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            英飛凌在汽車電子芯片領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭

            •   根據(jù)Strategy Analytics公布的最新研究結(jié)果,英飛凌科技股份公成為當(dāng)今世界頭號(hào)汽車電子芯片供應(yīng)商。這家位于美國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)稱,2009年,英飛凌獲得9%的全球市場(chǎng)份額,總銷售額達(dá)到13.1億美元。盡管2009年汽車行業(yè)遭遇重創(chuàng),但英飛凌卻進(jìn)一步鞏固了自己的市場(chǎng)地位。2009年,汽車芯片市場(chǎng)規(guī)??s小21%,從2008的183億美元降至144億美元。   英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業(yè)困難時(shí)期,我們憑借廣泛的產(chǎn)品創(chuàng)新占據(jù)汽車電子芯片領(lǐng)域第一的
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  汽車電子  

            英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3

            •   英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上,推出了專為實(shí)現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計(jì)的新款I(lǐng)GBT模塊:采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊,和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。   英飛凌公司副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出:“通過(guò)推出這兩款新產(chǎn)品,英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  PrimePACK  

            英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

            •   英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議,針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng),提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。   根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三菱電機(jī)將新一代功率芯片,應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級(jí):600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

            英飛凌推出新型ThinPAK 8x8無(wú)管腳SMD

            •   英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米),高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)合低寄生電感,使設(shè)計(jì)者能以全新方式有效降低高功率密度應(yīng)用所需的系統(tǒng)解決方案尺寸。   全新封裝采用表面貼裝方式,在8x8毫米的無(wú)管腳封裝內(nèi),貼裝業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220晶粒,并具備金屬裸焊盤(pán),便于內(nèi)部高效散熱。其低矮外形便于設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)出更薄的電源外殼,滿足當(dāng)今市場(chǎng)對(duì)時(shí)
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  SMD  ThinPAK   

            英飛凌預(yù)計(jì)2010財(cái)年?duì)I收增幅將高達(dá)30%

            •   英飛凌科技股份公司近日公布2010財(cái)年(截至2010年3月31日)第二季度的財(cái)務(wù)結(jié)果。   英飛凌第二季度的營(yíng)收為10.35億歐元,相對(duì)于第一季度大幅提高10%,同比提高55%。各業(yè)務(wù)部的合并財(cái)務(wù)結(jié)果1為1.1億歐元,較上一季度增長(zhǎng)25%。凈收入為7,900萬(wàn)歐元,而上一季度的凈收入為6,600萬(wàn)歐元。   2010財(cái)年第三季度,英飛凌預(yù)計(jì)公司銷售額的增長(zhǎng)百分比將會(huì)達(dá)到較高的個(gè)位數(shù),相對(duì)于第二季度,各業(yè)務(wù)部的合并利益率將提高兩至四個(gè)百分點(diǎn)。   2010財(cái)年,英飛凌調(diào)整了對(duì)本年度的展望,因?yàn)?0
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  芯片  

            英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命,

            •   英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日)上,推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù),英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求,并為提高功率密度和實(shí)現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。   英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總經(jīng)理Martin Hierholzer指出:“通過(guò)推出全新的.XT技術(shù),英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的技術(shù)
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  封裝  

            英飛凌攜手三菱電機(jī)服務(wù)全球功率電子行業(yè)

            •   英飛凌科技股份公司與三菱電機(jī)公司同意簽署一份服務(wù)協(xié)議,針對(duì)全球工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制與驅(qū)動(dòng)市場(chǎng),提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進(jìn)的IGBT模塊。利用英飛凌新近開(kāi)發(fā)的這種革命性封裝概念,兩大領(lǐng)導(dǎo)廠商將會(huì)采用最新功率芯片推出新一代模塊產(chǎn)品。   根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三菱電機(jī)將新一代功率芯片,應(yīng)用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中,推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍:15A 至150A,電壓等級(jí):600V和1200V)的產(chǎn)品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創(chuàng)造者
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  SmartPACK  SmartPIM  

            英飛凌第二財(cái)季扭虧為盈 凈利潤(rùn)1.042億美元

            •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財(cái)報(bào)顯示,結(jié)束于3月份的本財(cái)年第二財(cái)季凈利潤(rùn)為7900萬(wàn)歐元(約合1.042億美元),去年同期虧損2.39億歐元;第二財(cái)季營(yíng)收為 10億歐元,同比增長(zhǎng)55%。   第二財(cái)季凈利潤(rùn)好于分析師預(yù)期,營(yíng)收與分析師預(yù)期相當(dāng)。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預(yù)計(jì),該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤(rùn)7130萬(wàn)歐元。第二財(cái)季為英飛凌連續(xù)第三季度實(shí)現(xiàn)盈利,而在那之前10個(gè)季度該公司累計(jì)虧損額高達(dá)39億歐元。   英飛凌上調(diào)了
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

