半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

國(guó)家鼓勵(lì)扶持芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資減免所得稅

　　3月31日消息，中國(guó)財(cái)政部、稅務(wù)總局近日公布最新的企業(yè)獎(jiǎng)勵(lì)優(yōu)惠政策“財(cái)稅2008一號(hào)文”，政策中規(guī)定中國(guó)內(nèi)地晶圓廠生產(chǎn)0.25微米工藝技術(shù)以下，可抵減15%的企業(yè)所得稅；同時(shí)投資超過(guò)15年，從獲利年度起的5年內(nèi)甚至可全免企業(yè)所得稅。這份最新的投資抵減規(guī)定，可望將扶持中國(guó)內(nèi)地成熟工藝晶圓廠生存，對(duì)向來(lái)傾向于消費(fèi)芯片市場(chǎng)的中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體，也是一大利多。　　最新的企業(yè)獎(jiǎng)勵(lì)優(yōu)惠政策“財(cái)稅2008一號(hào)文”文中指出，投資超過(guò)人民幣80億元，或半導(dǎo)體工藝技術(shù)在0.
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上海口岸外國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口中國(guó)勢(shì)頭迅猛

　　6月1日，上海海關(guān)的最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向中國(guó)轉(zhuǎn)移。　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，今年前四個(gè)月，上海口岸半導(dǎo)體設(shè)備一般貿(mào)易進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備四百四十三臺(tái)，增長(zhǎng)百分之五十點(diǎn)二；外商投資企業(yè)投資設(shè)備方式進(jìn)口一千二百四十七臺(tái)，增長(zhǎng)百分之十五點(diǎn)一。一般貿(mào)易進(jìn)口在數(shù)量上雖仍落后于外商投資設(shè)備進(jìn)口，但增速高出三十五點(diǎn)一個(gè)百分點(diǎn)。　　上海海關(guān)分析人士指出，一般貿(mào)易是中國(guó)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)消化的直接渠道，體現(xiàn)了中國(guó)有效承接國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)。　　今年前四個(gè)月，上海口岸自美國(guó)、歐盟和日本這三大經(jīng)濟(jì)體進(jìn)口半導(dǎo)
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Catalyst半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗8位I2C/SMBus總線I/O擴(kuò)展器

　　2008年5月30日訊，美國(guó)加州圣塔克拉拉市, 模擬、混合信號(hào)及非易失型內(nèi)存供貨商Catalyst半導(dǎo)體公司(美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼：CATS)繼續(xù)快速擴(kuò)展I/O總線產(chǎn)品線，新款CAT9534為基于I2C和SMBus接口的8位通用型輸入輸出(GPIO)擴(kuò)展器。CAT9534引腳和功能兼容Catalyst工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的CAT9554芯片，但是待機(jī)功耗降低了100倍，這是基于電池供電和致力于綠色節(jié)能系統(tǒng)的完美選擇。　　CAT9534可以為系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單和廉價(jià)的I/O擴(kuò)展能力，用于為系統(tǒng)增加如LED指示、控制按
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飛思卡爾利用超節(jié)能小型模擬降壓穩(wěn)壓器減輕便攜器件負(fù)荷

　　為幫助便攜設(shè)計(jì)工程師在市場(chǎng)上推出節(jié)能的小體積產(chǎn)品，飛思卡爾半導(dǎo)體在模擬組合中新增加MC34726/27 DC/DC降壓穩(wěn)壓器，以優(yōu)化具有空間限制的電池供電應(yīng)用。　　MC34726/27器件采用了飛思卡爾的SMARTMOS™技術(shù)。在那些將鋰離子或鋰聚合物電池作為電源的移動(dòng)應(yīng)用中，該技術(shù)能提高它們?cè)诘拓?fù)荷時(shí)的效率，并延長(zhǎng)備用時(shí)間。　　當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)降壓整流器的輸出負(fù)荷低時(shí)，大部分能量損耗變成開(kāi)關(guān)損耗。由于在低輸出活動(dòng)（如蜂窩電話備用）中使用了飛思卡爾重力模式架構(gòu)，MC34726/27降壓穩(wěn)壓器
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我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)半導(dǎo)體照明關(guān)鍵設(shè)備問(wèn)世

