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            帶電流檢測(cè)的門極驅(qū)動(dòng)ICs: IR212X

            ——
            作者:未知 時(shí)間:2005-10-29 來(lái)源: 收藏


             


             

            概要

            器件介紹
            電流檢測(cè)原理
            電流檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)
            布線注意事項(xiàng)

            1) 器件介紹

            IR有四款單通道驅(qū)動(dòng)器具有電流檢測(cè)功能。IR2121和IR2125分別為低端和高端驅(qū)動(dòng)器,它們具有較高的驅(qū)動(dòng)能力(1A出/2A 入)。這兩款器件內(nèi)的電流檢測(cè)電路使用一個(gè)定時(shí)電路,由ERR 腳來(lái)確定從檢測(cè)出過(guò)流到關(guān)閉輸出的延遲時(shí)間。IR2127 和IR2128 都是高端驅(qū)動(dòng)器(IR2127 的輸入為高有效,IR2128的輸入為低有效),它們的輸出能力較低(200mA出/420mA入),電流檢測(cè)電路也比較簡(jiǎn)單。

            對(duì)于那些需要長(zhǎng)時(shí)間輸出為高,或者負(fù)載阻抗較大(>500 ohm)的應(yīng)用,自舉電容上的電壓就會(huì)下降。這種情況下就需要一個(gè)充電泵電路(見應(yīng)用指南AN978)。如何選擇自舉元件請(qǐng)看DT98-2“驅(qū)動(dòng)自舉元件的選擇”。

            2) 電流檢測(cè)原理

            IR2127/IR2128 電流檢測(cè)功能

            圖一給出了IR2127/IR2128 的典型接線圖。CS 腳即是用來(lái)檢測(cè)電流的。檢測(cè)電路有一段間隙時(shí)間以確定在器件開通時(shí)CS不被誤觸發(fā)(在緊接輸出變高后的一段與間隙時(shí)間相等的時(shí)間里,標(biāo)么值為750nS,IC最初忽略CS腳上的電壓)。過(guò)了這段間隙,如果CS 上電壓還在開啟電壓之上,IC 就關(guān)掉輸出,置FAULT端為低(注意:FAULT端為漏極開路輸出,所以是低有效)。

            當(dāng)輸入被關(guān)掉,F(xiàn)AULT 信號(hào)被清掉,IC被復(fù)位。如果過(guò)流依然存在,對(duì)于接下來(lái)的有效輸入信號(hào)IC將重復(fù)上述動(dòng)作。因此過(guò)流保護(hù)是一個(gè)周期一個(gè)周期重復(fù)的。

            圖1)IR2127典型接線圖

            IR2121/IR2125的電流檢測(cè)功能

            圖二給出了IR2125 的典型接線圖。IR2121的典型接線圖與其相似,而它是低端驅(qū)動(dòng),不需要自舉二極管(1腳和8 腳內(nèi)部連接到一起)。同樣CS腳是用來(lái)檢測(cè)電流的。同樣有一段間隙時(shí)間以確定在器件開通時(shí)沒有誤觸發(fā),但動(dòng)作稍有不同。當(dāng)CS端電壓達(dá)到開啟電壓(230mV)時(shí),IC檢測(cè)到過(guò)流。這時(shí)IC會(huì)等一段與間隙時(shí)間相等的時(shí)間(500ns標(biāo)么值)以濾掉功率器件開關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的噪音毛刺。過(guò)了這段間隙如果CS上電壓還在開啟電壓之上,輸出驅(qū)動(dòng)器就切換到線形模式,由一個(gè)反饋放大器控制輸出電壓。這個(gè)放大器和輸出功率開關(guān)組成一個(gè)負(fù)反饋回路以控制電壓到一個(gè)較低的值,將開關(guān)器件電流限制在預(yù)設(shè)值之內(nèi)。該預(yù)設(shè)值由CS 腳和VS(IR2125)或COM(IR2121)腳之間的取樣電阻值決定。例如,如果取樣電阻是0.23 歐姆,則電流將被限制在1A。

            圖2)IR2125典型接線圖

            ERR 腳是多功能的,它提供狀態(tài)指示,線形模式時(shí)序和周期循環(huán)控制。當(dāng)IN為低時(shí),ERR腳被以30mA的下拉電流拉低。當(dāng)IN變?yōu)楦邥r(shí),ERR腳呈高阻狀態(tài)接一個(gè)1 M 下拉電阻。當(dāng)CS 腳有過(guò)流信號(hào),輸出級(jí)切換到線性模式時(shí),ERR腳將輸出100uA 充電電流到連接在ERR 和COM 之間的電容上。所以,ERR 腳電壓將以某個(gè)速度上升。該速度由電容決定(dt=C*(dv/Ierr))。如果CS腳電壓消失,充電電流將被終止。驅(qū)動(dòng)器又回到正常的開關(guān)模式??墒侨绻收蠣顟B(tài)還存在,ERR電容被充電到1.8V以上,那么ERR觸發(fā)比較器將被觸發(fā),輸出被關(guān)閉。ERR觸發(fā)比較器還會(huì)啟動(dòng)一15mA上拉電流,將ERR腳拉高至Vcc以指示故障。ERR 觸發(fā)比較器也會(huì)被外部脈沖觸發(fā)來(lái)完成周期循環(huán)關(guān)閉功能。為了防止電流過(guò)大,只有在輸出為高時(shí),這些脈沖才會(huì)發(fā)生(記?。寒?dāng)輸入為低時(shí),Err腳被下拉,下拉電流為30mA)。