            英飛凌與飛兆半導(dǎo)體達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

            •   英飛凌科技股份公司與飛兆半導(dǎo)體公司近日宣布,兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。   兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù),為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。   英飛凌低壓MOSFET產(chǎn)品總監(jiān)兼產(chǎn)品線經(jīng)理Richard Kuncic表示:“我們的客戶將從功
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  飛兆半導(dǎo)體  

            飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議

            •   全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。   兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性,同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù),為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱、單一n溝道MOSFET。   飛兆半
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  DC-DC  

            英飛凌第二季度業(yè)績(jī)強(qiáng)勁且前景看好

            •   英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財(cái)年(截止到2010年9月30日)第二季度業(yè)績(jī)和營(yíng)收優(yōu)于預(yù)期水平,并且前景看好。   2009/10財(cái)年第二季度,英飛凌預(yù)計(jì)公司營(yíng)收額將環(huán)比增長(zhǎng)約10%。與此同時(shí),英飛凌還預(yù)計(jì),在剛結(jié)束的這個(gè)季度,公司分部利潤(rùn)率有望達(dá)到10%以上。   在本財(cái)年第三季度,英飛凌預(yù)計(jì)公司營(yíng)收將取得持續(xù)增長(zhǎng),而分部業(yè)績(jī)將實(shí)現(xiàn)大幅攀升。   英飛凌有望上調(diào)2009/10全年預(yù)期。公司將于4月28日公布第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)時(shí)提供相關(guān)細(xì)節(jié)。   英飛凌科技股份公司首席執(zhí)行官Pet
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  無(wú)線  

            英飛凌對(duì)爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開(kāi)調(diào)查

            •   據(jù)外電報(bào)道,美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對(duì)DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開(kāi)調(diào)查,因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。   英飛凌方面稱,爾必達(dá)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。通過(guò)訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令,禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義,向美國(guó)進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。   被調(diào)查的企業(yè)名單   USITC表示,將依據(jù)1930年美國(guó)關(guān)稅法第337條,對(duì)下列廠商展開(kāi)調(diào)查,包括日商爾必
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  DRAM  

            需求拉動(dòng)傳感器大幅增長(zhǎng)

            •   機(jī)遇與挑戰(zhàn):   主動(dòng)式傳感器應(yīng)用將越來(lái)越廣   汽車中所用的傳感器越來(lái)越多   市場(chǎng)數(shù)據(jù):   07年~12年中國(guó)汽車傳感器銷售額復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到22.37%   中國(guó)已經(jīng)躍居世界第二大汽車市場(chǎng)   同07年比增長(zhǎng)高達(dá)22.02%   汽車性能的提升以及汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,推動(dòng)了汽車傳感器的快速增長(zhǎng)。被動(dòng)式傳感器在某些應(yīng)用上已難以滿足高精度要求,主動(dòng)式傳感器應(yīng)用將越來(lái)越廣。   隨著汽車性能的提升以及中國(guó)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),汽車
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  傳感器  

            汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的應(yīng)用

            • 混合動(dòng)力車電力驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵組件是電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IGBT作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的核心,它的可靠性關(guān)系著混合動(dòng)力車輛的安全運(yùn)行,本文主要針對(duì)IGBT模塊應(yīng)用于汽車領(lǐng)域,所涉及的可靠性相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了探討,提出了汽車級(jí)IGBT概念,并詳細(xì)說(shuō)明了英飛凌汽車級(jí)IGBT針對(duì)汽車應(yīng)用做出的改進(jìn)。
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  可靠性  功率循環(huán)  溫度循環(huán)  201003  

            能效是永恒的熱門(mén)話題

            •   英飛凌中國(guó)副總裁兼執(zhí)行董事尹懷鹿將未來(lái)一年關(guān)注焦點(diǎn)鎖定在能源效率、無(wú)線通信和安全系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域。特別的,半導(dǎo)體是執(zhí)行能效政策不可或缺的部分,尤其是可回收能源以及更加高效的引擎驅(qū)動(dòng)。   尹懷鹿   中國(guó)工業(yè)功率模塊市場(chǎng)具有巨大的潛力,主要表現(xiàn)在軌道交通、電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、風(fēng)能發(fā)電等應(yīng)用領(lǐng)域。這都會(huì)催生市場(chǎng)對(duì)功率模塊產(chǎn)品的龐大需求。馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵器件就是IGBT。在風(fēng)能發(fā)電供應(yīng)鏈中,除了葉片、齒輪箱以及發(fā)電機(jī)外,風(fēng)電變流器已經(jīng)成為主要瓶頸之一,而其主要組成部分也是IGBT模塊、IGBT系統(tǒng)組件
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  無(wú)線通信  軌道交通  混合動(dòng)力汽車  
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