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SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類人腦半導(dǎo)體元件
- SK海力士(SK Hynix)與美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運算速度，加速人工智能(AI)時代來臨。 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，日前SK海力士與美國史丹佛大學(xué)簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項研究計劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
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存儲器市場還能熱多久？SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%？
- 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。 巴倫(Barronˋs)14日報導(dǎo)，DRAM價格上漲，帶動SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估，第三季DRAM價格將季增9%，第四季價格可能會再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計，SK海力士股價可望續(xù)漲20%。 大摩報告稱，時序邁向Q4，DRAM和NAND價格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期，也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
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居全球第六大 SK海力士積極擴展CIS事業(yè)
- 據(jù)海外媒體報道，SK海力士(SK Hynix)計劃在韓國利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出，SK海力士將能強化自家CIS事業(yè)競爭力，并有望在目前正在更迭的市場版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報導(dǎo)指出，SK海力士此舉代表著，想要正式挑戰(zhàn)非存儲器市場的企圖心。過去這段期間，SK海力士不斷苦惱著，在利川12吋新廠M14啟動后，該如何使用M10廠。因為如果將M10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14，M10里的產(chǎn)線將會閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過，M10之后可
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第二季DRAM總營收小幅增長6.3%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單 價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動位元供給增長，使得第二季全球DRAM總營收約91億 美元，季增長6.3%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第二季筆記本電腦及服務(wù)器相 關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，但中國地區(qū)的智能手機出貨依然強勁，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存
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Gartner：2015年半導(dǎo)體公司營收排行榜
- Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營收，受到需求放緩、匯率劇烈變動影響，總產(chǎn)值呈現(xiàn)下滑，然半導(dǎo)體老大哥英特爾，即便在接下來先進制程競逐，可能落后臺積電與三星，2015 年仍穩(wěn)坐半導(dǎo)體龍頭寶座，而兩大韓廠三星與 SK 海力士在該年度則分居二、三名。 Gartner 5 日公布 2015 年全球半導(dǎo)體營收，需求減緩加上匯率較劇烈的變動，使得半導(dǎo)體整體營收下滑，全年總產(chǎn)值 3,348 億美元，較去年同期衰退 2.3%，前 25 大廠商占整體半導(dǎo)體廠營收比重來到 73.5%，較 2014
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三星、SK海力士紛量產(chǎn)UFS芯片 手機存儲器醞釀新風(fēng)暴
- 繼三星電子(Samsung Electronics)推出128GB及256GB通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)2.0芯片，SK海力士(SK Hynix)亦投入量產(chǎn)64GB UFS 2.0芯片，盡管東芝(Toshiba)及美光(Micron)尚未在UFS領(lǐng)域有具體成果，然隨著全球NAND Flash市場龍頭及第四大廠紛開始量產(chǎn)UFS芯片，可望加速智慧型手機存儲器規(guī)格升級，業(yè)界預(yù)估2016年下半便可看到搭載UFS芯片的高階手機陸續(xù)上市。 根據(jù)韓國電子新聞(ET
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標準組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士希望成顯卡革新一部分 今年開始量產(chǎn)HBM2內(nèi)存
- 隨著新一代顯卡到來，內(nèi)存芯片制造商SKHynix希望成為顯卡革命的一部分。據(jù)德國IT網(wǎng)站Golem.de報道，SK Hynix計劃不久將開始生產(chǎn)第二代高帶寬內(nèi)存(HBM2)，其中，4GB SK Hynix芯片顯然預(yù)計在今年第三季度出貨，8GB芯片將在今年第四季度上市。 通過這一舉措，SK Hynix將成為三星競爭者。三星之前已經(jīng)宣布其HBM2內(nèi)存生產(chǎn)計劃。標準組織JEDEC之前已經(jīng)更新HBM2規(guī)范。 HBM2總線位寬和HBM相同，但具有更高的時鐘頻率和容量，時鐘頻率從1GHz起跳，到2GHz，數(shù)
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SK海力士將砸15.5兆韓元建存儲器新工廠
- 日經(jīng)新聞報導(dǎo),SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。 新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo)，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預(yù)計將在2018年正式動工、2019年投產(chǎn)。 新廠確切的產(chǎn)品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應(yīng)該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產(chǎn)NAND存儲器，海力士現(xiàn)有NAND存儲器產(chǎn)能將擴增超過兩倍。 此外，海力士亦宣布已開始在現(xiàn)有的清州廠量產(chǎn)先進的3
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一片不景氣聲中 SK海力士仍決定大規(guī)模投資
- 2016年展望并不樂觀，PC市場成長已停滯好幾年，連智能型手機市場也出現(xiàn)成長趨緩的跡象，DRAM、NAND Flash的價格也因此持續(xù)下跌，這個時候逆勢上揚也是下了多大的決心。
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