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            EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

            臺(tái)積電完成0.18微米快閃新制程認(rèn)證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品

            作者: 時(shí)間:2009-04-02 來(lái)源:聯(lián)合新聞網(wǎng) 收藏

              日前宣布完成0.18微米閃存(0.18-micron embFlash)制程認(rèn)證,此制程因有低漏電的特性,因此適用于手持式裝置與汽車(chē)電子等應(yīng)用上,有助于爭(zhēng)取更多新客戶(hù),預(yù)計(jì)今年第3季就可以量產(chǎn)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/93069.htm

              目前已經(jīng)擁有0.25微米到90奈米的閃存制程技術(shù),過(guò)去在相關(guān)市場(chǎng)也都有提供服務(wù),也已貢獻(xiàn)營(yíng)收。而目前因看好模擬、功率、汽車(chē)電子等市場(chǎng),因此增加及更新了0.18微米的相關(guān)技術(shù),希望能替既有客戶(hù)提供服務(wù),同時(shí)也爭(zhēng)取相關(guān)新客戶(hù)。

              臺(tái)積電指出,0.18-micron embFlash制程不僅可擴(kuò)充臺(tái)積電在相關(guān)市場(chǎng)的產(chǎn)品線,且該制程只需要用到 7層的光罩,目前就可在臺(tái)積3廠量產(chǎn)投片。

              此外,臺(tái)積電0.18微米超低漏電閃存制程也瞄準(zhǔn)省電的手持裝置內(nèi)建處理器等;在 1.8伏特電壓下,可較標(biāo)準(zhǔn)化制程減少95%的漏電;且此制程閃存IP將可在待機(jī)電流下減少 80%耗能,以及在有效電流下減少60%耗能,預(yù)計(jì)今年第3季就可提供客戶(hù)量產(chǎn)。

            linux操作系統(tǒng)文章專(zhuān)題:linux操作系統(tǒng)詳解(linux不再難懂)


            關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 嵌入式 芯片

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