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Nexperia建立新的特定型應用FET類別以優(yōu)化性能
- 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia響應行業(yè)需求，通過定義一組全新的MOSFET產品，最大限度提高性能。特定型應用FET（簡稱ASFET）所采用的MOSFET能為特定應用提供優(yōu)化的參數。通過專注于特定的應用，可實現顯著的改進。 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。 定制ASFET可實現的改進因應用而異，例如對于熱插拔應用，安全工作區(qū)域(SOA)能提高3至5倍；對于電機應用，最大額定電流可超過300 A。 Nexpe
- 關鍵字： Nexperia
Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
- 半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規(guī)級應用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性，適用于新的車載接口。具體的車載應用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統(tǒng)。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護
- 關鍵字： Nexperia 車用TrEOS ESD
Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間
- ?奈梅亨，2020年5月27日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎設施和服務器市場為目標市場，尤其適合高溫應用，例如，LED照明、發(fā)動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設
- 關鍵字： 肖特基.快速恢復二極管 Nexperia 鍺化硅整流器
Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅（SCR）技術，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
- 關鍵字： Nexperia USB4 ESD 保護器件
Nexperia面向汽車以太網新硅基 ESD 防護器件
- 奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網系統(tǒng)推出業(yè)界領先且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ESD 防護器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽車工業(yè)和技術供應商組成的非營利聯盟，他們相互協(xié)作，鼓勵廣泛采用基于以太網的網
- 關鍵字： Nexperia 汽車以太網 OPEN Alliance ESD
MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產品系列
- 近日，總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業(yè)標準）。該款產品組合包括8款同時支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。這些符合行業(yè)標準尺寸的通用元件如今補充了 Nexperia 現有的高性能雙極功率晶體管產品系列，從而進一步豐富了本公司的功率雙極半導體系列。應用場景有：LED 汽車照明；LCD 顯示器背光源調
- 關鍵字： Nexperia
Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
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