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SK海力士全面進(jìn)入20納米級(jí)DRAM時(shí)代
- SK海力士(SK Hynix)中斷生產(chǎn)30納米級(jí)DRAM，全面進(jìn)入20納米級(jí)生產(chǎn)時(shí)代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產(chǎn)DRAM，不過(guò)到2015年第1季，生產(chǎn)效率比30納米級(jí)制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達(dá)全體生產(chǎn)的82%。 韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產(chǎn)比例的8%，但從2015年第1季開(kāi)始已全面轉(zhuǎn)進(jìn)20納米級(jí)制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級(jí)
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SK海力士20nm級(jí)制程轉(zhuǎn)換，4年后100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級(jí)制程進(jìn)展迅速!韓媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級(jí)生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級(jí)制程。 韓媒BusinessKorea 13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計(jì)今年下半改為2z DRAM(20奈米級(jí))制程。業(yè)界消息稱(chēng)，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
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嗆三星！SK海力士20奈米級(jí)制程轉(zhuǎn)換、100%完成
- SK海力士(SK Hynix)搶進(jìn)20奈米級(jí)制程進(jìn)展迅速!韓媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士引進(jìn)38奈米制程，已在四年后停止30奈米級(jí)生產(chǎn)，全數(shù)轉(zhuǎn)為20奈米級(jí)制程。 韓媒BusinessKorea 13日?qǐng)?bào)導(dǎo)，2014年第四季，SK海力士的38奈米制程約占該公司DRAM生產(chǎn)的8%，預(yù)計(jì)今年下半改為2z DRAM(20奈米級(jí))制程。業(yè)界消息稱(chēng)，今年Q1，25奈米制程已占SK海力士總生產(chǎn)的82%。DRAMeXchange預(yù)估，SK海力士將在今年Q3進(jìn)入2z制程，明年邁上軌道。 相較之下，30奈米制程仍占美光
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迎接物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代 SK海力士擴(kuò)大晶圓代工事業(yè)
- 韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將擴(kuò)大非存儲(chǔ)器領(lǐng)域的晶圓代工事業(yè)。三星電子(Samsung Electronics)采14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程推動(dòng)晶圓代工事業(yè)發(fā)展，SK海力士將把焦點(diǎn)放在8吋90納米制程，以架構(gòu)少量生產(chǎn)多元系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)系統(tǒng)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，為擴(kuò)大專(zhuān)門(mén)提供晶圓代工服務(wù)的清州M8廠可生產(chǎn)的芯片種類(lèi)，SK海力士著手重新調(diào)整產(chǎn)線。 M8廠主要生產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)、電源管理芯片(PMIC)、顯示器驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)等。過(guò)去也曾生產(chǎn)N
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SK海力士啟航3年 成為SK集團(tuán)當(dāng)紅炸子雞
- SK海力士(SK Hynix)成立3年便進(jìn)入營(yíng)業(yè)利益5兆韓元具樂(lè)部(約45.3億美元)，成為SK集團(tuán)(SK Group)的當(dāng)紅炸子雞。目前正著手系統(tǒng)芯片研發(fā)，同時(shí)積極購(gòu)并企業(yè)以掌握必要的技術(shù)力。中長(zhǎng)期目標(biāo)便是成為綜合半導(dǎo)體企業(yè)。 根據(jù)韓媒AsiaToday的報(bào)導(dǎo)，SK海力士的業(yè)績(jī)已經(jīng)超越SK集團(tuán)的傳統(tǒng)主力企業(yè)SK Innovation與SK電信(SKT)，將2家公司2014年的營(yíng)業(yè)利益合并計(jì)算后，得到的數(shù)值只有SK海力士營(yíng)業(yè)利益的4分之1。 SK海力士在成立第1年雖然有超過(guò)2,000億韓元
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SK海力士今年成長(zhǎng)三大核心 20納米、M14新廠、3D NAND
- 面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲(chǔ)器事業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強(qiáng)化三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競(jìng)爭(zhēng)力。 根據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，SK海力士社長(zhǎng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì)上表示，2015年下半初期將開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會(huì)開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績(jī)屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)
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三星、SK海力士半導(dǎo)體獲利佳 今年可望更上層樓
- 三星集團(tuán)(Samsung Group)和SK集團(tuán)(SK Group)正迅速拓展半導(dǎo)體事業(yè)領(lǐng)域。移動(dòng)裝置和煉油等主力事業(yè)成長(zhǎng)停滯不前，半導(dǎo)體事業(yè)儼然成為集團(tuán)金雞母。 據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)獨(dú)家對(duì)樂(lè)金電子(LG Electronics)供應(yīng)固態(tài)硬碟(SSD)，搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產(chǎn)品銷(xiāo)售量提升約30%，SK海力士的SSD獲樂(lè)金熱門(mén)機(jī)種搭載，對(duì)SK海力士相對(duì)表現(xiàn)較不出色的NAND F
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SK海力士沖刺先進(jìn)制程，20nm級(jí)DRAM最快七月量產(chǎn)
- SK 海力士 20日舉行股東會(huì)，社長(zhǎng)樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級(jí)DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競(jìng)爭(zhēng)者。 海力士目前最先進(jìn)的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領(lǐng)域，且預(yù)估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會(huì)以20奈米制程打造。 據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報(bào)導(dǎo)，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進(jìn)的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤(rùn)空間。隨著8GB DDR4記憶體時(shí)代來(lái)臨，
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過(guò)員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過(guò)強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過(guò)員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過(guò)強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
- 關(guān)鍵字： SK海力士 CMOS
存儲(chǔ)器結(jié)束削價(jià)競(jìng)爭(zhēng) 迎向高品質(zhì)、高價(jià)位時(shí)代
- 全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三強(qiáng)鼎立，讓價(jià)格趨于穩(wěn)定。而講究低功率技術(shù)與微細(xì)化制程的復(fù)合解決方案商品，則帶動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格進(jìn)一步提升。專(zhuān)家表示，接下來(lái)將迎接高價(jià)、高品質(zhì)時(shí)代。 據(jù)韓媒Bridgenews報(bào)導(dǎo)，日本、臺(tái)灣、韓國(guó)等半導(dǎo)體業(yè)者，從2007~2012年間持續(xù)存儲(chǔ)器的削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，即便存儲(chǔ)器價(jià)格慘跌仍不斷提高產(chǎn)量。過(guò)度競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果，讓德國(guó)DRAM業(yè)者奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)在2009年破產(chǎn)，2012年日本爾
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 SK海力士
SK海力士著手研發(fā)次世代存儲(chǔ)器
- SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲(chǔ)器芯片列為新成長(zhǎng)動(dòng)能，2015年會(huì)先決定要將次世代產(chǎn)品應(yīng)用在何IT裝置上，以確定發(fā)展方向。 據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導(dǎo)體。2015年將先明確訂定產(chǎn)品制造方向，再著手研發(fā)合適的制程技術(shù)。 所謂的次世代半導(dǎo)體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲(chǔ)器芯片，在功率、容量等規(guī)格升級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK海力
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?sk海力士介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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