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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存

      東芝提高閃存產(chǎn)量與三星搶奪市場

      •   6月13日消息,日本東芝公司將把其NAND閃存芯片月產(chǎn)量提高一倍以上,以提高市場占有率并彌補(bǔ)價(jià)格下跌帶來的損失。   據(jù)美聯(lián)社報(bào)道,位于東京的這家電子制造商周二稱,到2008年2月,使用300毫米晶圓的閃存的月產(chǎn)量將由今年3月份的10萬片擴(kuò)大到21萬片。   存儲(chǔ)芯片是東芝的一個(gè)主要收入來源,但這種產(chǎn)品的價(jià)格一直在不斷下滑。東芝預(yù)計(jì)在截至到2008年3月的本財(cái)年里,NAND閃存價(jià)格將下跌50%左右。   為維持利潤率,該公司一直在一面努力降低成本,一面生產(chǎn)更為先進(jìn)、容量更高的產(chǎn)品。東芝表示
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      美刊稱閃存將改變個(gè)人電腦存儲(chǔ)技術(shù)

      • 新華網(wǎng)華盛頓6月3日電 據(jù)提前出版的最新一期美國《商業(yè)周刊》撰文說,固態(tài)硬盤SSD以及目前已廣泛使用的USB盤都采用了相似的閃存記憶技術(shù)。預(yù)計(jì)今年秋季,使用閃存與傳統(tǒng)磁盤存儲(chǔ)相結(jié)合的混合式存儲(chǔ)系統(tǒng)的電腦將大量上市。  文章指出,對(duì)個(gè)人電腦用戶來說,使用閃存可靠性高、能耗低,尤其啟動(dòng)時(shí)運(yùn)行速度較快,還能擴(kuò)大手機(jī)和音樂播放器等的存儲(chǔ)容量。但由于芯片成本和重寫次數(shù)的限制,閃存一直未能用于大規(guī)模存儲(chǔ)。  如今,制造商已開發(fā)出新技術(shù),確保閃存中信息在芯片上的位置不會(huì)經(jīng)常變化,從而減少了
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      三星為3G手機(jī)開發(fā)出大容量閃存芯片系統(tǒng)

      • 韓國三星電子公司日前發(fā)布了一款針對(duì)3G手機(jī)設(shè)備的大容量閃存芯片產(chǎn)品,其內(nèi)部實(shí)際封裝了多顆閃存芯片,手機(jī)上的外部存儲(chǔ)卡插槽可能從此成為歷史。  據(jù)三星稱,這個(gè)嵌入式4GB多芯片系統(tǒng)被叫做moviMCP,它在一個(gè)單元上集成了多個(gè)存儲(chǔ)功能,消除了對(duì)外部擴(kuò)展槽的需求,因而可以為高度壓縮的手機(jī)節(jié)省更多空間。這個(gè)封裝包含了16Gb NAND閃存和一個(gè)控制器,一個(gè)為處理器提供支持的1Gb DRAM芯片和一個(gè)支持手機(jī)整體運(yùn)行的2Gb NAND芯片。  為不同類型的NAND
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      英特爾與意法合營閃存或?yàn)閿[脫虧損

      • 傳言可能退出NOR閃存市場的英特爾選擇了另一條道路。日前,它與意法半導(dǎo)體宣布,將組建一個(gè)新的合資公司,以共同經(jīng)營閃存業(yè)務(wù)。 之前,業(yè)內(nèi)一直猜測,在退出通訊處理器市場后,英特爾將會(huì)退出NOR閃存市場,以應(yīng)對(duì)來自PC芯片對(duì)手的沖擊。 新的合資公司的工廠將設(shè)立在瑞士與荷蘭,大約雇用8000名員工,主要生產(chǎn)制造NOR和NAND類型的閃存芯片產(chǎn)品。合資公司中,意法半導(dǎo)體擁有48.6%的較多股份,英特爾持有45.1%,另外一家美國企業(yè)擁有剩余股份。 這也是英特爾繼對(duì)手AMD之后的行動(dòng)。2003年,AMD與日本富士通整
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      意法半導(dǎo)體與英特爾合建最大閃存公司

      • 5月23日 據(jù)國外媒體報(bào)道,意法半導(dǎo)體及英特爾昨天發(fā)表聲明,計(jì)劃將各自虧損的閃存部門合并成一家新公司,這家新公司將成為全球最大的閃存制造公司。 該份聲明指出,意法半導(dǎo)體將持有新公司48.6%的股權(quán)并獲得新公司給予的4.68億美元;英特爾將持有45.1%股權(quán),得到4.32億美元。一向以收購科技公司為目標(biāo)的公司FranciscoPartners將對(duì)這家新公司投資1.5億美元,并持有6.3%股權(quán)。合并后的公司年收入將達(dá)36億美元。 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體CEO Bozotti
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      2007年5月22日,Intel、ST和FranciscoPartners宣布成立閃存公司

      •   2007年5月22日,英特爾、意法半導(dǎo)體和FranciscoPartners宣布共同組建一家獨(dú)立的閃存公司。
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      聯(lián)電看準(zhǔn)CPU和閃存市場機(jī)會(huì) 有意多方出擊

