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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

            CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動器創(chuàng)新成果

            • 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動器”的論文,并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會議上發(fā)表該文章。當今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應(yīng)用方面,越來越多的人則
            • 關(guān)鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅(qū)動器  

            Cree將投資10億美元,擴大SiC(碳化硅)產(chǎn)能

            • 此次產(chǎn)能擴大,將帶來SiC(碳化硅)晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長和SiC(碳化硅)材料生產(chǎn)的30倍增長,以滿足2024年之前的預期市場增長 5年的投資,充分利用現(xiàn)有的建筑設(shè)施North Fab,并整新200mm設(shè)備,建造采用最先進技術(shù)的滿足汽車認證的生產(chǎn)工廠 投資:4.5億美元用于North Fab;4.5億美元用于材料超級工廠(mega factory);1億美元用于伴隨著業(yè)務(wù)增長所需要的其它投入
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  碳化硅基氮化鎵  工廠  

            SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101

            •   全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個機型。  ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質(zhì),并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
            • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  MOSFET  

            安森美半導體將在APEC 2019演示 用先進云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

            •   2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設(shè)計之前對系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
            • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC   

            集邦咨詢:需求持續(xù)擴張,2019年中國功率半導體市場規(guī)模逾2,900億元

            •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%?! 〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出,功率半導體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè),2019年
            • 關(guān)鍵字: IGBT  SiC   

            碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

            • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  熱模型  

            Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器,可最大程度提高效率及安全性

            •   深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
            • 關(guān)鍵字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

            SiC市場趨勢及應(yīng)用動向

            • 介紹了SiC的市場動向,SiC市場不斷擴大的原因,SiC技術(shù)及解決方案的突破,以及羅姆公司在SiC方面的特點。
            • 關(guān)鍵字: SiC  市場  應(yīng)用  汽車  201903  

            國內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,5G芯片國產(chǎn)化再進一步

            • 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,作為蕪湖大院大所合作的重點項目,國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功,打破國外壟斷。這標志著今后國內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片,有望用上國產(chǎn)材料。
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  5G  

            ST將收購Norstel 55%股權(quán),擴大SiC器件供應(yīng)鏈

            • 意法半導體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB公司簽署協(xié)議,收購后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學分拆出來,開發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示,在交易完成之后,它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應(yīng)鏈,并為自己帶來一個重要的增長機會。
            • 關(guān)鍵字: ST  Norstel  SiC  

            碳化硅VS氮化鎵,寬禁帶半導體材料雙雄能否帶中國實現(xiàn)彎道超車?

            • 在現(xiàn)實世界中,沒有人可以和“半導體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷,但是你每天用的電腦,手機以及電視等等,都會用到半導體元件。半導體的重要性自不必說,今天我們來說一下半導體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分,那就是半導體材料。
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  

            第三代半導體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點?

            •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關(guān)注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢琒iC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
            • 關(guān)鍵字: 半導體  SiC  GaN  

            北汽新能源聯(lián)手羅姆半導體,推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

            •   11月30日,北汽新能源(北汽藍谷 600733)與羅姆半導體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書,并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌。    該聯(lián)合實驗室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實力的重要舉措,聯(lián)合實驗室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)。    近年來,以SiC為代表的第三代功率半導體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
            • 關(guān)鍵字: 北汽新能源  羅姆半導體  SiC  

            重磅推出碳化硅MOSFET ,基本半導體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

            •   11月4-7日,由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?;景雽w作為本次大會的金牌贊助商,重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品,反響熱烈?! ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會,IEEE PEAC 2018可謂大咖云集,來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞,美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授,中國工程院院
            • 關(guān)鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

            基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

            •   10月31日-11月2日,第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?;景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區(qū),展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?! ≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會,集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè),傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化,電子技術(shù)促進產(chǎn)業(yè)升級”為主題,共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展,共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會。 
            • 關(guān)鍵字: 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  
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            碳化硅(sic)介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)!
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