碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強(qiáng)勁成長，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFE
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碳化硅的新爆發(fā)
- 隨著全球?qū)τ陔妱悠嚱蛹{程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機(jī)。預(yù)計將來，功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商與汽車行業(yè)的運作方會更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價值鏈建設(shè)里。SiC 作為第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認(rèn)為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在汽車電子、工業(yè)半導(dǎo)體等領(lǐng)域有
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純電車需求放緩 SiC功率組件業(yè)年營收動能降溫
- 在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下，根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強(qiáng)勁成長，但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預(yù)估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關(guān)鍵的車用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
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GaN“上車”進(jìn)程加速，車用功率器件市場格局將改寫
- 根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測，氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場2023至2029年平均復(fù)合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應(yīng)用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠(yuǎn)低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速，功率器件器件市場競爭格局或?qū)⒈桓膶?。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進(jìn)功率半導(dǎo)體
- ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達(dá) 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當(dāng)?shù)貛硐冗M(jìn)的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進(jìn)半導(dǎo)
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
- 作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
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低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性
- 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點可以在大功率應(yīng)用中實現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo)，從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場景對應(yīng)的功率等級2從技術(shù)上講，
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SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量
- 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。但是，雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準(zhǔn)確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
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設(shè)計基于SiC的電動汽車直流快速充電機(jī)
- 電動汽車（EV）直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動汽車上的車載充電機(jī)，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機(jī)由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點。在設(shè)計此類系統(tǒng)時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護(hù)，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計注意事項和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
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解決補(bǔ)能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布
- 800V車型刷屏，高壓SiC車載應(yīng)用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標(biāo)配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動汽車主流電動化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅(qū)方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
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優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定
- 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評審。鑒定委員會認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
- 本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學(xué)模型，根據(jù)Vth選擇標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)測當(dāng)逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負(fù)荷下的芯片行為。
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天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收
- 作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴(kuò)產(chǎn)據(jù)悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規(guī)劃投資25億元，項目全部達(dá)產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬片/年。從投資規(guī)模和產(chǎn)能規(guī)劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進(jìn)的市場地位再進(jìn)一步。近年來
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意法半導(dǎo)體在意大利打造世界首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
- ●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預(yù)計投資總額達(dá)50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實現(xiàn)ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區(qū)內(nèi)完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車和工業(yè)客戶的電氣化進(jìn)程和高能效轉(zhuǎn)型服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體?
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