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三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長率達58%
- 2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺，整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。 2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應(yīng)用風光不再，取而代之的
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND
2011年NAND閃存銷售額將進一步增長
- 據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。 2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預(yù)計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預(yù)計2011年增長72%，達到193億GB。 盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應(yīng)可能超過需求。預(yù)計201
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會受影響。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
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