閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

未來(lái)企業(yè)級(jí)閃存市場(chǎng)發(fā)展前景依然強(qiáng)勁

　　近日，根據(jù)一份來(lái)自IDC最新的有關(guān)企業(yè)級(jí)SSD閃存市場(chǎng)的報(bào)告顯示，SSD企業(yè)級(jí)市場(chǎng)未來(lái)前景依然強(qiáng)勁，2016年到2021年期間，出貨量、收入和總出貨容量預(yù)計(jì)都會(huì)呈現(xiàn)顯著增長(zhǎng)。IDC預(yù)計(jì)全球SSD出貨量的5年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到15.1%。SSD行業(yè)收入預(yù)計(jì)到2021年達(dá)到336億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為14.8%。　　SSD市場(chǎng)前景改善的關(guān)鍵因素是產(chǎn)品可用性的提升，以及更好的定價(jià)動(dòng)態(tài)，因?yàn)檎麄€(gè)行業(yè)都在向3D NAND閃存過(guò)渡。IDC認(rèn)為，目前NAND閃存供應(yīng)的限制將在2018年開(kāi)始減少，并進(jìn)一步推動(dòng)整個(gè)
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投資機(jī)構(gòu)稱(chēng)2018年半導(dǎo)體需求將放緩良好業(yè)績(jī)難再重現(xiàn)

　　半導(dǎo)體指數(shù)在兩年的上漲中上漲了92%。　　投資者應(yīng)該有選擇性地選擇證券，并關(guān)注需求放緩。　　　　分析人士認(rèn)為，不要指望今年半導(dǎo)體類(lèi)股的領(lǐng)先市場(chǎng)表現(xiàn)會(huì)在2018年重演。　　盡管近期出現(xiàn)拋售，費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)自2016年初以來(lái)已經(jīng)上漲了92%，并有望連續(xù)第二年超過(guò)所有11個(gè)標(biāo)準(zhǔn)普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。　　盡管這一趨勢(shì)并沒(méi)有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹(jǐn)慎選擇，并警惕需求放緩和庫(kù)存水平上升的跡象。　　以下是分析師對(duì)2018年的看
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紫光集團(tuán)：32層64G三維閃存芯片明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在第四屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)表示，近年來(lái)，紫光集團(tuán)把企業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)聚焦在了集成電路上。在移動(dòng)領(lǐng)域，紫光現(xiàn)在每年向全球提供的手機(jī)芯片超過(guò)7億部套片;在存儲(chǔ)領(lǐng)域，紫光已經(jīng)研發(fā)出了32層64G的完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的三維閃存芯片，明年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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三星量產(chǎn)512GB閃存，Galaxy S9容量有望翻倍

　　三星宣布512GB閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機(jī)儲(chǔ)存容量有望從當(dāng)前最大256GB翻倍成長(zhǎng)。　　512GB閃存主要因應(yīng)4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據(jù)三星表示，新內(nèi)存芯片可容納130個(gè)10分鐘4K短片。 (日經(jīng)新聞) 　　三星從2015年開(kāi)發(fā)出128GB內(nèi)存以來(lái)，已連續(xù)三年將內(nèi)存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業(yè)化。展望未來(lái)，三星將再推出96層3D堆棧閃存。　　目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機(jī)種，不過(guò)三
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內(nèi)存/閃存行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，NAND閃存超級(jí)周期料將發(fā)生逆轉(zhuǎn)。
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c行業(yè)周期即將逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器芯片景氣或觸頂

　　摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲(chǔ)器芯片獲利恐難顯著成長(zhǎng)為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評(píng)等自“加碼”降至“中性權(quán)重”，目標(biāo)價(jià)下修3.4%至280萬(wàn)韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲(chǔ)器報(bào)價(jià)在2017年第四季開(kāi)始反轉(zhuǎn)，下行風(fēng)險(xiǎn)隨之升高;在此同時(shí)，2018年第一季以后的DRAM供需能見(jiàn)度也已降低。自2016年一季度以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)所享受的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求和史無(wú)前例的定價(jià)權(quán)難以為繼，N
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手機(jī)行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)連續(xù)兩年增長(zhǎng)

