臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
四大晶圓廠8寸晶圓均價(jià)對(duì)比
- 四大晶圓代工廠每片8寸約當(dāng)晶圓價(jià)格 根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，臺(tái)積電因?yàn)橥ǔ?8/20奈米等先進(jìn)制程訂單，今年每片8寸約當(dāng)晶圓平均營收達(dá)1,328美元，不僅較去年的 1,273美元成長4.3%，比格羅方德(GlobalFoundries)高出27%，也較聯(lián)電高出42%。報(bào)告也預(yù)估，臺(tái)積電60%營收來自于45奈米以下先進(jìn)制程，顯示先進(jìn)制程是推升晶圓代工營收及獲利成長的主要?jiǎng)幽堋? 根據(jù)IC Insights的預(yù)估，2014年晶圓代工市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，包括臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電、中
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臺(tái)積電明年第二季度量產(chǎn)16nm制造工藝
- 日前，臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露，將于2015年第二季度或第三季度初量產(chǎn)16nm FinFET制造工藝，從而成為僅次于Intel 14nm的最先進(jìn)制造技術(shù)。據(jù)悉，尋求臺(tái)積電代工的客戶已經(jīng)超過60家，而蘋果的下一代移動(dòng)處理器A9就將采用這種工藝。臺(tái)積電另一位聯(lián)席CEO劉德音(音譯)爆料稱，該公司將于2015年完成10nm工藝的流片，2016年投入商業(yè)性量產(chǎn)，目前已有10位客戶參加了10nm工藝的研發(fā)。 不過，考慮到臺(tái)積電在今年初才開始量產(chǎn)20nm工藝，如果上述計(jì)劃落實(shí)，那么其將實(shí)現(xiàn)連續(xù)
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傳臺(tái)積電已簽協(xié)議：為新iPad量產(chǎn)A8X芯片
- 據(jù)臺(tái)灣媒體Digitimes報(bào)道，蘋果已經(jīng)同臺(tái)積電簽署量產(chǎn)協(xié)議，后者將會(huì)生產(chǎn)用于新一代iPad上的A8X芯片，該芯片將采用20nm工藝制造。 傳臺(tái)積電已簽協(xié)議：為新iPad量產(chǎn)A8X芯片 媒體援引消息源稱，A8X采用同A8芯片(用于iPhone6和iPhone6Plus)相同的20納米制程，不過A8X芯片的面積要對(duì)比前代要大，可能為幫助臺(tái)積電創(chuàng)造潛在的收益率。臺(tái)灣TechNews媒體從不同渠道也證實(shí)了這條消息。 最近曝光的A8X芯片極有可能會(huì)率先裝載在iPadAir2上。
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傳臺(tái)積電已簽協(xié)議：為新iPad量產(chǎn)A8X芯片
- 據(jù)臺(tái)灣媒體Digitimes報(bào)道，蘋果已經(jīng)同臺(tái)積電簽署量產(chǎn)協(xié)議，后者將會(huì)生產(chǎn)用于新一代iPad上的A8X芯片，該芯片將采用20nm工藝制造。 傳臺(tái)積電已簽協(xié)議：為新iPad量產(chǎn)A8X芯片 媒體援引消息源稱，A8X采用同A8芯片(用于iPhone6和iPhone6Plus)相同的20納米制程，不過A8X芯片的面積要對(duì)比前代要大，可能為幫助臺(tái)積電創(chuàng)造潛在的收益率。臺(tái)灣TechNews媒體從不同渠道也證實(shí)了這條消息。 最近曝光的A8X芯片極有可能會(huì)率先裝載在iPadAir2上。
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Cadence IP組合和工具支持臺(tái)積電新的超低功耗平臺(tái)
- 全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布其豐富的IP組合與數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)工具可支持臺(tái)積電全新的超低功耗(ULP)技術(shù)平臺(tái)。該ULP平臺(tái)涵蓋了提供多種省電方式的多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，以利于最新的移動(dòng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的低功耗需求。 為加速臺(tái)積電超低功耗平臺(tái)的技術(shù)發(fā)展，Cadence將包括存儲(chǔ)器、接口及模擬功能的設(shè)計(jì)IP遷移到此平臺(tái)。使用Cadence TensilicaÒ數(shù)據(jù)平面處理器，客戶可以從超低功耗平臺(tái)受益于各種低功耗DSP應(yīng)用，包括影像、永遠(yuǎn)在線的語音、面部識(shí)
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Cadence為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合
- 全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統(tǒng)和芯片公司在16納米FF+的先進(jìn)制程上相比于16納米FF工藝，獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節(jié)約。 目前在開發(fā)16 FF+工藝的過程中，Cadence的IP產(chǎn)品組合包括了在開發(fā)先進(jìn)制程系統(tǒng)單芯片中所需的多種高速協(xié)議，其中包括關(guān)鍵的內(nèi)存、存儲(chǔ)和高速互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。IP將在2014年第四季度初通過測(cè)試芯片測(cè)試。有關(guān)IP
