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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款可實(shí)現(xiàn)高性能打印并節(jié)能約30%的、由１節(jié)鋰離子電池（3.6V）驅(qū)動的新結(jié)構(gòu)熱敏打印頭“KR2002-Q06N5AA”。 近年來，隨著物流行業(yè)的發(fā)展而普......
1.單向開關(guān)二極管，連接AB兩端的管子。像一個(gè)開關(guān)，閉合導(dǎo)通，斷開分離。二極管中的PN結(jié)充當(dāng)開關(guān)的閥門。AB兩端的壓差超過0.7V時(shí)，開關(guān)打開，管子導(dǎo)通。值得注意的是，二極管導(dǎo)通AB兩端的控制條件藏在A中，而三極管卻是藏......
三極管用作開關(guān)時(shí)的常見電阻配置，如下圖所示。本文嘗試解析為何這些電阻要放置在這個(gè)位置，而不是那個(gè)位置。在其位，謀其職。電阻R11）產(chǎn)生基級電流Ib【三極管是流控型器件】流控在于，其輸出電流IC和IB具有關(guān)系IC=β*IB......
12日，松下集團(tuán)旗下從事電子零部件業(yè)務(wù)的松下工業(yè)公司負(fù)責(zé)人在記者會上鞠躬道歉，承認(rèn)在向第三方機(jī)構(gòu)申請產(chǎn)品品質(zhì)認(rèn)證的過程中，存在篡改測試數(shù)據(jù)等違規(guī)行為。松下工業(yè)稱，當(dāng)時(shí)為了獲得相關(guān)認(rèn)證，對用于汽車、家電等產(chǎn)品的電子零部件材......
今天開始討論運(yùn)算放大器引入負(fù)反饋后的電路應(yīng)用，先從最簡單的跟隨器說起，也就是直接將運(yùn)放輸出端連接到運(yùn)放負(fù)輸入端，如下圖：根據(jù)運(yùn)放的特性，有負(fù)反饋的情況下，其正輸入端和負(fù)輸入端壓差為0，也就是Vin- = Vin+ ，而 ......
MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同......
MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈→S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向?yàn)镾→D，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電......
貼片壓敏電阻和TVS二極管可作為過電壓保護(hù)部件使用。這些產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和制造方法完全不同，但作為靜電保護(hù)器件卻具有相似的性質(zhì)。由此，雖然在電路上都可以使用，但也存在不能使用貼片壓敏電阻的情況。的確，由于其歷史背景，產(chǎn)品目錄和......
今天咱們來聊聊為啥mos管開關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開關(guān)。mos管驅(qū)動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅(qū)動芯片驅(qū)動，我們就以這個(gè)驅(qū)動設(shè)計(jì)為主。說起mos管關(guān)斷，通常電壓會比開通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會比開通......
01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管......
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