半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體業(yè)將步入減速階段

　　盡管IC銷售額連續(xù)達(dá)到創(chuàng)記錄的數(shù)據(jù)，但是下半年可能步入另增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，這是SIA對(duì)于未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)作了最新研究后的看法。　　下面是SIA羅列的最新基礎(chǔ)數(shù)據(jù); 　　• 2010年上半年 IC銷售額1446億美元，相比去年同期的961億美元增長(zhǎng)達(dá)50% 　　• 2010的Q2 IC銷售額為748億美元，僅比Q1的699億美元增長(zhǎng)7.1% 　　• 6月的IC銷售額為249.3億美元，僅比5月增長(zhǎng)僅0.5%，而與去年同期相比增長(zhǎng)49% 　　有三個(gè)顯著的改變/更新數(shù)據(jù);
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分析師表示2010 IC創(chuàng)記錄增長(zhǎng)己成定局

　　盡管狂熱的工業(yè)2010年是什么樣還未到時(shí)候斷言，然而今年是大年己確信無(wú)疑。全球半導(dǎo)體業(yè)與2009相比將增長(zhǎng)30%，銷售額可達(dá)3100億美元，而其年增加值可達(dá)700億美元左右，是歷史上從未有過(guò)。相比2000年的增加值也即520億美元。如果30%的增長(zhǎng)率實(shí)現(xiàn)( IC Insight的總裁Bill McClean認(rèn)為可能更高)，表示這是半導(dǎo)體業(yè)第六個(gè)最好的增長(zhǎng)年，除了2000年增長(zhǎng)37%。　　今年720億美元的附加值將很快轉(zhuǎn)化為投資，McClean預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體投資增長(zhǎng)高達(dá)83%，為470億美元。
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半導(dǎo)體激光管(LD)的電源設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時(shí)，小電壓變化會(huì)導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過(guò)大也會(huì)使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對(duì)它的驅(qū)動(dòng)電源有十分嚴(yán)格的要求
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2010年底LED市場(chǎng)可達(dá)3000億美元以上

　　由于Q2全球半導(dǎo)硅銷售額繼續(xù)環(huán)比增長(zhǎng)9.4%,英國(guó)基市場(chǎng)分析公司FutureHorizons創(chuàng)始人MalcolmPenn把2010年半導(dǎo)體銷售額由增長(zhǎng)31%(在5月時(shí)作出的預(yù)測(cè))提高到36%,但是Penn把2011年的預(yù)測(cè)由增長(zhǎng)28%,下調(diào)為增長(zhǎng)14%. 　　Penn強(qiáng)調(diào)之所以改變，原因是危機(jī)所帶來(lái)的負(fù)面影響在半導(dǎo)體市場(chǎng)中己經(jīng)結(jié)束，故而重新對(duì)準(zhǔn)復(fù)蘇速度而得出的。此次在電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體中的復(fù)蘇比預(yù)期的快，在2010年己經(jīng)拉伸到位，所以到2011年時(shí)會(huì)進(jìn)入正常狀態(tài)。由此也說(shuō)明為什么2010年市場(chǎng)會(huì)沖得那
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NEC第一財(cái)季凈虧431.4億日元

　　NEC今日公布了第一財(cái)季財(cái)報(bào)，其中第一財(cái)季集團(tuán)凈虧431.4億日元，去年同期為虧損338.4億日元。　　此外，第一財(cái)季集團(tuán)經(jīng)常性虧損為404.6億日元，去年同期為450.3億;第一財(cái)季集團(tuán)營(yíng)業(yè)虧損232.3億日元，去年同期為虧損400.5億。　　NEC預(yù)計(jì)，2010/11財(cái)年集團(tuán)凈利為150.0億日元，去年為虧損338.4億;預(yù)計(jì)2010/11財(cái)年集團(tuán)經(jīng)常性利潤(rùn)為700.0億日元;預(yù)計(jì)2010/11財(cái)年集團(tuán)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1000.0億日元。
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海力士半導(dǎo)體股東出售4.9億美元股份

