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存儲“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場現(xiàn)狀

國內(nèi)大力扶持存儲，各種巨額的投資項目爭議不小，但是為了存儲自主的未來，也值。
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中國在存儲器長遠發(fā)展方向仍然面臨巨大鴻溝

　　中國正急于建立自己的記憶體業(yè)務(wù)，這一點當然毋庸置疑。不過到底要如何以及何時才能實現(xiàn)這一愿景卻仍舊是個跡，日本的幾位半導(dǎo)體行業(yè)知情人士在接受采訪時指出。　　中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金擁有雄厚的財力，而這筆由地方政府主導(dǎo)的經(jīng)濟資源將被用于幫助中國的“記憶體夢”一步步成為現(xiàn)實。　　不過拋開主觀愿望，中國要想真正建立屬于自己的記憶體產(chǎn)業(yè)，還需要可靠的知識產(chǎn)權(quán)來源與工程技術(shù)人才。　　中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠，旨在制造3D NAND閃存記憶體
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4000億能砸出中國存儲器產(chǎn)業(yè)嗎？

在國家意志的推動下，中國存儲企業(yè)大多是不差錢的主，完全可以在沒有后顧之憂的情況下，砸出工藝，暴出產(chǎn)能，在如此力度的政策、資金扶持下，武漢新芯、紫光等中國企業(yè)能重演京東方在面板產(chǎn)業(yè)的逆襲么？
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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武漢新芯存儲器芯片工廠動土追趕三星不被看好

中國正在打造世界級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，砸240億美元巨資，以“國家隊”力量來“彎道超車”！用錢可以砸出來國家隊，但是技術(shù)還得靠自己。
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老杳:武漢240億美元造芯,難以置信的滿堂彩

　　今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一個：投資240億美元的武漢新芯NAND Flash項目正式啟動。　　自從國家頒布集成電路產(chǎn)業(yè)扶植政策，投資存儲器風潮開始風起云涌，不僅攪得臺灣業(yè)界混亂不堪，也讓全世界為之矚目。　　雖然國外同行大都對大陸投入巨資發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)持懷疑態(tài)度，眾多本土地方領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)界高管、專家甚至媒體卻一致贊成，好像只要有錢，大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)唾手可得。　　合肥請來前爾必達CEO要做存儲器，廈門請來前爾必達CTO要做存儲器(目前廈門已經(jīng)放棄)，紫光雖然放棄入股西部數(shù)據(jù)，從入股力成、南
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聚集全球資源總投資240億美元

　　3月28日，總投資240億美元(約1600億人民幣)的存儲器基地項目在武漢東湖高新區(qū)正式啟動?！　∵@是國家發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略部署。2014年，國家頒布實施《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進剛要(2015-2025)》，制訂了今后10年發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略部署，同期成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。2015年發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略?！　?jù)介紹，這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)于測試、銷售于一體?！　〈鎯ζ魇切畔⑾到y(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。該項
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IDM模式是存儲器產(chǎn)業(yè)最佳選擇?

　　“他山之石可以攻玉。”借鑒日韓以及我國臺灣地區(qū)的經(jīng)驗，可以更好地探索出一條適宜中國大陸當前發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的路徑——抓住重大技術(shù)變革機遇期，在打造龍頭骨干IDM企業(yè)的同時，也不應(yīng)放松存儲業(yè)生態(tài)集群的培育。　　產(chǎn)業(yè)面臨技術(shù)革新機遇　　過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀80年代存儲產(chǎn)業(yè)重心從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，90年代從日本轉(zhuǎn)移到韓國。　　目前，從事DRAM生產(chǎn)開發(fā)的企業(yè)不下40家，但是這個行業(yè)一直都處于不斷兼并重組之
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兆易創(chuàng)新：存儲器MCU設(shè)計專家

　　北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司是SPI NOR FLASH領(lǐng)域全球主流的Fabless供應(yīng)商。公司成立于2005年4月，總部設(shè)于中國北京，在中國大陸與臺灣地區(qū)、韓國、美國、英國、日本等多個國家和地區(qū)設(shè)有分支機構(gòu)，營銷網(wǎng)絡(luò)遍布全球，提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務(wù)。公司致力于各類高速和低功耗存儲器(NOR/NAND Flash)、微控制器(MCU)系列產(chǎn)品的設(shè)計研發(fā)，并以“高技術(shù)、低功耗、優(yōu)成本”的特性領(lǐng)先于全球同類產(chǎn)品，被美國EETimes機構(gòu)評選為全球最熱門半導(dǎo)體初創(chuàng)公司60強，并
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新開發(fā)超導(dǎo)存儲器讀寫速度提升100倍

　　俄羅斯的科學(xué)家開發(fā)出一種超導(dǎo)記憶體單元的控制系統(tǒng)，只需不到1奈秒(ns)的時間，就能實現(xiàn)較當今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)與莫斯科國立大學(xué)(Moscow State Univeristy)的科學(xué)家在最近一期的《應(yīng)用物理快報》(Applied Physics Letters)中發(fā)表這項研究成果。　　這項理論性的研究成果預(yù)測在復(fù)雜的Josephson Junction超導(dǎo)元件中存在雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。建置這種元件可能需要進行超冷卻作業(yè)，使其無法真正落實
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存儲器龍頭還不夠　三星瞄向系統(tǒng)半導(dǎo)體王座

三星半導(dǎo)體事業(yè)也有潛在危機，比如大客戶蘋果轉(zhuǎn)投臺積電，然而三星的策略就是以對手跟不上的高附加價值產(chǎn)品克服困境。
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MRAM接班主流存儲器指日可待

　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題　　遺憾的是，實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠

　　日經(jīng)新聞報導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。　　新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計將在2018年正式動工、2019年投產(chǎn)。　　新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產(chǎn)能將擴增超過兩倍。　　此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進的3
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三星量產(chǎn)供手機使用的256GB快閃存儲器

　　256GB的UFS 2.0記憶體可用來存放47部高畫質(zhì)電影，還可流暢地播放Ultra HD影片　　 ? 　　你想要內(nèi)建容量高達256GB的智慧型手機嗎?三星電子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已開始量產(chǎn)全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式記憶體，將可應(yīng)用在新一代的高階智慧型手機。　　目前全球高階智慧型手機的內(nèi)建儲存容量最高都只到128GB，例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
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使用高速SRAM設(shè)計電池支持型存儲器

　　嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設(shè)計多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能。　　數(shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計人員可根據(jù)需要刪減接口和外設(shè)。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應(yīng)用數(shù)據(jù)塊
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]