　　近日，由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家"863"半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目"氮化鎵-MOCVD深紫外LED 材料生長(zhǎng)設(shè)備"制造取得重大突破，研制成功我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、能夠同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備。　　據(jù)悉，該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功
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模擬半導(dǎo)體今年不會(huì)“冷” 速度更快功耗更低

　　最近有許多有關(guān)模擬方面的重大新聞，如美國(guó)開(kāi)始研究需要用無(wú)線的方式將電能傳輸?shù)降厍虻目罩刑?yáng)能的開(kāi)發(fā)利用，還有MEMS振蕩器取得了突破性進(jìn)展等等，這些都激勵(lì)我關(guān)注新的一年中模擬產(chǎn)品的發(fā)展趨向。雖然從各個(gè)方面?zhèn)鱽?lái)的信息來(lái)看，今年的半導(dǎo)體市場(chǎng)不怎么樂(lè)觀，但很多公司和預(yù)測(cè)機(jī)構(gòu)卻調(diào)高了對(duì)模擬半導(dǎo)體的預(yù)期，認(rèn)為今年的模擬IC將會(huì)獲得不俗的發(fā)展。這些趨勢(shì)似乎從大型IC廠商的行動(dòng)中也能尋得一點(diǎn)蛛絲馬跡，如，TI在前不久加大在模擬領(lǐng)域的研發(fā)投入和宣傳攻勢(shì)，ADI出售數(shù)字業(yè)務(wù)，而將經(jīng)歷集中于其核心的模擬業(yè)務(wù)。　　模擬
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STMicroelectronics聯(lián)姻中國(guó)大學(xué)為CMOS添磚加瓦

　　為進(jìn)一步加強(qiáng)和中國(guó)教育以及自主研發(fā)區(qū)域的聯(lián)系，半導(dǎo)體制造商STMicroelectronics和CMP(Circuits Multi Projects)宣布，今天他們將授權(quán)中國(guó)的大學(xué)，可以使用意法半導(dǎo)體的45納米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)制造工藝進(jìn)行原型設(shè)計(jì)，以作學(xué)術(shù)教學(xué)和科學(xué)研究之用。　　公司方面稱，這種模式在歐洲和北美的大學(xué)已經(jīng)取得了巨大的成功。現(xiàn)在也已經(jīng)有超過(guò)100所大學(xué)拿到了65-nm CMOS的基本制程和設(shè)計(jì)方案。　　而對(duì)于中國(guó)的研究組織和機(jī)構(gòu)來(lái)說(shuō)，這種模式結(jié)構(gòu)可以說(shuō)是為其提供
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半導(dǎo)體業(yè)不需要奔馳寶馬

突聞德國(guó)英飛凌發(fā)生了高層人士變動(dòng)——CEO兼總裁Wolfgang Ziebart博士將于6月1日辭去公司職務(wù)，感慨時(shí)間如梭！這幾年，半導(dǎo)體業(yè)的動(dòng)蕩太過(guò)激烈，CEO的職位像國(guó)家元首一樣不停地公平輪換！
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Axiom的GPRS CMOS功率放大器被經(jīng)緯科技廣泛用于其手機(jī)產(chǎn)品

　　2008年5月，Axiom Microdevices 公司今日宣布：經(jīng)緯科（GinwaveTechnologies）公司廣泛使用AX502 四頻GPRS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)到其多款手機(jī)中。　　“經(jīng)緯科技在技術(shù)創(chuàng)新方面有著卓越的記錄，能針對(duì)各種客戶的需求提供高性能價(jià)格比的、客制化的手機(jī)產(chǎn)品”， Axiom Microdevices 的首席執(zhí)行官 Brett Butler 說(shuō)：“經(jīng)緯科技對(duì)主流CMOS技術(shù)給功率放大(PA)功能帶來(lái)的優(yōu)
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Wolfgang Ziebart辭去英飛凌首席執(zhí)行官職務(wù) Peter Bauer繼任并啟動(dòng)IFX 10-Plus項(xiàng)目

　　由于對(duì)公司未來(lái)戰(zhàn)略發(fā)展方向持有不同意見(jiàn)，從2008年6月1日起，英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官兼總裁Wolfgang Ziebart博士將辭去公司職務(wù)，由管理委員會(huì)成員Peter Bauer繼任首席執(zhí)行官。此外，監(jiān)事會(huì)和管理委員會(huì)已經(jīng)決定啟動(dòng)IFX Plus-10項(xiàng)目，以提振公司業(yè)績(jī)。在今天的會(huì)議上，監(jiān)事會(huì)一致就此向主席Max Dietrich Kley投了信任票。　　英飛凌監(jiān)事會(huì)主席Max Dietrich Kley表示：“我們非常感謝Ziebart先生在職期間為英飛凌所做的努力和成績(jī)
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高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新英飛凌專家詳解提升能效秘笈