　　2017年9月5日，工信部首次發(fā)布《中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)研究報(bào)告》，其中電子信息制造業(yè)綜合指數(shù)專(zhuān)門(mén)針對(duì)我國(guó)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行規(guī)模、效益、研發(fā)、環(huán)境等全方位的評(píng)價(jià)，并包括全國(guó)、分地區(qū)和分行業(yè)三大細(xì)分指數(shù)。行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)主要通過(guò)我國(guó)與全球同行業(yè)比較的方式，明確我國(guó)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平和特點(diǎn)，手機(jī)行業(yè)作為了行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)評(píng)價(jià)的首個(gè)領(lǐng)域。　　2016年，手機(jī)行業(yè)綜合發(fā)展指數(shù)132分，相比2015年分?jǐn)?shù)提升20%，呈現(xiàn)連續(xù)兩年增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。其中除產(chǎn)業(yè)效益指標(biāo)得分相比2015年有所下降外，其他四個(gè)一級(jí)指標(biāo)均呈現(xiàn)上漲
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Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存？閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱(chēng)：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。
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內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮，來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)

內(nèi)存顆粒漲價(jià)狂潮，來(lái)了解一下MLC NAND閃存下的技術(shù)細(xì)節(jié)-2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術(shù)與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創(chuàng)新性，并且在兩個(gè)母公司強(qiáng)大的IP庫(kù)支持下，IMFT在同一年推出的第一個(gè)產(chǎn)品就讓市場(chǎng)深受震動(dòng)。
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3D閃存產(chǎn)能大提升！SSD停止?jié)q價(jià)

　　今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。　　而需求方面，手機(jī)、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)。　　不過(guò)，來(lái)自集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的最新報(bào)告稱(chēng)，在明年，NAND閃存的市場(chǎng)將達(dá)到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中，供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%，而需求側(cè)，增長(zhǎng)預(yù)計(jì)在37.7%。　　目前在3D閃存方面，三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利，已經(jīng)在Q3開(kāi)始量產(chǎn)64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。　　據(jù)悉，在明年的所
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如何選擇最佳汽車(chē)應(yīng)用閃存

　　在過(guò)去幾年里，汽車(chē)應(yīng)用對(duì) NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂(lè)和引擎控制等方面。然而，隨著汽車(chē)電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤(pán)和信息娛樂(lè)等系統(tǒng)對(duì)NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)?！　「呒?jí)駕駛輔助系統(tǒng)　　針對(duì)提高駕駛安全性的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的市場(chǎng)發(fā)展快速增長(zhǎng)。目前，大部分ADAS 應(yīng)用主要是基于
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NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)高漲，2020年將超DRAM

9月6日，深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國(guó)存儲(chǔ)·全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)，本文根據(jù)部分會(huì)議內(nèi)容整理了國(guó)內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲(chǔ)器市場(chǎng)信息。
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2017年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)950億美元

　　日前，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的、以“中國(guó)存儲(chǔ) 全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲(chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。峰會(huì)吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會(huì)觀眾超
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中國(guó)閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket正從價(jià)格基準(zhǔn)向品質(zhì)基準(zhǔn)擴(kuò)展

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦的以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本、?？荡鎯?chǔ)等企業(yè)重量級(jí)嘉賓，一起探討存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展和企業(yè)市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)。　　同時(shí)，吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、汽車(chē)、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，當(dāng)天
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CFM：原廠加碼投資擴(kuò)產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場(chǎng)仍缺貨到年底

　　9月6日，由深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司主辦以“中國(guó)存儲(chǔ)?全球格局”為主題的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會(huì)除了齊聚國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達(dá)、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?！　‘?dāng)天吸引全球近700家企業(yè)參會(huì)，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會(huì)，涵蓋領(lǐng)域包括存儲(chǔ)企業(yè)、手機(jī)、電腦、
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]