閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

三星計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存：沿用雙層堆棧架構(gòu)，超 300 層

IT之家 8 月 18 日消息，據(jù) DigiTimes 報(bào)道，三星電子計(jì)劃明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，將沿用雙層堆棧架構(gòu)，超過(guò) 300 層。報(bào)道稱，這將使三星的進(jìn)度超過(guò) SK 海力士 —— 后者計(jì)劃 2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的 321 層 NAND 閃存。早在 2020 年，三星就已首次引入雙層堆棧架構(gòu)，生產(chǎn)第 7 代 V-NAND 閃存芯片?！?圖源三星IT之家注：雙層堆棧架構(gòu)指在 300mm 晶圓上生產(chǎn)一個(gè) 3D NAND 堆棧，然后在第一個(gè)堆棧的基礎(chǔ)上建立另一個(gè)堆棧。
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鎧俠宣布運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新研發(fā)設(shè)施，加強(qiáng)閃存和SSD研發(fā)能力

6月1日，鎧俠宣布開(kāi)始運(yùn)營(yíng)兩個(gè)新的研發(fā)設(shè)施——位于橫濱技術(shù)園區(qū)的旗艦大樓和Shin Koyasu技術(shù)前沿——以加強(qiáng)公司在閃存和固態(tài)硬盤（SSD）方面的研發(fā)能力。未來(lái)，神奈川縣的其他研發(fā)職能將轉(zhuǎn)移到這些新的研發(fā)中心，以提高研究效率。隨著新旗艦大樓的加入，橫濱科技園區(qū)的規(guī)模將幾乎翻一番，使鎧俠能夠擴(kuò)大其評(píng)估閃存和SSD產(chǎn)品的能力，從而提高整體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量。Shin Koyasu技術(shù)前沿將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域尖端基礎(chǔ)研究的中心，包括新材料、工藝和器件，此處配備一間最先進(jìn)的潔凈室。除了下一代存儲(chǔ)技術(shù)，鎧俠還從事其
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NAND閃存主控芯片供應(yīng)商2023年第1季財(cái)報(bào)出爐

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球NAND閃存主控芯片供應(yīng)商慧榮科技（SIMO）公布2023年第1季財(cái)報(bào)，營(yíng)收1億2407萬(wàn)美元，季減38%，年減49%，第1季毛利率42.3%，稅后凈利1116萬(wàn)美元。報(bào)道引述慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示，包括NAND大廠在內(nèi)的主要客戶，目前一致認(rèn)為市況仍極具挑戰(zhàn)。PC和智能手機(jī)終端市場(chǎng)持續(xù)呈現(xiàn)疲弱，上下游供應(yīng)鏈皆將重心放在去化庫(kù)存，包括消費(fèi)級(jí)SSD和eMMC/UFS等嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備供應(yīng)商，因此影響相關(guān)控制芯片的營(yíng)收。茍嘉章認(rèn)為，見(jiàn)到一些客戶的下單模式從第2季開(kāi)始有所改善，再加
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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

【2023 年 4 月 25日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車電子電氣（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20 倍。這使得軟件定義的車輛具有增強(qiáng)安全性和架構(gòu)靈活性的高級(jí)功能。下一代汽車更智能、更網(wǎng)聯(lián)、更復(fù)雜，并
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以汽車為目標(biāo)，英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存

IT之家 4 月 23 日消息，隨著各大車企都轉(zhuǎn)向軟件定義的汽車架構(gòu)，下一代車型的設(shè)計(jì)卻在內(nèi)存方面面臨著問(wèn)題。由于許多原因，傳統(tǒng)的 xSPI NOR 閃存已逐漸無(wú)法滿足用戶的需求。為了滿足汽車區(qū)域架構(gòu)的新需求，英飛凌科技宣布推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存。該公司將閃存與 LPDDR 接口結(jié)合在一起，從而實(shí)現(xiàn)了比 xSPI NOR 閃存更高的性能和可擴(kuò)展性。據(jù)介紹，這款名為 SEMPER X1 的新型閃存設(shè)備借鑒了已有 10 年歷史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并將其應(yīng)用于
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英飛凌推出 256 Mbit SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品

【2023 年 04 月 10日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出 SEMPER? Nano NOR Flash 閃存產(chǎn)品。這種存儲(chǔ)器經(jīng)過(guò)專門優(yōu)化，適合在電池供電的小型電子設(shè)備中使用。健身追蹤器、智能耳機(jī)、健康監(jiān)測(cè)儀、無(wú)人機(jī)和 GPS 導(dǎo)航等新型可穿戴應(yīng)用及工業(yè)應(yīng)用不斷涌現(xiàn)，有助于實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)跟蹤、記錄關(guān)鍵信息、增強(qiáng)安全性、降低噪聲等更多功能。這些先進(jìn)的功能和使用場(chǎng)景要求在體積更小的電子設(shè)備中配備更大容量的存儲(chǔ)器。據(jù)Omdia 數(shù)據(jù)顯示，藍(lán)牙耳
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群聯(lián)：閃存價(jià)格便宜，需求倍數(shù)增加中

