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封裝技術(shù)
封裝技術(shù) 文章 進(jìn)入封裝技術(shù)技術(shù)社區(qū)
IC封測(cè)業(yè)新時(shí)代到來(lái)
- 近日，日月光研發(fā)中心的首席運(yùn)行官何明東在接受媒體采訪時(shí)表示，隨著許多新的封裝技術(shù)導(dǎo)入以滿足市場(chǎng)需要，日月光（ASE）相信全球IC封裝測(cè)試業(yè)的新時(shí)代已經(jīng)到來(lái)，各種IC封裝型式的呈現(xiàn)將更加促使產(chǎn)業(yè)間加強(qiáng)合作。 隨著摩爾定律緩慢地于2014年向16納米工藝過(guò)渡，與之前5至10年相比較，由于終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)的需求，IC封裝的型式急劇增加，在過(guò)去的5年中己有4至5倍數(shù)量的增加，相信未來(lái)的5年將繼續(xù)增長(zhǎng)達(dá)10倍。隨著IC封裝業(yè)的新時(shí)代到來(lái)肯定會(huì)給工業(yè)帶來(lái)巨大的商機(jī)。 2000年ASE認(rèn)為倒裝技術(shù)（fl
- 關(guān)鍵字： IC 封測(cè) 倒裝芯片 封裝技術(shù) ASE
構(gòu)建塊狀易于封裝的電源供電設(shè)計(jì)
- 基于iPOWIR的功率塊通過(guò)在單個(gè)BGA封裝中包含所有的功率場(chǎng)效應(yīng)管、驅(qū)動(dòng)器和無(wú)源器件簡(jiǎn)化了這樣的設(shè)計(jì)。專用...
- 關(guān)鍵字： DC 場(chǎng)效應(yīng)管 功率 封裝技術(shù) 供電設(shè)計(jì) 電源 PWM控制 電流場(chǎng) HEXFETTM iPOWIRTM
IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)
- IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。 DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
- 關(guān)鍵字： DirectFET IR 電源技術(shù) 封裝技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
封裝技術(shù)介紹
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例，我們實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌，而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
封裝對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)是必須的，也是至關(guān)重要的。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮 [ 查看詳細(xì) ]
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