　　海力士半導(dǎo)體股東日前表示，股東以周一收盤價(jià)出售5844億韓元(4.907億美元)的海力士股票，占總股份的4.1%。　　韓國(guó)外換銀行發(fā)言人稱，包括該行在內(nèi)的海力士大股東以每股23,950韓元的價(jià)格出售2440萬(wàn)股。
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ATE市場(chǎng)復(fù)蘇 Verigy布局高端存儲(chǔ)器市場(chǎng)

　　隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇，2010年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲(chǔ)器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn)，二手ATE測(cè)試設(shè)備還處于消化過(guò)程中。為布局即將增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng)，Verigy推出了全新的適用于未來(lái)3代高速存儲(chǔ)器的測(cè)試解決方案V93000 HSM3G平臺(tái)，其數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到了6.8Gbps，希望在未來(lái)的高速存儲(chǔ)器技術(shù)投資市場(chǎng)布下關(guān)鍵一子。　　由于智能手機(jī)、無(wú)線及有線通訊設(shè)備、電腦等電子產(chǎn)品的高增長(zhǎng)，研究公司預(yù)測(cè)，SoC測(cè)試市場(chǎng)今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)120%。而存儲(chǔ)器行業(yè)卻沒有這種幸運(yùn)，據(jù)V
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前進(jìn)中的應(yīng)用材料公司

　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)強(qiáng)勢(shì)的基因　　全球半導(dǎo)體是創(chuàng)新變化最快的產(chǎn)業(yè)之一，而處于上游的設(shè)備業(yè)更為典型。盡管業(yè)界總是抱怨設(shè)備的價(jià)格太高，但是到頭來(lái)別無(wú)選擇，因?yàn)槿缃裨O(shè)備所呈現(xiàn)的價(jià)值，讓半導(dǎo)體業(yè)界能夠理解與信任。　　分析半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的強(qiáng)勢(shì)，在于它不但提供了一個(gè)硬件，更主要它還能提供應(yīng)用，保證一定工藝的實(shí)現(xiàn)。由于目前的設(shè)備到達(dá)客戶生產(chǎn)線中，經(jīng)過(guò)安裝與調(diào)試，通常在6個(gè)月之內(nèi)芯片生產(chǎn)線就能聯(lián)動(dòng)通線，接著是產(chǎn)能擴(kuò)充，所以從建廠開始到達(dá)一定規(guī)模的量產(chǎn)為兩年及兩年半時(shí)間。業(yè)界講半導(dǎo)體是印鈔機(jī)，也即指生產(chǎn)線月產(chǎn)多少萬(wàn)片硅片
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成芯半導(dǎo)體11.88億元掛牌轉(zhuǎn)讓德州儀器有望接手

　　西南產(chǎn)權(quán)交易所網(wǎng)站公布的信息顯示，成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓的項(xiàng)目掛牌價(jià)格為11.88億元。根據(jù)公告細(xì)則推定，其轉(zhuǎn)讓方獲將為美國(guó)模擬及數(shù)字半導(dǎo)體 IC 設(shè)計(jì)制造公司-德州儀器。　　公告顯示，上述11.88億元要求一次性付清，且受讓方必須承諾，資產(chǎn)繼續(xù)留在四川成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，同時(shí)90%的員工繼續(xù)聘用。該轉(zhuǎn)讓標(biāo)的掛牌期限為7月15日至8月11日。　　同時(shí)，該項(xiàng)目轉(zhuǎn)讓設(shè)立了明確門檻，即受讓方營(yíng)收規(guī)模必須在100億美元以上，且在模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域經(jīng)營(yíng)5年以上。　　公開信息顯示，中國(guó)國(guó)內(nèi)
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現(xiàn)“跨越趕超”

　　“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ)，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作。”現(xiàn)任美國(guó)國(guó)家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說(shuō)。　　出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任，當(dāng)天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻(xiàn)的世界知名專家，他對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿期盼。　　馬佐平說(shuō)：“事實(shí)上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設(shè)廠生產(chǎn)相變存儲(chǔ)器的可能性，而這在世界范圍
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6月日本半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比攀升

