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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

            SiC MOSFET的橋式結構解析

            • 本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

            碳化硅MOSFET晶體管的特征

            • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

            SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

            • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

            SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較

            • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

            SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

            • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
            • 關鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

            SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

            • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  

            什么是碳化硅?SiC的特性和特征

            • 碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  

            ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

            • 意法半導體(ST)作為全球領先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領域,在2019年正式成立新能源車技術創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發(fā),滿足ASIL D等級?;贏utoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
            • 關鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

            ST第三代碳化硅技術問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用

            • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
            • 關鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

            躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和

            •   隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定,應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者,意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用,推出了有關氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產(chǎn)品,有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會,介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下,如何通過創(chuàng)新技術和推出新的產(chǎn)品系列,為世界控制碳排放做出貢獻?! ?jù)調(diào)查,工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%,就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
            • 關鍵字: 意法半導體  ST  碳化硅  氮化鎵  202203  

            Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC

            三安集成:碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”,湖南基地實現(xiàn)規(guī)模交付

            • 新年第一個月,中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗證,車規(guī)級二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”,湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前,各國都發(fā)布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車,拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化,日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率,在充電樁、車載充電
            • 關鍵字: 三安集成  碳化硅  車規(guī)產(chǎn)品  

            深化碳中和愿景下的中歐科技創(chuàng)新合作

            • 11月27日, 由中國科學技術協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦,由中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務中心、深圳市科學技術協(xié)會承辦、深圳市科技交流服務中心、深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創(chuàng)新中心執(zhí)行的“2021中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”專業(yè)論壇——“2021中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳隆重舉行。論壇上,來自國內(nèi)及英國、法國、比利時等國際知名的科學家、科技組織、科研院校、行業(yè)協(xié)會、半導體企業(yè)及投資機構等泛第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的代表參與大會,共同探討中歐第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展和應用現(xiàn)況及未來趨勢,并就如何深化“碳中和”目標
            • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  

            2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

            • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下,第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱,引領新一輪產(chǎn)業(yè)革命。“創(chuàng)新為基,創(chuàng)芯為本”,11月27日,2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕?;景雽w總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善,產(chǎn)品競爭力再度提升,將助力國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展,受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
            • 關鍵字: 第三代半導體  碳化硅  MOSFET  

            Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

            • 基礎半導體元器件領域的專家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管,正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措,旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件,重復反向峰值電壓為650V(VRRM),持續(xù)正向電流為10A(IF),旨在為功率轉(zhuǎn)換應用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝,使該系列
            • 關鍵字: Nexperia  碳化硅  SiC  二極管  
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            碳化硅!介紹

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