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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IBM公布創(chuàng)新光伏發(fā)電技術(shù) 兼顧太陽(yáng)能電池成本與效率

　　IBM公司采用集中器光伏發(fā)電技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從1平方厘米面積的太陽(yáng)能電池板上提取230W的能量。該能量然后被轉(zhuǎn)換為70W的可用電力，據(jù)該公司聲稱，這是迄今為止所實(shí)現(xiàn)的最佳功效。IBM公司的研究人員在芯片和冷卻塊之間施加了一種非常薄的、由鎵和銦化合物制成的液體金屬層。這種被稱為熱界面層的金屬層把來(lái)自太陽(yáng)能電池板的熱量轉(zhuǎn)換至冷卻塊，以保持真正低的芯片溫度。他們暗示，如果硅片能夠被有效地冷卻，集中器光伏發(fā)電裝置可以取代傳統(tǒng)的裝置成為最便宜的太陽(yáng)能發(fā)電裝置。然而，IBM公司承認(rèn)，要把研究項(xiàng)目從實(shí)驗(yàn)室推向大規(guī)模生產(chǎn)還
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廣東成立半導(dǎo)體照明工程產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略聯(lián)盟

　　新華網(wǎng)廣州5月28日電 (記者肖思思) 28日，廣東宣布成立“半導(dǎo)體照明工程產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略聯(lián)盟”，積極引進(jìn)教育部直屬高校和有關(guān)科研院所的優(yōu)勢(shì)科技資源，與廣東在半導(dǎo)體照明行業(yè)內(nèi)具有產(chǎn)業(yè)龍頭地位、領(lǐng)先水平的企業(yè)進(jìn)行資源對(duì)接。　　華中科技大學(xué)、深圳大學(xué)、電子科技大學(xué)、南昌大學(xué)、中山大學(xué)、華南師范大學(xué)等高校領(lǐng)導(dǎo)，東莞勤上光電股份有限公司、佛山市國(guó)星光電科技有限公司、廣州市鴻利光電子有限公司、世紀(jì)晶源科技有限公司、中山市木林森電子有限公司等20多家高校、企業(yè)代表出席了簽約儀式。　　
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英飛凌或?qū)⑴c恩智浦合并半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入整合期

　　德國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)英飛凌宣布，其CEO沃爾夫?qū)砂吞?Wolfgang Ziebart)將于本月底離職，原因是在公司戰(zhàn)略方面他與其他管理層產(chǎn)生了分歧。? 　　外電報(bào)道稱，美國(guó)私人投資公司Kohlberg Kravis Roberts & Co.(KKR)計(jì)劃通過(guò)發(fā)行新股的方式擁有英飛凌40%~50%股份，隨后將其恩智浦半導(dǎo)體合并。? 　　由于澤巴特反對(duì)這一交易，分析人士認(rèn)為，這是澤巴特離職的主要原因。? 　　“恩智浦已做好并購(gòu)這方面的
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臺(tái)積電遭遇成本上升危機(jī) 或?qū)Ω叨诵酒醿r(jià)

　　5月28日消息，臺(tái)積電周二表示，由于制造成本上升已威脅利潤(rùn)，未來(lái)臺(tái)積電可能會(huì)提高高端芯片價(jià)格。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在目前的半導(dǎo)體制造業(yè)界，制造高端芯片的半導(dǎo)體廠商需要投入大筆資金建造更為先進(jìn)的工廠，他們所面臨的通貨膨脹壓力要超出其他芯片廠商。　　作為業(yè)界的領(lǐng)先廠商，臺(tái)積電公司的銷(xiāo)售收入達(dá)到了對(duì)手臺(tái)聯(lián)電(UMC)的3倍以上。臺(tái)積電表示，在最近幾年里，其產(chǎn)品制造成本超過(guò)了其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。　　臺(tái)積電公司副總裁詹森·陳(Jason Chen)在一個(gè)技術(shù)研討會(huì)上表示：“產(chǎn)品平均
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]