碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區(qū)
碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)
- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議
- 11月4-7日，由中國電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽?dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！ ∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì)，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個(gè)國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國電源學(xué)會(huì)理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展
- 10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽?dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！ ≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會(huì)，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會(huì)?！?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)
- 11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)?！ 〕鱿瘯?huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎(jiǎng)”
- 近日，從深圳市人力資源和社會(huì)保障局傳來喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎(jiǎng)”?！ ∩钲谑腥瞬挪畼藩?jiǎng)是由深圳市政府設(shè)立，旨在鼓勵(lì)企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎(jiǎng)對在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過程中作出貢獻(xiàn)的單位及個(gè)人給予表彰和獎(jiǎng)勵(lì)?！ 』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來自英
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CISSOID和泰科天潤（GPT）達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用
- 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開展研發(fā)項(xiàng)目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！ ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時(shí)，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
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國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體
- 4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研。 基本半導(dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片。 隨后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)?！ 壹呻娐樊a(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
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SiC將與IGBT或MOSFET共存
- 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
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重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)
- 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 科技部原副部長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)副主任、深圳第三代半
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碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析
- 碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！ ∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn)，考慮到成本效益，它
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