碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)
- 5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品， 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。 據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。 瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對(duì)于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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三菱電機(jī)攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014
- 三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！ 〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動(dòng)汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?！ ≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動(dòng)和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應(yīng)用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
- 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)用于效率至關(guān)重要的大功率工業(yè)應(yīng)用，包括用于太陽能逆變器、電動(dòng)汽車、焊接和醫(yī)療設(shè)備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)的良好條件，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement預(yù)計(jì)，從201
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耐高溫半導(dǎo)體解決方案日益受到市場(chǎng)歡迎
- 日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會(huì)幫助CISSOID公司的高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品在中國市場(chǎng)大范圍推廣?！ ≈Z衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術(shù)與 CISSOID 的技術(shù)及其產(chǎn)品組合完美結(jié)合在一起，形成獨(dú)一無二的競(jìng)爭(zhēng)力。例如：SiC 電源開關(guān)專用的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器HADES 技術(shù);高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號(hào)調(diào)節(jié)器?！ ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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電容器
- 2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn) TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術(shù)的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術(shù)是以PLZT陶瓷材料為基礎(chǔ)(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！ eraLink?新技術(shù)在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢(shì)-特別與傳統(tǒng)電容器技術(shù)相比：由于該款新電容
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈
- 與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。 SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
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SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
山東天岳及韓國SK集團(tuán)等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
- 在SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實(shí)力不斷增強(qiáng)。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢(shì)。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導(dǎo)體國際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴(kuò)大SiC晶圓業(yè)務(wù)的亞洲企業(yè)紛紛出展。 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對(duì)外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當(dāng)前的目標(biāo)
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