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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱(chēng)，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

　　不讓韓國(guó)三星專(zhuān)美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O(píng)果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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單片機(jī)(MCU)選型的七條軍規(guī)

單片機(jī)的選型是一件重要而費(fèi)心的事，如果選型得當(dāng)，則做出來(lái)的產(chǎn)品就會(huì)性?xún)r(jià)比較高，且工作穩(wěn)定;反之，則可能會(huì)造成產(chǎn)品成本過(guò)高或影響產(chǎn)品正常運(yùn)行，甚至可能根本就達(dá)不到預(yù)先設(shè)計(jì)要求。
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
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第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè)，2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過(guò)高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會(huì)變好

　　根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收會(huì)增長(zhǎng)10%。　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對(duì)2013年的樂(lè)觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始，以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。　　不過(guò)SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
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中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

　　導(dǎo)語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋(píng)果公司的增長(zhǎng)也開(kāi)始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó)，成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣靠中國(guó)企業(yè)賺錢(qián)了

　　7月5日消息，由于中國(guó)廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長(zhǎng)，由于中國(guó)移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開(kāi)始收獲金錢(qián)了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速?zèng)]過(guò)去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會(huì)刺激內(nèi)存銷(xiāo)售的增長(zhǎng)。　　兩種趨勢(shì)之下，加上2011年以來(lái)內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來(lái)，它們有了更高的議價(jià)能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng)

基于Flash和JTAG的FPGA系統(tǒng), 引言針對(duì)需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲(chǔ)卡來(lái)替代配置用PROM,用專(zhuān)門(mén)的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫(xiě)，上位機(jī)軟件生成專(zhuān)用的ACE文件并下
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基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH自測(cè)試方法

飛控計(jì)算機(jī)CPU模塊的處理器通常選用PowerPC或X86系列，CPU模塊設(shè)計(jì)有專(zhuān)門(mén)的FLASH芯片，為保證飛控程序存放的正確無(wú)誤，F(xiàn)LASH測(cè)試必不可少。而智能接口模塊的處理器通常選用TMSF240、TMSF2812等，采用片內(nèi)FLASH存放自
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NAND需求旺盛模塊廠Q3將迎來(lái)火爆場(chǎng)面

　　存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)昨(20)日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，執(zhí)行長(zhǎng)MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來(lái)12個(gè)月，NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強(qiáng)勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來(lái)形容，因此對(duì)下半年NAND市場(chǎng)抱持樂(lè)觀正面看法。　　根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查，由于全球4大供應(yīng)商近一年來(lái)沒(méi)有擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長(zhǎng)率恐低于10%，但因行動(dòng)裝置及固態(tài)硬盤(pán)(SSD)市場(chǎng)進(jìn)入
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NAND閃存閃現(xiàn)光芒，今年?duì)I業(yè)收入有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。
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NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁

　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，低端平板電腦市場(chǎng)相對(duì)強(qiáng)健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年?duì)I業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。　　2012年第四季度NAND營(yíng)業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長(zhǎng)17%，這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個(gè)季度，如圖3所示。在最后一個(gè)季度的強(qiáng)力推動(dòng)下，2012年全年NAND營(yíng)業(yè)收入達(dá)到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔(dān)憂(yōu)的水平。　　圖3：2012年各季度全球NAND閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)估(以百
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

　　根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤(rùn)已經(jīng)提高。　　其中，東芝今年第一季度NAND閃存營(yíng)業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元)，達(dá)到2010年第一季度以來(lái)的最高水平。NAND閃存營(yíng)業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)連續(xù)三個(gè)季度增長(zhǎng)。　　瑞薩電子今年第一季度營(yíng)業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達(dá)到1739億日元。然而，在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營(yíng)虧
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