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Cadence數(shù)字與定制/模擬工具通過臺(tái)積電16FF+制程的認(rèn)證，并與臺(tái)積電合作開發(fā)10納米FinFET工藝
- 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布，其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(Design Rule Manual，DRM) 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。目前16FF+ V1.0認(rèn)證正在進(jìn)行中，計(jì)劃于2014年11月實(shí)現(xiàn)。Cadence也和臺(tái)積電合作實(shí)施了16FF+ 制程定制設(shè)計(jì)參考流程的多處改進(jìn)。此外，Cadence也
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臺(tái)積電采用Cadence的16納米FinFET單元庫特性分析解決方案
- 全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司，今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence®16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。由Cadence和臺(tái)積電共同研發(fā)的單元庫分析工具設(shè)置已在臺(tái)積電網(wǎng)站上線，臺(tái)積電客戶可以直接下載。該設(shè)置是以Cadence Virtuoso® Liberate® 特性分析解決方案和Spectre® 電路模擬器為基礎(chǔ)，并涵蓋了臺(tái)積電標(biāo)準(zhǔn)單元的環(huán)境設(shè)置和樣品模板。 利用本地的Spectre API整合方案，Liberate和Spect
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臺(tái)積電16nm制程大熱：海思量產(chǎn) 蘋果試投
- 臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體(HiSilicon)成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片，設(shè)備廠透露，這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。 此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。 臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三星：幫海思量產(chǎn)，讓蘋果試投 臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三
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Mentor Graphics工具通過TSMC16nmFinFET+工藝制程認(rèn)證
- Mentor Graphics公司今日宣布，基于臺(tái)積電(TSMC)的SPICE仿真工具認(rèn)證程序，Analog FastSPICE (AFS™)平臺(tái)(包括AFS Mega及Eldo®)通過了16nm FinFET+V0.9工藝制程認(rèn)證。V1.0的認(rèn)證正在進(jìn)行中，將于2014年11月完成。 “Mentor的Analog FastSPICE平臺(tái)、AFS Mega和Eldo已成功達(dá)到16nm FinFET+技術(shù)的精度和兼容性要求。采用TSMC 16nm FinFET+技術(shù)
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海思量產(chǎn)，臺(tái)積16納米超前三星英特爾
- 臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的安謀(ARM)架構(gòu)網(wǎng)通處理器，設(shè)備廠透露，這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。 此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。 臺(tái)積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露，針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)
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臺(tái)積電產(chǎn)能擴(kuò)充急招2200人補(bǔ)充戰(zhàn)力
- 全球晶圓代工龍頭--臺(tái)積電周三稱，第四季將新聘2,200個(gè)工作職務(wù)，以因應(yīng)先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)充及技術(shù)發(fā)展需求。 臺(tái)積電的新聞稿中表示，本次征才以半導(dǎo)體制程工程師、設(shè)備工程師、技術(shù)研發(fā)(含IC設(shè)計(jì))工程師為主要招募對(duì)象。該公司整體薪酬包括本薪、獎(jiǎng)金及員工分紅，平均一位新進(jìn)碩士工程師全年度的整體薪酬約為26個(gè)月本薪規(guī)模。 臺(tái)積電周三收升0.41%報(bào)123臺(tái)幣，優(yōu)于臺(tái)股升0.15%。
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臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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