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Nexperia超低結(jié)電容ESD保護(hù)二極管保護(hù)汽車數(shù)據(jù)接口
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia近日宣布擴(kuò)展其超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品組合。該系列器件旨在保護(hù)汽車信息娛樂應(yīng)用的USB、HDMI、高速視頻鏈路和以太網(wǎng)等接口的高速數(shù)據(jù)線路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封裝，可在汽車生產(chǎn)線中通過側(cè)邊爬錫進(jìn)行光學(xué)檢測。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q還提供緊湊
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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負(fù)載開關(guān)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先，通過將雙極性晶體管(BJT)和電阻巧妙地集成到單一封裝中，可節(jié)省大量電路板空間。此外，無引腳DFN封裝本身的空間效益較高。這種集成和封裝有
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Nexperia設(shè)定2035年碳中和目標(biāo)
- Nexperia總部位于荷蘭，是一家擁有60多年歷史且發(fā)展迅速的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。公司年產(chǎn)量超過1000億件，Nexperia深知自身對保護(hù)環(huán)境應(yīng)承擔(dān)的社會責(zé)任。今年五月，Nexperia發(fā)布了其首份可持續(xù)發(fā)展報告，其中針對公司的環(huán)境影響、社會責(zé)任、增長目標(biāo)以及其作為國際行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的重要角色進(jìn)行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實現(xiàn)碳中和的預(yù)期目標(biāo)，同時秉持公開透明的原則，并采取問責(zé)制度。Nexperia致力于到2035年在其直接運(yùn)營排放（范圍1）和為運(yùn)營采購能源而產(chǎn)生的間接排放（范圍2）方面實現(xiàn)
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Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險評級中達(dá)到18.7分，打下堅實基礎(chǔ)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險評級中取得了18.7分的優(yōu)異成績，達(dá)到了新的重要里程碑。這是Nexperia首次參與ESG風(fēng)險評級，在全球半導(dǎo)體設(shè)計和制造子行業(yè)的221家評估實體中排名前11%，這一優(yōu)異表現(xiàn)也使其順利躋身于知名企業(yè)前列。 Morningstar Sustainalytics對Nexperia在環(huán)境、社會和治理(ESG)方面的表現(xiàn)進(jìn)行綜合評估，認(rèn)為Nexperia遭
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Nexperia擴(kuò)展產(chǎn)品組合，率先推出集成式5 V負(fù)載開關(guān)
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護(hù)性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經(jīng)過優(yōu)化升級，適合應(yīng)用于便攜式設(shè)備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴(kuò)展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。 負(fù)載開關(guān)是各種現(xiàn)代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關(guān)在以受控方式管理從電源到負(fù)載的電流/電壓方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
- 絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機(jī)的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進(jìn)一步完善持續(xù)擴(kuò)大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600
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Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強(qiáng)器
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款I(lǐng)C采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術(shù)，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設(shè)計的新型電池壽命增強(qiáng)器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強(qiáng)器的典型紐扣電池相比，使用該增強(qiáng)器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和其他便攜式應(yīng)用中的廢舊電池數(shù)量將顯著減少，同時，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應(yīng)用也有望改用紐扣電池。 &
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Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。 長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導(dǎo)體工程師的設(shè)計支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應(yīng)這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia 聘請經(jīng)紀(jì)公司出售Newport晶圓廠
- Newport 晶圓廠擁有每月超過 35,000 個 200mm 晶圓的制造能力。
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Nexperia推出先進(jìn)的I2C GPIO擴(kuò)展器產(chǎn)品組合
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴(kuò)展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中一款GPIO擴(kuò)展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實際需要自定義以優(yōu)化功耗。當(dāng)需要擴(kuò)展I/O數(shù)量時，利用該產(chǎn)品組合可實現(xiàn)簡潔的設(shè)計，同時盡可能減少互連。這有助于設(shè)計工程師增添新功能，而且不會增加PCB設(shè)計復(fù)雜性和物料成本。 隨著服務(wù)器、汽車、工業(yè)、醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展，需要通過微控制器進(jìn)行監(jiān)測的傳感器信
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Nexperia針對嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用 推出650V碳化硅二極管
- 奈梅亨，2023年4月20日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應(yīng)用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標(biāo)準(zhǔn)，可應(yīng)對高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設(shè)計電源的數(shù)
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Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進(jìn)一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡化低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及其嵌入式應(yīng)用，并增強(qiáng)應(yīng)用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環(huán)境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能），并給電池或儲能電容充電。憑借此特性，Nexperia的NEH2000BY可為開發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設(shè)備提供支持。此外，該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產(chǎn)和廢棄的數(shù)十億電池對環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡化能源采集
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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設(shè)備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
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