晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器

場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求 ...
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應(yīng) 晶體管放大器

晶體管放大器結(jié)構(gòu)原理圖解

晶體管放大器結(jié)構(gòu)原理圖解功率放大器的作用是將來(lái)自前置放大器的信號(hào)放大到足夠能推動(dòng)相應(yīng)揚(yáng)聲器系統(tǒng)所需 ...
關(guān)鍵字：晶體管放大器

晶體管輸出系列防爆傳感器的放大器

此單元被用來(lái)放大NAMUR型傳感器的信號(hào)，靜態(tài)輸出可達(dá)到可靠的高開(kāi)關(guān)頻率，LED顯示兩個(gè)輸出狀態(tài)，輸出有短路和反極 ...
關(guān)鍵字：晶體管防爆傳感器放大器

微波晶體管放大器分析與設(shè)計(jì)

本書(shū)從介紹二端口網(wǎng)絡(luò)的各種常規(guī)矩陣參數(shù)入手，引出了用戶射頻到微波頻段(10MHZ-20GHZ)最有效的散射參數(shù)系統(tǒng)( ...
關(guān)鍵字：高微波晶體管放大器

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流

克服嵌入式CPU性能瓶頸

過(guò)去幾年，采用多線程或多內(nèi)核CPU的微處理器架構(gòu)有了長(zhǎng)足的發(fā)展?，F(xiàn)在它們已經(jīng)成為臺(tái)式電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置，并且在 ...
關(guān)鍵字：晶體管功耗時(shí)鐘頻率漏電流

深入淺出常用元器件系列——BJT

現(xiàn)在IC技術(shù)日新月異，無(wú)論是擬電路還是數(shù)字電路都在高度集成化。十幾年前由電視同收音機(jī)等設(shè)備里面那種密密麻麻的三極管放大電路已經(jīng)不見(jiàn)蹤影，三極管在電路里面的重要性也在逐漸降低，但做為IC電路的基本組成單元，掌握晶體管的相關(guān)知識(shí)，對(duì)電路的理解將會(huì)有相當(dāng)大的不同。
關(guān)鍵字：數(shù)字電路晶體管 BJT 放大電路

世界首款碳納米晶體管電腦芯片問(wèn)世

斯坦福大學(xué)發(fā)布了首款由碳納米晶體管組成的電腦芯片。硅晶體管早晚會(huì)走到道路的盡頭。晶體管越做越小，以至于 ...
關(guān)鍵字：碳納米晶體管電腦芯片

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供高功率性能

致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。
關(guān)鍵字：美高森美晶體管 RF

【技術(shù)視點(diǎn)】開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)原理及全過(guò)程

LED開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)原理及全過(guò)程如下：一、概論開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的...
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 PWM 晶體管

美研發(fā)世界首臺(tái)碳納米晶體管計(jì)算機(jī)

　　英國(guó)學(xué)術(shù)雜志《自然》報(bào)道，斯坦福大學(xué)研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出了全球首臺(tái)基于碳納米晶體管技術(shù)的計(jì)算機(jī)，并已經(jīng)成功測(cè)試運(yùn)行，這表明人類未來(lái)在開(kāi)發(fā)新型電腦設(shè)備時(shí)有望擺脫對(duì)硅晶體技術(shù)的依賴。　　斯坦福大學(xué)項(xiàng)目研究小組出版論文聯(lián)合作者M(jìn)axShulaker說(shuō)：“這是人類利用碳納米管生產(chǎn)的最復(fù)雜的電子設(shè)備。關(guān)于納米技術(shù)有非常多極具創(chuàng)意的應(yīng)用，但人們從未想過(guò)該技術(shù)能夠以如此實(shí)際、實(shí)用的方式被利用?！? 　　MaxShulaker團(tuán)隊(duì)研發(fā)的首臺(tái)納米電腦僅采用了178個(gè)晶體管，不過(guò)該設(shè)備只能運(yùn)
關(guān)鍵字：碳納米晶體管

如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù),本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥?lái)數(shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時(shí)
關(guān)鍵字：氮化鎵晶體管

中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

　　根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)發(fā)明將有助于我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù)，讓中國(guó)的芯片設(shè)計(jì)和制造能力在國(guó)際上去的更多的話語(yǔ)權(quán)。　　負(fù)責(zé)該項(xiàng)目的復(fù)旦大學(xué)教授王鵬飛說(shuō)：“國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國(guó)外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管的成功研制將有助我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片
關(guān)鍵字：晶體管芯片制造

Mouser供貨全球最小的ROHM晶體管

Mouser Electronics宣布供貨市場(chǎng)上最小的晶體管封裝，該產(chǎn)品來(lái)自ROHM Semiconductor公司，專門針對(duì)緊湊的薄型便攜式設(shè)備而優(yōu)化。
關(guān)鍵字： Mouser ROHM 晶體管

Diodes推出行業(yè)最小雙極型晶體管實(shí)現(xiàn)更小巧便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業(yè)首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號(hào)雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2，離板厚度僅0.4mm，面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
關(guān)鍵字： Diodes 晶體管 DFN0806-3

共399條 11/27 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]