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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

            基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

            • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何
            • 關(guān)鍵字: EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC  

            碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

            • 功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一,在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定,能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  肖特基二極管  電源  DCM  PFC  

            第三代半導體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

            • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
            • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導體材料  

            ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大!支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001),有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

            •   <概要>  全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?! ”井a(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化,實現(xiàn)了600A額定電流,由此,在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時),這非常有助于應(yīng)
            • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

            汽車功率元器件市場前景廣闊

            •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            汽車功率元器件市場前景廣闊

            •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片。  與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            功率半導體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

            •   與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
            • 關(guān)鍵字: 功率半導體  SiC  

            電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

            •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
            • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

            ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

            •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號:4100),向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導體制造商,&
            • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

            新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

            •   日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
            • 關(guān)鍵字: SiC  

            “十三五”期間,功率半導體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

            •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導體就是電機的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
            • 關(guān)鍵字: 功率半導體  SiC  

            【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

            •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
            • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

            【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

            •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
            • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

            【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

            •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP
            • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

            第三代半導體技術(shù)、應(yīng)用、市場全解析

            • 第一代半導體材料是元素半導體的天下,第一代半導體材料是化合物半導體材料,然而隨著半導體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴大,特別是特殊場合要求半導體能夠在高溫、強輻射、大功率等環(huán)境下依然堅挺,第一、二代半導體材料便無能為力,于是賦予使命的第三代半導體材料——寬禁帶半導體材料誕生了。
            • 關(guān)鍵字: 寬禁帶半導體  SiC  
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            碳化硅(sic)介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
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