閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

意法車用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

新技術(shù)給 M58BW32F帶來多項重要功能，包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一個新的專門為汽車市場開發(fā)的升級版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因為能夠在汽車的全程溫度范圍內(nèi)對存儲器進(jìn)行高速存取操作，所以特別適合汽車客戶對傳動系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求，同時還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù)，汲取了ST在獨立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
關(guān)鍵字： 32bit 32-bit LBGA80封裝 ST 單片機(jī) 高速存取汽車汽車電子嵌入式嵌入式系統(tǒng) 閃存意法半導(dǎo)體封裝汽車電子

三星8GB60納米閃存用于便攜式播放設(shè)備

三星在一個月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。三星宣布，公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級單元（MLC ）閃存是基于60納米的制造工藝，與70納米的產(chǎn)品相比，60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。有了這種最新的技術(shù)，三星能夠向消費者提供8GB 內(nèi)存的解決方案，它采用兩個4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。
關(guān)鍵字： 60納米便攜式播放三星閃存

閃存市場混沌現(xiàn)代與三星價格戰(zhàn)一觸即發(fā)

美國東部時間7月13日（北京時間7月14日）消息：據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱，市場上表現(xiàn)出來的NAND閃存價格即將上揚(yáng)的第一個信號還沒有維持多久，在高密iPod nano可能會延期發(fā)布的傳言中，7月份最新的主流芯片市場動態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價格可能會再下跌10％。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說，現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準(zhǔn)備展開一場價格戰(zhàn)。　　　　雖然Gartner Dataquest研究公司認(rèn)為計劃在今年四季度上市銷售的10-12GB
關(guān)鍵字：三星閃存現(xiàn)代

閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤使用

　　三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器。　　早在去年9月，三星與希捷在閃存是否會全面取代硬盤技術(shù)上展開爭論，三星高層預(yù)言，硬盤時代已步入黃昏，閃存時代即將來臨。希捷公司隨即反駁，認(rèn)為閃存完全替代硬盤還為時尚早。　　從目前筆記本發(fā)展的趨勢來看，移動性強(qiáng)，省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購買筆記本電腦時的重要考慮因素，未來筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長電池使用時間發(fā)展，閃存
關(guān)鍵字：閃存存儲器

英特爾稱不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

　　6月23日消息，據(jù)外電報道，針對當(dāng)前愈演愈烈的裁員傳聞，英特爾CEO歐德寧日前表示，最終的決定可能在下月財報分析師大會上宣布。　　據(jù)英國媒體報道，由于幾個季度的持續(xù)低迷，英特爾今年4月宣布，將對公司業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，其中包括裁員。此后，英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠，取消了一光存儲平臺部門，另外還將兩個閃存部門合二為一。　　最近幾周，又有消息稱，英特爾最多可能裁員1.6萬人。同時，還將對部分業(yè)務(wù)進(jìn)行重組，例如出售閃業(yè)務(wù)門等。對此，歐德寧
關(guān)鍵字：閃存英特爾

閃存VS硬盤：消費電子帶來“共榮”

有國外媒體日前對包括硬盤和閃存在內(nèi)的存儲行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為，硬盤和閃存之爭并不會帶來“你死我活”的局面，兩者通過相互競爭、技術(shù)進(jìn)步，加上消費電子市場對存儲的需求不斷擴(kuò)大，兩者的未來都很“光明”。　　日立全球存儲技術(shù)公司的高級副總裁比爾
關(guān)鍵字：便攜式閃存消費電子硬盤存儲器消費電子

三星與索尼就長期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

三星電子近日證實，正在就供應(yīng)NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示：“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判，但是目前還沒有確定任何細(xì)節(jié)。” 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存，預(yù)計訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議，在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
關(guān)鍵字： NAND 三星閃存索尼談判

常憶推出新型高速SPI閃存

　常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。　　新一代的PM25LV
關(guān)鍵字： SPI 常憶高速閃存

三星稱閃存市場06年再增30%

韓國三星電子在CES展會上表示，由于便攜式音樂播放器等的廣泛流行，預(yù)計2006年的NAND閃存市場將出現(xiàn)大幅增長。三星電子閃存營銷部門副主管Don Barnetson表示，去年全球NAND閃存總銷售額達(dá)100億美元，2004年為70億美元，三星這一急劇增長的市場中一直保持了60%的市場份額。
關(guān)鍵字：三星閃存市場

閃存數(shù)字電視助IT產(chǎn)業(yè)在今年繼續(xù)復(fù)蘇

據(jù)韓國三星經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測稱，在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強(qiáng)勁銷售的推動下，2006年全球信息技術(shù)行業(yè)將繼續(xù)復(fù)蘇。據(jù)Asia Pulse網(wǎng)站報道，三星經(jīng)濟(jì)研究所在一篇報告中稱，全球信息技術(shù)行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經(jīng)進(jìn)入了復(fù)蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷售的推動下，IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復(fù)蘇。 &
關(guān)鍵字：產(chǎn)業(yè) 閃存數(shù)字電視

采用Saifun NROM技術(shù)中芯國際進(jìn)軍閃存

　　中芯國際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲卡。　　Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個突破。NROM技術(shù)將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié)，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術(shù)簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產(chǎn)步驟，降低了生產(chǎn)成本。　　“閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個重要的驅(qū)動力，”中芯國際首席營運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協(xié)議中，我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
關(guān)鍵字： NROM Saifun 閃存中芯

常憶針對供應(yīng)程序數(shù)據(jù)儲存推SPI閃存

常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應(yīng)計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)&
關(guān)鍵字： SPI 常憶閃存數(shù)據(jù)儲存

三星避冷就熱兩季壓縮DDR2提閃存產(chǎn)量

　　據(jù)國外媒體援引消息人士透露，韓國芯片巨頭三星電子計劃進(jìn)一步縮減DDR2內(nèi)存產(chǎn)能，并將生產(chǎn)線用于盈利更好的NAND閃存。　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，在本季度，三星電子已經(jīng)將其DDR2內(nèi)存的產(chǎn)能壓縮了大約5000萬個 “256Mbit單位”。到明年第一季度，該公司計劃進(jìn)一步壓縮5000萬個單位。這位消息人士說，三星電子計劃用這些騰出的生產(chǎn)線生產(chǎn)目前市場供不應(yīng)求的NAND閃存產(chǎn)品。　　三星電子這個舉措符合存儲市場調(diào)研公司iSuppli對明年DRAM市場所作的估計。據(jù)這家機(jī)構(gòu)
關(guān)鍵字： DDR2 三星閃存

DDR2價格醞釀反彈2GbNAND閃存上揚(yáng)

根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價格不愿放貨，導(dǎo)致帶動UTT(未經(jīng)完整測試)產(chǎn)品的價格反彈。適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期，市場上買家也較為謹(jǐn)慎的掌控手中的庫存，部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存，使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
關(guān)鍵字： DDR2 NAND 價格閃存

三星考慮將會向索尼提供NAND閃存

關(guān)鍵字： NAND 三星閃存索尼

共575條 38/39 |‹ « 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 »

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]