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日韓決裂，半導體誰最受傷？
- 6月末也是在大阪召開G20結(jié)束的時間，此次出口限制可謂是對韓國企業(yè)的一次“偷襲”！此次“偷襲”使人想起了第二次世界大戰(zhàn)時的“日本偷襲珍珠港”。
- 關鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 半導體 光刻 DRAM
美光推出面向移動應用、堪稱業(yè)內(nèi)容量最高的單片式內(nèi)存
- 新聞摘要：? 16Gb LPDDR4X改進了能耗、速度和業(yè)內(nèi)最高容量的單片式裸晶，它的推出進一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領域的領先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
- 關鍵字： LPDDR4X 批量生產(chǎn)進入1z 納米 DRAM 工藝節(jié)點
日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價格走勢，長期須關注原廠庫存水位
- Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報價狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價格已歷經(jīng)連續(xù)三個季度快速下滑，下游
- 關鍵字： 日韓貿(mào)易戰(zhàn) 東芝 DRAM/NAND
國際半導體遭遇寒冬 中國存儲方隊逆勢擴張
- 在中美貿(mào)易摩擦有所緩和之際，日前紫光集團宣布組建DRAM集團，讓市場注意力集中到國內(nèi)存儲器布局上。當前國際存儲寡頭壟斷的格局下，國內(nèi)存儲方隊既要面對技術、團隊等方面的疊代差距，又要面對當前國際半導體市場勢弱，存儲大幅降價的風險，迎難而上，逆勢擴張。 國際半導體產(chǎn)業(yè)降溫 6月30日晚間，紫光集團宣布了組建DRAM事業(yè)群的計劃，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集團“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈的建設。而如果放眼國際，此時紫光集團布局DRAM可謂迎難而上，逆勢擴張。 據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會官網(wǎng)最新統(tǒng)計，5月全球半
- 關鍵字： 半導體 存儲 DRAM
MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開。 其
- 關鍵字： MRAM DRAM
中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷
- 根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術精進下，加上美國對知識產(chǎn)權的嚴密保護，其目的將難以達成?！ 髮е赋?，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關鍵字： DRAM NANDFlash
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