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功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
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功率器件的熱設計基礎（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
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功率器件熱設計基礎（三）----功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設計一般可以取加權(quán)平均值或給出設計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型
- 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
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功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導體散熱的重要物理效應為熱的橫向傳
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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設計基礎系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
- 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動器，驅(qū)動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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英飛凌推出用于智能有刷直流電機應用的新型MOTIX?全橋IC系列
- 隨著汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，曾經(jīng)的高端功能如今已成為標配。因此，智能低壓電機在塑造未來汽車用戶體驗方面將發(fā)揮日益重要的作用。汽車制造商正在尋求更加可靠、節(jié)能、經(jīng)濟，同時在惡劣條件下也能正常工作的半導體解決方案。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司近日推出專為有刷直流電機應用設計的全橋/H橋集成電路（IC）產(chǎn)品系列——MOTIX??Bridge BTM90xx。新型BTM90xx?全橋IC不僅豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容，還補充了從驅(qū)動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案的MOTIX?低壓
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英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務
- 1月20日消息，日前，英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并為一個專門的組織，以推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新的業(yè)務部門SURF（傳感器單元和射頻）將成為電源和傳感器系統(tǒng)（PSS）部門的一部分，并包括以前的汽車和多市場傳感與控制業(yè)務。通過結(jié)合其傳感器和射頻專業(yè)知識，英飛凌利用成本和研發(fā)協(xié)同效應加速創(chuàng)新和為客戶提供價值，從而增強其競爭力和上市方法。這一戰(zhàn)略舉措將利用傳感器和射頻市場的巨大市場潛力，預計到2027年將超過200億美元。新業(yè)務部門于2025年1月1日生效
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英飛凌攜手Flex展示用于軟件定義汽車的區(qū)域控制器設計平臺
- 在2025年國際消費電子展（CES 2025）期間，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司攜手多元化全球制造商兼英飛凌新晉首選汽車設計合作伙伴Flex，展示用于軟件定義汽車的全新Flex模塊化區(qū)域控制器設計平臺。該平臺是一個具有模塊化微控制器（MCU）架構(gòu)和通用硬件構(gòu)建模塊的創(chuàng)新、可擴展區(qū)域控制單元（ZCU）。Flex區(qū)域控制器Flex模塊化區(qū)域控制器平臺是一個用于快速實現(xiàn)ZCU的車規(guī)級設計解決方案。借助該平臺，汽車制造商能夠靈活且大規(guī)模地交付軟件定義汽車。這款新一代區(qū)域控制器平臺將英飛
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AURIX? TC4x CDSP Software功能介紹和使用
- 引言CDSP SW（Converter Digital Signal Processor software）是專用于TC4x CDSP 硬件模塊的軟件包。CDSP SW 以二進制文件和頭文件提供，用戶通過配置參數(shù)并將其存儲在 CDSP 的 DCCM 中來實現(xiàn)特定的濾波功能，通過將指令二進制代碼存放在CDSP的ICCM來實現(xiàn)算法，在 TriCore? 核上運行的應用程序無需調(diào)用API 即可實現(xiàn) CDSP SW 的濾波功能來對外部輸入信號進行處理。CDSP 結(jié)構(gòu)CDSP包括一個 Synopsys Design
- 關鍵字： 英飛凌 AURIX TC4x CDSP
功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
- / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是說，相同的器件封裝可以采用更大電流規(guī)格的芯片，使輸出電流更大，但同時實際的損耗和發(fā)熱量也會明顯增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模塊，Eco
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