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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

            海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

            •   韓國海力士聲稱,在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。   該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn),采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。   海力士稱它的芯片是26nm的一種,有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
            • 關(guān)鍵字: 海力士  20納米  NAND  

            第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

            •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD),較首季的93億美元(9.29 Billion USD),成長約15%。在 NAND Flash 部分,品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元,較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。   三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠   從市場面觀察,由于第二季 DRAM 合
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存

            •   南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片,這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示,升級為2xnm制程節(jié)點后,芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%,芯片的成本也有所降低,智能手機,SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ?   Hynix Cheong-ju M11工廠   Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
            • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  20nm  

            采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

            • 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面:一方面,可用Flash來保存FPGA的配置文件,從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后,從Flash中讀取配置文件,對FPGA進行配置。
            • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  開發(fā)  實現(xiàn)  SOPC  器件  Flash  存儲  采用  

            DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計

            • 摘要:詳細(xì)介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程,分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別,給出了相應(yīng)的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過,可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的參考。
              關(guān)鍵詞:在線編程
            • 關(guān)鍵字: 編程  軟硬件  設(shè)計  在線  存儲器  外部  Flash  DSP  

            VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn)

            • VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設(shè)計與實現(xiàn),0 引言

              在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中,基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。

              一般情況下,磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng),磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū),扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  實現(xiàn)  TFFS  Flash  文件  系統(tǒng)  VxWorks  

            U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

            • 摘要:U-Boot不能從NAND Flash啟動給應(yīng)用帶來些不便,因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路,并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點,增加U-
            • 關(guān)鍵字: 實現(xiàn)  啟動  Flash  NAND  U-Boot  

            日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半

            •   日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜,獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累,該季仍難揮別虧損陰霾。   東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示,受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動,加上 NANDFlash均價跌幅趨緩,東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
            • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

            VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂觀

            •   VLSI提高IC預(yù)測,但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求,但是有一種可能DRAM市場再次下跌。   同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響,目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂觀,如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。   VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的,按VLSI的最新預(yù)測,2010年IC市場可能增長30%,但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。   而在之前的預(yù)測中認(rèn)為2010年全球IC市場增長28.1%,其它預(yù)測尚未改變。
            • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

            分析師認(rèn)為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套

            •   無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。   要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇,預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱,然而按Web-Feet Research報告,其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。   按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告,NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元,上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%,達215億美元。   這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。   Apple及其它OEM釆購大量的閃存,使得市場中有些購買者采
            • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  NOR  

            蘋果砸中閃存

            •   iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷,正引發(fā)連鎖反應(yīng)。   7月28日,閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示,蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存,目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。   受此拉動,閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。   近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示,在iPhone以及iPad的拉動下,閃存芯片近期需求及價格大幅上升,英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷售
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  iPhone  

            三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%

            •   據(jù)國外媒體報道,三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示,受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動,公司第二季度凈利潤同比增長83%。   在截至6月30日的第二季度,三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期,2009年第二季度,三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元),創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高,同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元,較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示,公司第
            • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  閃存芯片  

            使用用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA的配置

            • 電子設(shè)計自動化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺,以EDA軟件為開發(fā)環(huán)境,以硬件描...
            • 關(guān)鍵字: CPLD  FPGA  Flash  RAM  EDA  VHDL  

            EUV要加大投資強度

            •   未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間,它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體制造  DRAM  NAND  

            并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應(yīng)用設(shè)計

            • 引言隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng),即SOPC(SystemOnProgrammableChip)。SOPC技...
            • 關(guān)鍵字: FPGA  SOPC  NOR  Flash  嵌入式  
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            ?nand flash介紹

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