            電流傳感功能被設(shè)計(jì)用來(lái)處理如圖3)的“硬”短路和脈沖式短路故障。在硬短路情況下,ERR 電容值決定在關(guān)閉發(fā)生之前,線性模式的時(shí)間長(zhǎng)短。在脈沖式短路情況下,ERR 電容起了一個(gè)積分器的作用,它決定了在關(guān)閉剩余周期之前所允許脈沖短路的個(gè)數(shù)。

            圖3a ‘硬’短路時(shí)的保護(hù)邏輯 圖3b 脈沖短路時(shí)的保護(hù)邏輯

            3) 電流檢測(cè)電路設(shè)置

            基本的源極/發(fā)射極取樣電阻設(shè)置

            圖4 中的電路說(shuō)明了源極/發(fā)射極取樣電阻的用法。電阻值的選擇依據(jù)你所期望的觸發(fā)電流水平,在此電流水平上,電阻上的電壓,也就是加到CS端上的電壓將超過(guò)Vcsth+開啟電壓。這種方法有兩個(gè)缺點(diǎn):

            1)所有負(fù)載電流流過(guò)取樣電阻,產(chǎn)生功耗,降低效率。 2)反向電流流過(guò)主開關(guān)器件的反并二極管,產(chǎn)生負(fù)電壓加到CS端。此電壓必須限制在300mW以內(nèi)。

            此電路主要的優(yōu)點(diǎn)是用于IGBT和MOSFET都非常簡(jiǎn)單。

            圖4)應(yīng)用源極/發(fā)射極取樣電阻的電流檢測(cè)電路

            使用Hexsense MOSFET 的電路設(shè)置

            圖5)給出了使用Hexsense 帶電流檢測(cè)的 MOSFET時(shí)的電路配置。在此電路中,一部分漏極電流從Hexsense MOSFET 的電流檢測(cè)腳流出,流過(guò)取樣電阻,再流到源極。電流取樣電阻阻值取決于與MOSFET 上過(guò)載電流相應(yīng)的從Hexsense電流檢測(cè)腳上流出的那部分電流的大小。

            圖5)應(yīng)用Hexsense MOSFET 的電流檢測(cè)方法

            此電路要比在源極/發(fā)射極下串取樣電阻的方法要好,因?yàn)橹挥幸恍〔糠致O電流流過(guò)取樣電阻,所以功耗顯著降低。一個(gè)可能的缺點(diǎn)是在額定電壓和Rds(on)方面與常規(guī)MOSFET 相比,沒有太多的Hexsense MOSFET 可供選擇。

            欠飽和檢測(cè)電路

            圖6 所示的電流檢測(cè)電路是所謂的欠飽和檢測(cè)電路。它起初用于IGBT,用來(lái)檢測(cè)由于過(guò)流而過(guò)飽和的IGBT 的電壓。這就是說(shuō),它也可以用于MOSFET。對(duì)于MOSFET,原理相似,因?yàn)檫^(guò)載時(shí)FET上的電壓將會(huì)顯著增加。

            圖6)欠飽和檢測(cè)電路圖

            計(jì)算電阻值用下面的方法。

            Rg是門極電阻,選擇適當(dāng)阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和開關(guān)損耗。

            R1典型值為20k;高的阻值有助于最大限度地減小由于二極管D1而增加的彌勒電容,確保沒有顯著電流從HO 流出。注意二極管D1 應(yīng)具有和自舉二極管一樣的特性。

            當(dāng)HO 輸出為高時(shí),MOSFET(也可以是IGBT)Q1 開通。則圖6 中的X點(diǎn)被拉低至一個(gè)電壓,此電壓等于FET 上的壓降Vds 加上二極管D1 壓降。所以,當(dāng)FET Q1 上的壓降達(dá)到你所設(shè)定的指示過(guò)載故障的限值時(shí),我們將關(guān)掉驅(qū)動(dòng)器輸出。

            所以Q1 上Vds 電壓為10V。一個(gè)的超快恢復(fù)二極管的典型電壓值為

            1.2V。 Vx=VD1+VDS

            Vx=1.2+10
            Vx=11.2V

            IR2127 CS 端開啟電壓為250mV,所以我們需要對(duì)Vx 分壓,使Vx=11.2V 時(shí),Vy=250mV。

            VY=Vx * R3/(R2+R3) 設(shè)R2=20k R3=457

            4) 布板注意事項(xiàng)

            以下是在應(yīng)用電流傳感驅(qū)動(dòng)器時(shí)布板需要注意的幾點(diǎn)。

            1)盡可能縮短輸出到門極的連線(小于1 inch 比較合適)。 2)使電流檢測(cè)電路盡可能靠近IC以使由電路耦合噪聲引起誤觸發(fā)的可能性

            降到最低。 3)所有大電流連線盡可能加寬以減小電感。 4)更進(jìn)一步的布線提示可以參考設(shè)計(jì)提示97-3“由控制IC 驅(qū)動(dòng)的功率電

            路中的瞬態(tài)問題的處理”

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            關(guān)鍵詞: 門極驅(qū)動(dòng)

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