存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

丁文武談存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展：要舍得持續(xù)投資

　　12月9日下午消息在今天召開(kāi)的“2016中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)”上，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武在發(fā)言中表示，中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)跟全球相比還有很大的差距，尤其在存儲(chǔ)芯片方面差距更大。　　“2015年我國(guó)集成電路進(jìn)口額達(dá)到2307億美元，其中存儲(chǔ)器進(jìn)口占比達(dá)到的1/4。中國(guó)有這么大的存儲(chǔ)市場(chǎng)，如何發(fā)展中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，這是擺在產(chǎn)業(yè)界最大的課題。”丁文武說(shuō)，“我們一直在呼吁要把存儲(chǔ)器作為國(guó)家戰(zhàn)略，因?yàn)橹袊?guó)有這么大的市場(chǎng)需求;從信息安全、產(chǎn)業(yè)
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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域發(fā)展成“三足鼎立”之勢(shì)

合肥、北京、福建中國(guó)大陸有關(guān)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸形成三股力量，并正在發(fā)展之中。
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長(zhǎng)率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起將改變?nèi)虍a(chǎn)業(yè)版圖

　　南韓兩大半導(dǎo)體廠Samsung與SKHynix共組半導(dǎo)體希望基金，資金規(guī)模約2000億韓元(約55億元新臺(tái)幣)，顯示南韓亟欲凸顯且擴(kuò)大其在全球記憶體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力與影響力。　　不過(guò)半導(dǎo)體希望基金規(guī)模不大，預(yù)期重點(diǎn)不在建置新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能，而是鎖定技術(shù)研發(fā)，特別是DRAM、NANDFlash、行動(dòng)記憶體、新興記憶體等產(chǎn)品的研發(fā)。　　南韓半導(dǎo)體國(guó)家隊(duì)的成軍，主要是反映大陸記憶體即將崛起的壓力。記憶體行業(yè)已成為大陸官方投資的重要方向，企圖實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的局面。大陸記憶體產(chǎn)業(yè)奠定在當(dāng)?shù)匦枨罂焖僭鲩L(zhǎng)的基礎(chǔ)，以
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[ARM筆記](méi)內(nèi)存管理單元地址變換過(guò)程

　　1. 地址的分類　　以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運(yùn)行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況:　　1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過(guò)了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中;　　2)多任務(wù)系統(tǒng)中有很多程序需要同時(shí)運(yùn)行,它們要求的內(nèi)存空間超過(guò)了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中?！　?shí)際上，一個(gè)程序在運(yùn)行前，沒(méi)有必要全部裝入內(nèi)存，而僅需要將那些當(dāng)前要運(yùn)行的部分先裝入內(nèi)存，其余部分在用到的時(shí)候再?gòu)拇疟P(pán)調(diào)入，而當(dāng)內(nèi)存耗光時(shí)，再將暫時(shí)不用的部分調(diào)出到磁盤(pán)。這使得一個(gè)大程序可以在較小的內(nèi)存空間
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3大理由看透快閃存儲(chǔ)器明年前景

今年的低基期襯托出明年的高成長(zhǎng)，對(duì)明年快閃記憶體的需求增長(zhǎng)有明顯的幫助。
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說(shuō)明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營(yíng)壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場(chǎng)需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長(zhǎng)平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說(shuō)明，由于大陸智能手機(jī)對(duì)于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢(shì)。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
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高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開(kāi)發(fā)板）

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（AlteraFPGA開(kāi)發(fā)板）如下圖所示：
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異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（Altera FPGA開(kāi)發(fā)板）

異步SRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)（AlteraFPGA開(kāi)發(fā)板）如圖所示：
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東芝擬投資800億新建3D Flash專用廠房

　　東芝(Toshiba)8日發(fā)布新聞稿宣布，為了增產(chǎn)3D Flash Memory，將在四日市工廠內(nèi)興建新廠房“第6廠房(Fab 6)”。東芝指出，該座新廠房將作為3D Flash專用廠房，將分2期工程興建，其中第1期工程將在2017年2月動(dòng)工、并預(yù)計(jì)于2018年夏天完工。　　東芝指出，關(guān)于上述新廠房具體的設(shè)備導(dǎo)入、開(kāi)始生產(chǎn)時(shí)間，以及產(chǎn)能、生產(chǎn)計(jì)劃等細(xì)節(jié)，將待今后評(píng)估市場(chǎng)動(dòng)向之后再?zèng)Q定，且和西數(shù)(Western Digital，“WD”)進(jìn)行協(xié)商后，雙
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中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè) 觸動(dòng)了韓國(guó)的神經(jīng)？

中國(guó)作為一個(gè)制造大國(guó)和電子設(shè)備消費(fèi)大國(guó)，對(duì)于存儲(chǔ)的渴求是前所未有的，過(guò)去幾年內(nèi)中國(guó)正在大舉發(fā)展半導(dǎo)體，密集的推出相關(guān)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)園布局和建設(shè)，雖然大力發(fā)展存儲(chǔ)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)巨大，但對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)的重要性是毋庸置疑的，因此多艱難也要砥礪前行。
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存儲(chǔ)器EM原理圖

存儲(chǔ)器EM原理圖存儲(chǔ)器EM的地址可以選擇由PC或MAR提供。當(dāng)讀取EM中的指令時(shí)，其地址由PC提供；當(dāng)讀取EM中的操作數(shù)時(shí)，其地址由MAR提供。5、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與步驟（1）、按照表2-12連線。表2-12存儲(chǔ)器EM...
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微程序存儲(chǔ)器uM的原理圖

微程序存儲(chǔ)器uM在微程序控制器中存放實(shí)現(xiàn)全部指令系統(tǒng)的微程序。在COP2000實(shí)驗(yàn)儀中，微程序存儲(chǔ)器uM由三片6116RAM構(gòu)成，共24位微指令。這三片6116RAM經(jīng)過(guò)“位擴(kuò)展”連接在一起，構(gòu)成的微程序存儲(chǔ)器uM存儲(chǔ)器的容量為25...
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IC設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)器搶搭自駕車(chē)風(fēng)潮

　　隨著一線車(chē)廠全力搶進(jìn)開(kāi)發(fā)自駕車(chē)，車(chē)用晶片商機(jī)快速成長(zhǎng)，雖然核心的高速運(yùn)算或人工智慧處理器主要是由國(guó)際大廠開(kāi)發(fā)，但以整車(chē)的概念來(lái)看，也是需要其它元件支援及搭配。因此，包括聯(lián)發(fā)科、瑞昱、原相、凌陽(yáng)、偉詮電等IC設(shè)計(jì)廠已著手布局，國(guó)內(nèi)記憶體廠如華邦電、宜鼎、創(chuàng)見(jiàn)等也推出車(chē)規(guī)模組爭(zhēng)取訂單。　　目前全球車(chē)廠都十分關(guān)注自駕車(chē)的發(fā)展，但是自駕車(chē)的系統(tǒng)仍不成熟，所以，車(chē)廠現(xiàn)階段為了提升新車(chē)款的安全性及功能性，主要仍以搭載先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)為主，并希望能透過(guò)ADAS系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行深度學(xué)習(xí)，最后再交由新一代具人
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]