　　據(jù)日本半導(dǎo)體設(shè)備協(xié)會(huì)(SEAJ)的資料顯示，日本半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備制造商公布，6月份，日本半導(dǎo)體設(shè)備的訂單出貨比為1.40,較5月份的1.13有所提升。同時(shí)，據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)的統(tǒng)計(jì)顯示，6月份，美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備制造商的訂單出貨比已從5月份的1.13上升到1.19. 　　據(jù)SEAJ的消息稱，日本半導(dǎo)體設(shè)備制造商公布，6月份(按照三個(gè)月的平均值計(jì)算)的訂單額達(dá)到1125.1億日元(約合13億美元)，較5月份修正后的1061.9億日元上升了6%。與去年同期公布的355.8億日元訂單額相比，
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中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現(xiàn)“跨越趕超”

　　“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ)，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作。”現(xiàn)任美國(guó)國(guó)家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說(shuō)。　　出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任，當(dāng)天在廣州出席兩年一度的世界華人論壇。作為一名在金屬、氧化物、半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域做出重大貢獻(xiàn)的世界知名專家，他對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展表示高度關(guān)注并充滿期盼。　　馬佐平說(shuō)：“事實(shí)上，參加這次論壇的目的之一就是探討在廣東設(shè)廠生產(chǎn)相變存儲(chǔ)器的可能性，而這在世界范圍
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半導(dǎo)體業(yè)回溫引上市潮飛思卡爾股東積極推IPO

　　擁有半導(dǎo)體大廠飛思卡爾(Freescale Semiconductor)的私募集團(tuán)正積極推動(dòng)該公司進(jìn)行IPO(首次公開發(fā)行)，并已與多家銀行業(yè)者展開洽談。　　總部位于德州的芯片制造商飛思卡爾，2004年從摩托羅拉(Motorola Inc)獨(dú)立出來(lái)。2006年一個(gè)以Blackstone為首的私募基金集團(tuán)以176億美元買下該公司。這個(gè)集團(tuán)成員包含了凱雷(Carlyle Group)、Permira Funds 以及 TPG Capital 等知名私募基金業(yè)者。　　飛思卡爾此后經(jīng)歷了慘淡的2年，終
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GSA認(rèn)為6月的風(fēng)險(xiǎn)基金投資已經(jīng)轉(zhuǎn)弱

　　按全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)GSA的數(shù)據(jù)，今年6月從風(fēng)險(xiǎn)投資基金(VC)對(duì)于fabless，生產(chǎn)線及設(shè)備公司，無(wú)論從投資的筆數(shù)，或是價(jià)值都是下降。盡管今年上半年與去年同期相比，無(wú)論從資金及IPO數(shù)量都有所提高，但是總體上顯得弱。　　2010年6月有10家公司，共得到6440萬(wàn)美元的VC資金，相比于5月時(shí)有11筆，總計(jì)達(dá)1,977億美元。但是，6月曾有兩筆交易，未透露任何細(xì)節(jié)，而5月時(shí)沒有。　　由此，從季度的環(huán)比看到下降的態(tài)勢(shì)，2010 Q2共有34家公司，共計(jì)得到3.45億美元的VC(ven
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英分析公司調(diào)整半導(dǎo)體預(yù)測(cè) 今年提高明年下調(diào)

　　由于Q2全球半導(dǎo)硅銷售額繼續(xù)環(huán)比增長(zhǎng)9.4%，英國(guó)基市場(chǎng)分析公司Future Horizons創(chuàng)始人Malcolm Penn把2010年半導(dǎo)體銷售額由增長(zhǎng)31%(在5月時(shí)作出的預(yù)測(cè))提高到36%，但是Penn把2011年的預(yù)測(cè)由增長(zhǎng)28%，下調(diào)為增長(zhǎng)14%。　　Penn強(qiáng)調(diào)之所以改變，原因是危機(jī)所帶來(lái)的負(fù)面影響在半導(dǎo)體市場(chǎng)中己經(jīng)結(jié)束，故而重新對(duì)準(zhǔn)復(fù)蘇速度而得出的。此次在電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體中的復(fù)蘇比預(yù)期的快，在2010年己經(jīng)拉伸到位，所以到2011年時(shí)會(huì)進(jìn)入正常狀態(tài)。由此也說(shuō)明為什么2010年
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]