場強力支撐
- 全球半導體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關注。 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字： DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業(yè)有點紅火。 按市場調(diào)研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業(yè)增長96%
- 關鍵字： 半導體設備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
- 近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統(tǒng)最純正技術，目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
- 關鍵字： TIMC NAND
NAND閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關系向關鍵
- 關鍵字： NAND 閃存芯片
因供不應求 NAND 閃存芯片價格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。 iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現(xiàn)下降的趨勢。但是，智能手機等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據(jù)合同義務和關系向關鍵的合作
- 關鍵字： NAND 閃存芯片
聯(lián)電、爾必達、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術
- 隨著半導體微縮制程演進，3D IC成為備受關注的新一波技術，在3D IC時代來臨下，半導體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會對外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達則仍專注于存儲器領域，而力成則提供上述2家公司所需的封測服務，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。 爾必達、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術合作協(xié)議簽訂記者會。據(jù)了解，3家公司的董事長、執(zhí)行長和技術長
- 關鍵字： Elpida 3D IC
消息稱臺灣平面顯示器展接單逾300億
- 據(jù)臺灣媒體報道，臺灣平面顯示器展及光電周昨11日落幕，參訪人數(shù)超過4萬人次，比去年成長近15%，創(chuàng)下歷史新高，來自日本、南韓、中國等買主逾千人來臺洽商，采購訂單合計超過300億元，集中在平面顯示器、LED及太陽能等產(chǎn)品項目。 主辦單位光電協(xié)進會表示，本次兩大展覽的涌進人數(shù)超過4萬人次，比去年的3.5萬人次多，其中在友達、華映、康寧等的展區(qū)，經(jīng)常是寸步難移。 光電協(xié)進會指出，主要買主來自日本、南韓、印度、加拿大等國，總數(shù)將逾千人來臺洽商，友達、華映、元太、臺達電、光寶科、億光、燦圓、晶電等面
- 關鍵字： 電子紙 3D 觸控面板
金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售
- 6月3日消息，據(jù)臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術門檻不低，再加上智能手機等新的應用產(chǎn)品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應該會好。 孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實際預期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認為，目前全球的
- 關鍵字： DRAM NAND 智能手機
3D、連接性及綠色是未來電視的三大趨勢
- 意法半導體于2010年臺北國際電腦展(COMPUTEX Taipei)3D技術論壇(CTO Forum)，針對數(shù)字電視和消費性電子產(chǎn)品未來的多媒體服務提出最新發(fā)展趨勢。意法半導體最新的芯片可用于設計更節(jié)能環(huán)保的消費性電子產(chǎn)品、支持全新線上服務以及實現(xiàn)更生動的豐富用戶體驗，包括3D高清電視(HDTV)。 隨著電影“阿凡達”的成功， 3D娛樂成功吸引全球市場的焦點。根據(jù)韓國市場調(diào)研機構(gòu)DisplayBank最新報告顯示1，2010年3D電視的銷售量將達620萬臺，預期2012
- 關鍵字： 顯示 3D
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