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英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會受影響。
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動NAND Flash需求
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測
- 根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強(qiáng)勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設(shè)備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)
- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
- 關(guān)鍵字： NAND 9納米
東芝日本廠跳電 受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%
- 華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。 東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫
- 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中，經(jīng)常要使用片外存儲器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù)，如常量、原始數(shù)據(jù)庫等存儲到片外的存儲器中，從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部 - 關(guān)鍵字： 方式 實(shí)現(xiàn) FLASH 擦寫 映射 地址 DSP 嵌入式 系統(tǒng) 通過
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