      • 為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品多樣化,臺(tái)灣晶圓廠聯(lián)華電子(UMC,簡稱聯(lián)電)有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進(jìn)軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議,但對(duì)于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹(jǐn)慎。 聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強(qiáng)稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場,因此計(jì)劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單,但不會(huì)涉足DRAM(內(nèi)存)市場。胡國強(qiáng)不愿透露具體細(xì)節(jié),但暗示聯(lián)電不會(huì)在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價(jià)格起伏太大了,所以我們對(duì)此不得不深思熟慮,”胡國強(qiáng)
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      SanDisk閃存繼續(xù)降價(jià) 56nm量產(chǎn)指日可待

      • 今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況,尤其是多層單元NAND閃存,價(jià)格也隨之大幅度下跌,這對(duì)新達(dá)公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元,而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%,去年則為28.4%。存儲(chǔ)卡平均容量達(dá)到了1231MB,年增長率為87%,季度增長率 為11%。而每MB平均價(jià)格年下跌率為62%,季度下跌率為23%。 對(duì)于出現(xiàn)這種局面的原因,公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中,老型
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      閃存將取代硬盤 2010年20%筆記本電腦采用閃存

      • 4月30日,據(jù)外電報(bào)道,速度更快、更安靜的筆記本電腦已經(jīng)問世,閃存取代了硬盤的位置,但其容量有限及價(jià)格昂貴,意味著這種新科技還無法普及到大眾市場。 “價(jià)格差異仍大?!比蜃畲蠊P記型電腦代工廠商--臺(tái)灣的廣達(dá)電腦總經(jīng)理王震華表示,“我不認(rèn)為未來3年閃存電腦將成主流。”此外,儲(chǔ)存容量是另一個(gè)問題。128GB是目前閃存的最大容量,使其難以與臺(tái)式PC的硬盤競爭。 不過,有分析師認(rèn)為,普及的日子應(yīng)該不遠(yuǎn)了。閃存目前以每年五成的速度下跌,分析師預(yù)測到2010年,約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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      英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品

      • 據(jù)國外媒體報(bào)道,本周四美光科技宣布,它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱,與SLC(單層單元)閃存組件相比,新的MLC 閃存組件體積更小,能量效益更高,能夠更理想的使用在目前的計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB,而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示,我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
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      東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

      •   東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布,該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品,這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場,大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前,東芝將在本月開始推出 8GB 樣品,并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。   
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      閃存價(jià)格雪崩 廠商遭遇生死劫

      •   前幾天,晚上8點(diǎn)剛下飛機(jī)的華南地區(qū)閃存芯片貿(mào)易商陳耀東,接到公司業(yè)務(wù)員緊急電話匯報(bào):韓國三星1GB閃存芯片顆粒價(jià)格再度回降到6美元以內(nèi),僅比512MB規(guī)格芯片的拿貨價(jià)格高出幾元人民幣?!皬?12MB改1G并不那么容易?!睒I(yè)務(wù)員提醒道:“一些客戶可能要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品電路板模具和操作軟件進(jìn)行修改,隱性成本反而提高”。   成本倒逼   閃存芯片作為制造U盤、MP3以及存儲(chǔ)卡的主要原材料芯片,占到全部成本的60%~70%。記者近日了解到,由于三星、現(xiàn)代等主力閃存革新生產(chǎn)工藝,1G規(guī)格閃存已全面切換為新制程工
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      嵌入式閃存使“智能”汽車接口應(yīng)用得以實(shí)現(xiàn)

      • 在SoC設(shè)計(jì)中,對(duì)共存元件特別是非易失存儲(chǔ)器進(jìn)行排列,可不是一件容易的事情,因?yàn)橛袕?fù)雜度要求,就會(huì)有潛在成本的上升。其決竅就是在確保最終 IC仍能提供有成本效益的取代方案的同時(shí)對(duì)各種元件加以集成。         現(xiàn)代汽車中日益增加的汽車電子元件已對(duì)汽車的空間和重量提出了挑戰(zhàn)。并且,在汽車電子集成的過程中,當(dāng)重量的問題通過使線束合理化得以改進(jìn)后,空間的限制仍然為主要的關(guān)注點(diǎn)。 因此,對(duì)于關(guān)注節(jié)省空間的工程師們來說
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      英飛凌推出擁有10萬個(gè)讀/寫周期的8位閃存微控制器

      韓國成功開發(fā)8納米級(jí)閃存元件

      •   韓國科學(xué)技術(shù)院研究人員13日宣布,他們已成功開發(fā)出世界最小的8納米級(jí)三維非揮發(fā)性閃存元件。   據(jù)此項(xiàng)研究負(fù)責(zé)人、韓國科學(xué)技術(shù)院電子計(jì)算機(jī)系教授崔陽奎和納米綜合制造中心負(fù)責(zé)人李熙哲介紹,由這種8納米級(jí)閃存元件制成指甲大小的存儲(chǔ)芯片,就可儲(chǔ)存1000多部DVD電影。   據(jù)介紹,這種8納米級(jí)閃存元件有望開啟兆兆位(萬億比特)級(jí)內(nèi)存時(shí)代,并在10年后完全實(shí)現(xiàn)商用化。   韓國科學(xué)技術(shù)院計(jì)劃于今年6月12日在日本京都舉行的國際學(xué)術(shù)會(huì)議上公布相關(guān)研究成果。
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      閃存 介紹

      【閃存的概念】 閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息)的存儲(chǔ)器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]

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