碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)
英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
- 關鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓
三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
- 關鍵字： 三菱電機 安世 SiC 功率半導體
理想自研芯片進展曝光：在新加坡設立辦公室，團隊規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息，據(jù)晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
- 關鍵字： 理想 自研芯片 新能源汽車 智能駕駛 AI 推理芯片 驅動電機 控制器 SiC 功率芯片。
Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
- 關鍵字： 新能源 氮化鎵 碳化硅
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
- 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
- 關鍵字： PI 氮化鎵 碳化硅
三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
- 關鍵字： 三菱電機 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關于本次投資，市場方面早有相關消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務少數(shù)股權進行過討論。分拆SiC業(yè)務能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
- 關鍵字： 電裝 SiC
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。 制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應用 650 V 碳化硅 整流二極管
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應能微電子（深圳）有限公司
- 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術公司。應能成立于2012年，其核心團隊來自美國硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關鍵性能指標上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
- 關鍵字： 應能微電子 接口保護器件 碳化硅
東風首批自主碳化硅功率模塊下線
- 11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
- 關鍵字： IGBT 碳化硅 東風 智新半導體
應對汽車檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來，在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動化浪潮中，半導體增量主要來自于功率半導體，根據(jù) Strategy Analytics，功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發(fā)
- 關鍵字： 汽車檢測認證 泰克 SiC
滿足市場對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現(xiàn)的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領域，目前電動汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
- 關鍵字： 安森美 碳化硅
通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
- 關鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統(tǒng)
良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術難關，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
- 關鍵字： 晶圓廠 SiC
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