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	1β dram
      

      
	
      
    	
      
    	  	
      
              	
                                
      
                  

                                
      
                    
      存儲進入筑底階段？
      
                                                            
        
                    	
      • 伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
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      • 關鍵字：
                        存儲芯片  DRAM                          
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      三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產 
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術，三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5 
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung 
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業(yè)化的下一代
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      • 關鍵字：
                        三星電子  12納米  DDR5  DRAM                          
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      功耗降低 23%、量產率提高 20%，三星開始量產 12 納米 DDR5 DRAM
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數(shù)據(jù)中
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      • 關鍵字：
                        三星  DDR5  DRAM                          
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      三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM 
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB 
CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬?？蓴U展內存（Memory Expander）“作
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      • 關鍵字：
                        三星電子  CXL 2.0  CXL  DRAM                           
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      DRAM迎來3D時代？
      
                                                            
                                        
                    
      
                
      
                                
      
                    
      DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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      • 關鍵字：
                        DDR5  DRAM                          
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      先進封裝推動 NAND 和 DRAM 技術進步
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 先進封裝在內存業(yè)務中變得越來越重要。
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      • 關鍵字：
                        封裝  NAND  DRAM                           
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      SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術界限，全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產品?！?“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業(yè)的發(fā)展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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      • 關鍵字：
                        SK海力士  堆疊HBM3  DRAM                          
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      利基型DRAM市場Q2回穩(wěn)
      
                                                            
        
                    	
      • 據(jù)媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷售公司，其產品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產品價格上看，在NAND 
Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調查指出，即便原廠持續(xù)進行減產，然需求端如服
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      • 關鍵字：
                        利基型  DRAM                          
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      2023年內存芯片趨勢
      
                                                            
        
                    	
      • 2023 年，存儲芯片的跌勢仍在延續(xù)，何時止跌還是未知數(shù)。
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      • 關鍵字：
                        存儲芯片  DRAM  NAND                          
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      第二季DRAM均價跌幅收斂至10~15%，仍不見止跌訊號
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應商如美光（Micron）、SK海力士（SK 
hynix）已經啟動DRAM減產，相較第一季DRAM均價跌幅近20%，預估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產發(fā)生，后續(xù)合約價才有可能反轉。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC 
DRAM原廠已進行減產，TrendForce集
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      • 關鍵字：
                        DRAM  止跌  TrendForce                          
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      DRAM市況何時回溫？存儲廠商這樣說
      
                                                            
        
                    	
      • 當前，由于消費電子市場需求持續(xù)疲弱，當前存儲器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產品價格持續(xù)下探。為避免存儲器產品再出現(xiàn)大幅跌價，多家供應商已經開始積極減產，盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢仍預估當季DRAM價格跌幅將達13~18%，NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉南亞科總經理李培英認為，受高通貨膨脹與供應鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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      • 關鍵字：
                        DRAM  存儲                          
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      內存雙雄：市況否極泰來
      
                                                            
        
                    	
      • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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      • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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      存儲器廠商Q1虧損恐難逃
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
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      • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM  NAND Flash                          
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      平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？
      
                                                            
        
                    	
      • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產業(yè)帝國。DRA
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      • 關鍵字：
                        3D DRAM  存儲器                          
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