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，針對(duì)市場(chǎng)關(guān)注的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)景氣，群聯(lián)電子CEO潘健成于3月28日表示，今年IC設(shè)計(jì)很辛苦，不過(guò)在原廠賠本賣的狀況下，不認(rèn)為這樣的狀態(tài)會(huì)持續(xù)太久，且因?yàn)榭扉W存儲(chǔ)器價(jià)格便宜，看到需求倍數(shù)增加中。潘健成表示，現(xiàn)階段原廠做1顆賠2、3顆，這樣的狀況不會(huì)太久，可能很快會(huì)有公司宣布減產(chǎn)，而控制器設(shè)計(jì)因?yàn)榫皻獠缓猛ｎD了6-9個(gè)月，但群聯(lián)在市場(chǎng)好的時(shí)候，存了不少冬糧，并且正向看待市場(chǎng)對(duì)快閃存儲(chǔ)器需求和應(yīng)用會(huì)越用越多，新的制程也會(huì)愈來(lái)愈多。而據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Fl
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告別存儲(chǔ)寒冬，2023全球閃存市場(chǎng)需求將回暖？

3月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席運(yùn)營(yíng)官程衛(wèi)華對(duì)外表示，預(yù)計(jì)2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來(lái)面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫(kù)存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%。進(jìn)入2023年第一季度，集邦咨詢指出，鎧俠、美光產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載，西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn)，有機(jī)會(huì)緩解目前供給過(guò)剩的情況，NAND Flash均價(jià)跌幅也將收斂至10~15%。經(jīng)歷過(guò)2022年“寒冬”之后，
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30萬(wàn)次壽命國(guó)產(chǎn)廠商綠芯推出超耐用SSD：10GB起步

隨著閃存從SLC、MLC向TLC、QLC升級(jí)，P/E寫入壽命越來(lái)越短，從之前的萬(wàn)次以上減少到如今千次內(nèi)，好在對(duì)一些工控領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，廠商還會(huì)專門打造超耐用SSD，國(guó)產(chǎn)SSD廠商綠芯科技Greenliant日前宣布推出ArmourDrive EX系列硬盤，擁有多達(dá)30萬(wàn)次的P/E壽命。ArmourDrive EX系列硬盤有mSATA及SATA M.2 2242兩種規(guī)格，支持EnduroSLC技術(shù)，P/E壽命根據(jù)不同容量在60K、120K及300K之間——也就是最高30萬(wàn)次，這個(gè)性能比早期的SLC閃存還要耐用，后
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國(guó)產(chǎn)閃存受阻：三星馬上就漲價(jià)！

在閃存領(lǐng)域突飛猛進(jìn)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，還是遭到了美國(guó)的制裁，被列入“實(shí)體清單”，幾乎是同一時(shí)間，三星就開(kāi)始漲價(jià)了！DigiTimes報(bào)道稱，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)遭到制裁，部分PC廠商不得不暫停合作，而面對(duì)突然增加的市場(chǎng)需求，三星將其3D NAND閃存的報(bào)價(jià)提高了10％。當(dāng)然，同樣作為NAND閃存巨頭，SK海力士、美光、鎧俠/西部數(shù)據(jù)也有機(jī)會(huì)獲得更多市場(chǎng)，但三星畢竟是全球第一大NAND閃存供應(yīng)商，今年第二季度份額為33％，雖然下跌了2.3個(gè)百分點(diǎn)但依然遙遙領(lǐng)先。相比之下，SK
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SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手：閃存逆市漲價(jià)10%

2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲(chǔ)芯片的價(jià)格一直在下滑，以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了，2TB不到700元，但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受，三星已經(jīng)開(kāi)始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格，12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息，雖然市場(chǎng)需求低迷，但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格，其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商，Q2季度的銷售額59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%，依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士成立了
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TLC顆粒SSD的好日子不多了廠商放言：必被QLC取代

Intel把閃存業(yè)務(wù)賣給SK海力士后，后者孵化出名為Solidigm的消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)品牌，關(guān)系類似于美光和英睿達(dá)。日前在Tech Field Day 2022技術(shù)峰會(huì)上，Solidigm預(yù)覽了旗下第4代192層3D閃存芯片，不過(guò)是QLC顆粒（4bits/cell）?？磥?lái)Intel此前的QLC技術(shù)積累被SK海力士完全保留，后者還指出，雖然當(dāng)前出貨的閃存芯片80%都是TLC，但QLC遲早會(huì)取代它。顯然最重要的原因還是成本效應(yīng)，QLC顆粒存儲(chǔ)密度更高，也更容易做到大容量。
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業(yè)界首個(gè)！華為首發(fā)微存儲(chǔ)新品：1ms穩(wěn)定低時(shí)延

華為全聯(lián)接大會(huì)2022中國(guó)深圳站期間上，華為發(fā)布業(yè)界首個(gè)面向數(shù)據(jù)中心Diskless架構(gòu)的微存儲(chǔ)——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數(shù)據(jù)中心。據(jù)了解，華為OceanStor Micro微存儲(chǔ)本質(zhì)上是傳統(tǒng)盤框的智能化升級(jí)，以基于NOF+技術(shù)的高速網(wǎng)絡(luò)連接Diskless服務(wù)器，支持上層分布式軟件的透明訪問(wèn)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算和存儲(chǔ)資源獨(dú)立彈性擴(kuò)展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲(chǔ)領(lǐng)域總裁黃濤詳細(xì)闡述了OceanStor Micro微存儲(chǔ)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念。他
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傳輸速度高達(dá)2400Mtps，三星量產(chǎn)第八代V-NAND閃存

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近期三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據(jù)悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達(dá)2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費(fèi)級(jí)SSD的傳輸速度達(dá)到直接越級(jí)的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會(huì)提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細(xì)則比如芯片的大小和實(shí)際密度等數(shù)據(jù)并沒(méi)有做詳細(xì)介紹，但是三星電子表示其擁有業(yè)界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現(xiàn)階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]