作為提供不間斷連接的關鍵,許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術,通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導體材料,越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數據中心,這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產品線負責人 David Snook 表示:“氮化鎵是提高功率密
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氮化鎵 GaN 電源管理
家用汽車早已邁入電氣時代,現如今汽車上的電器設備越來越多,汽車電源系統(tǒng)除了給發(fā)動機啟動電機、燈光、電動助力轉向等部件供電用電之外,還要滿足如多媒體影音系統(tǒng)、倒車雷達、手機充電、行車記錄儀、GPS導航儀等設備的用電要求。汽車電源系統(tǒng)一般是由發(fā)電機和蓄電池共同組成。早在汽車發(fā)展初期,電氣系統(tǒng)并未引入汽車產品,隨后因起動機的應用普及,汽車開始裝備了蓄電池,當時的電壓標準是6V。由于各類汽車電氣化設備得到大量應用6V系統(tǒng)所能提供的功率太低,無法滿足更多的“用電需求”,車載標準電壓就從6V提升到了12V。12V電壓
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PI 工業(yè) 新能源汽車 氮化鎵 功率開關
前10年一直在消費電子領域沖浪的氮化鎵(GaN)技術不斷創(chuàng)新發(fā)展,近兩年來逐漸在汽車、數據通信以及其他工業(yè)應用等行業(yè)嶄露頭角。氮化鎵應用不斷擴充消費領域一直是原始設備制造商(OEM)采用GaN的主要驅動力,其中電力設備市場為主流市場,快速充電器為主要應用,此外還包括一些音頻設備等。借助GaN,智能手機制造商可以制造尺寸更小且性價比更高的充電器。目前市場上大多數基于GaN的充電器都在65W左右或以下,業(yè)界表示這是性價比的“最佳點”。但是,隨著市場對于更高功率的需求,智能手機快速充電器的目標功率高于75的新趨
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汽車 工業(yè) 氮化鎵
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件,兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC,如上期所介紹的,英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利;而松下在這一技術方向下也是申請了不少專利,其中就包括采用RC電路的負壓關斷方案。松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件,兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產品。對于其柵極驅動IC,如上期所介紹的,英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利;而松下在這一技術方向下也是申請了不
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氮化鎵 松下
Transphorm拓展中國區(qū)業(yè)務,擴大氮化鎵應用實驗室大中華區(qū)新增辦事處提升服務亞太區(qū)域電力電子客戶的能力 加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. 宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE),Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作,另外,該辦事處將作為當地支持客戶開發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室,并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm
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Transphorm 氮化鎵
加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(yè)(WFOE),Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支持、銷售和市場營銷工作,另外,該辦事處將作為當地支持客戶開發(fā)氮化鎵電源系統(tǒng)的應用實驗室,并同時支持全球研發(fā)工作。深圳辦事處將由Transphorm現任亞洲銷售副總裁Kenny Yim管理,他同時也擔任中國區(qū)總經理一職。Trans
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Transphorm 氮化鎵
未來已來,氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合,隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件的有效保護,完美展現了氮化鎵在先進應用中高效率低損耗的核心價值,讓工程師放心無憂采用氮化鎵。 普通消費者了解并接受氮化鎵,是從2018年氮化鎵PD快充開始的。憑借氮化鎵卓越的開關特性,可以高頻工作,實現高轉換效率,氮化鎵PD快充成功實現了小型化和輕量化,消費者易于攜帶,用戶體驗大幅度提升。在過去
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氮化鎵 納芯微 隔離驅動器
德國時間2022年11月15日,Power Integrations亮相德國慕尼黑電子展,并推出了新款可編程、小巧及高效的零電壓開關電源IC——InnoSwitch4-Pro產品系列。了解PI產品的讀者肯定會記得,在上一代系列產品InnoSwitch3-Pro中,輸出功率為65W,適用于包括USB功率傳輸(PD)3.0 + PPS、Quick Charge? 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP,以及其他工業(yè)和消費類電池充電器、可調光LED鎮(zhèn)流器驅
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德國慕尼黑電子展 開關電源IC 氮化鎵 InnoSwitch4-Pro
11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產業(yè)鏈領先企業(yè)的講師親臨現場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括:開幕演講,化合物半導體與光電及通訊,寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經歷風雨,怎么能
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碳化硅 氮化鎵 InP
宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET,讓高功率密度應用實現更高的性能和更小的解決方案,包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器,以及電機驅動器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領域的全球領導者,新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件,用于電動工具和機器人的電機驅動器、用于工業(yè)應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
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EPC 氮化鎵 高功率密度
前言 最近充電頭網拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品,該方案是為配合工信部國產替代政策而設計?! ≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿?,方形,給人簡約時尚感覺;其內部采用卡扣散熱設計方案,裝配緊湊牢固、安裝方式簡單,免除其它散熱方案所需要的生產夾具,降低生產成本,利于規(guī)?;纳a制造;再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產品,使得系統(tǒng)的熱可靠性大為提高,已經通過了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來詳細了解該方案?! ∧苋A65W快充外觀 能華
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拆解 筆電 充電器 氮化鎵
NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進行簡化 VCC 管理零件計數減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路,以確保恒定輸出電流限制,無論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR)專有波谷鎖定電路,以確保穩(wěn)定的波谷切換,當下降到第6
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onsemi 電源轉換 NCP1345 氮化鎵
現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
硅材料制作的功率器件,也被稱為第一代半導體,而砷化鎵(GaAs)等材料制作的功率器件,則被成為第二代半導體,第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件,通常用于射頻應用。氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)器件也被成為第三代半導體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降,轉換效率高,也更適應高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比,GaN材料電子飽和漂移速率更高,適合高頻率應用場景,因而在電力電子應用中,GaN器件可以在MHz以上頻率工作,大大減小了對外圍電路中電
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貿澤電子 快充技術 氮化鎵
氮化鎵介紹
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