意法半導(dǎo)體文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

Metalenz和意法半導(dǎo)體首創(chuàng)光學(xué)超表面技術(shù)metasurface，瞄準(zhǔn)消費(fèi)電子設(shè)備

率先實(shí)現(xiàn)元鏡（meta-optics）商用的公司Metalenz與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體( (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)宣布，2021 年 6 月披露的雙方將合作開發(fā)的元鏡現(xiàn)已上市。作為該備受矚目的技術(shù)首秀，意法半導(dǎo)體剛剛發(fā)布的 VL53L8 直接飛行時(shí)間 (dToF) 傳感器已搭載這一突破技術(shù)隆重登場。Metalenz的元鏡技術(shù)是哈佛大學(xué)的科研成果，可以替代現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的多鏡片鏡頭。在嵌入一顆元鏡后，3D 傳感器模塊大
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意法半導(dǎo)體新NFC讀取器加快支付和消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的 ST25R3916B-AQWT 和ST25R3917B-AQWT NFC Forum讀取器芯片輸出功率大，能效高，價(jià)格具有競爭力，支持 NFC 發(fā)起設(shè)備、目標(biāo)設(shè)備、讀取和卡模擬四種模式，目標(biāo)應(yīng)用包括非接支付、設(shè)備配對(duì)、無線充電、品牌保護(hù)以及其他工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。新器件引入了靈活性更高的主動(dòng)波形整形 (AWS)改進(jìn)技術(shù)，可以簡化射頻輸出調(diào)整過程，方便優(yōu)化過沖和下沖問題。射頻調(diào)整操作非常容易，先在支持的圖形界面軟件上修改寄存器設(shè)置，然后再用示波器進(jìn)行快速驗(yàn)證。這項(xiàng)技術(shù)簡化了EMVCo 3.1a和
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意法半導(dǎo)體推出首款集成在一個(gè)封裝中的硅基驅(qū)動(dòng)器和GaN晶體管

　　瑞士意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出了MasterGaN，是第一個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片以及一對(duì)氮化鎵（GaN）晶體管的平臺(tái)。這個(gè)集成化的解決方案將加速下一代緊湊高效的充電器和電源適配器的開發(fā)，并用于高功率電子和工業(yè)應(yīng)用?！　∫夥ò雽?dǎo)體（ST）表示，其MasterGaN方法可縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并確保了預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡單、電路組件更少、系統(tǒng)可靠性更高。據(jù)估計(jì)，借助GaN技術(shù)和ST的集成產(chǎn)品，充電器和適配器將比普通硅基解決方案的尺寸縮小80％，將重量減少70％?！?/li>
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巨頭搶灘第三代半導(dǎo)體

長期以來，英飛凌、意法半導(dǎo)體等功率半導(dǎo)體Top級(jí)廠商更多的產(chǎn)品是硅基器件，如硅基IGBT、硅基MOSFET等，隨著5G、新能源汽車等一系列技術(shù)迭代和市場需求推動(dòng)之下，第三代半導(dǎo)體憑借各自高頻、高壓等優(yōu)...延續(xù)了一年的第三代半導(dǎo)體發(fā)展熱潮并未止息，多家功率半導(dǎo)體國際巨頭競相在公布2022年財(cái)報(bào)前后宣布了新建工廠計(jì)劃。如Infineon（英飛凌）、STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）都表示將在全球不同國家建設(shè)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相關(guān)工廠。雖然在目前階段來看，碳化硅的應(yīng)用和技術(shù)發(fā)展
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意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司（那斯達(dá)克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。早期世代的射頻功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Laterally-Diffused Metal
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意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對(duì)SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會(huì)更昂貴。目前，意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1

合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會(huì)從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運(yùn)營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?

日前，意法半導(dǎo)體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體滿足高效能、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無線充電和伺服器。　　本合作計(jì)劃之重點(diǎn)是在200mm晶圓上開發(fā)和驗(yàn)證制造先進(jìn)硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預(yù)測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復(fù)合成長率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計(jì)劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預(yù)計(jì)在2019年完成可供
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破

產(chǎn)品達(dá)到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進(jìn)入認(rèn)證測試階段實(shí)現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作,在下一代電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動(dòng)汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開發(fā)成果。采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的 SiC 功率半導(dǎo)體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動(dòng)汽車牽引驅(qū)動(dòng)的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價(jià)值 1
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
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意法半導(dǎo)體和亞馬遜云科技合作開發(fā)安全的物聯(lián)網(wǎng)AWS云連接方案

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)?與ST授權(quán)合作伙伴亞馬遜云科技(Amazon Web Services，簡稱AWS)?合作開發(fā)出一款獲得AWS FreeRTOS?認(rèn)證的基于?TF-M?的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上云參考設(shè)計(jì)，讓物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備輕松、安全地連接到?AWS?云端。AWS?物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備總經(jīng)理?Dave Kranzler表示：“
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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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意法半導(dǎo)體單片數(shù)字電源控制器簡化LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì),提高設(shè)計(jì)靈活性

意法半導(dǎo)體的STNRG012是一款高集成度且節(jié)省空間的數(shù)字電源控制器，具有先進(jìn)的失真抑制功能，是開發(fā)LED 照明應(yīng)用的理想解決方案。該器件集成一個(gè)多模功率因數(shù)校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動(dòng)電路，以及管理這三個(gè)模塊的數(shù)字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續(xù)電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動(dòng)態(tài)切換，以實(shí)現(xiàn)最佳能效。半橋控制器執(zhí)行意法半導(dǎo)體的時(shí)移控制 (TSC)專利技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)精確的軟開關(guān)操作。STNRG012的最高輸入電壓為305VAC，還支持直流工作電源，目標(biāo)應(yīng)用是最高300W的
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意法半導(dǎo)體推出新全局快門圖像傳感器，讓駕駛員監(jiān)控安全系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)又可靠

2022年5月16日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)全局快門圖像傳感器，助力車企提高汽車安全性。
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意法半導(dǎo)體介紹

公司概況　　意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一，2006年全年收入98.5億美元，2007年前半年公司收入46.9億美元。　　公司銷售收入在半導(dǎo)體工業(yè)五大高速增長市場之間分布均衡（五大市場占2007年銷售收入的百分比）：通信（35%），消費(fèi)（17%），計(jì)算機(jī)（16%），汽車（16%），工業(yè)（16%）。　　據(jù)最新的工業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，意法半導(dǎo)體是全球第五大半導(dǎo)體廠商，在很多市場居世界領(lǐng)先水平 [ 查看詳細(xì) ]