用于高功率發(fā)光二極管的覆銅陶瓷基板(07-100)
—— 用于高功率發(fā)光二極管的覆銅陶瓷基板
作者：Electro-Thermo公司 Alfred Dehmel，Dr. Jürgen Schulz-Harder，Alexander Roth，Ingo Baumeister
時間：2009-03-04
來源：電子產(chǎn)品世界
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對于封裝型發(fā)光二極管的研究，我們使用了Lumileds Luxeon V (數(shù)據(jù)取自公開數(shù)據(jù)單)以作模擬，同時視察了優(yōu)化散熱的布局模式之熱分布結(jié)果。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/92046.htm 
圖8 幾何模型
材料是用一塊鋁覆銅基板1 mm Al / 75 μm絕緣介質(zhì)/70 μm Cu (介質(zhì): 2,2 W / mK)。邊界條件是把散熱器固定于攝氐20度。至于晶粒直焊基板模擬，我們使用一個 2x2mm的 GaAs正方型體，使用的軟件是 IcePack。
封裝型發(fā)光二極管的模擬結(jié)果
基板物料 RB 的熱阻顯示了和絕緣物厚度的相依性(圖9)。在封裝型發(fā)光二極管中，測量到最低值的靜態(tài)基板熱阻是0.3 K/W。
圖9 模擬熱阻(包括擴散)
封裝內(nèi)的溫度分布顯示了大多數(shù)的熱能都分布在封裝內(nèi)的金屬片上。
圖10 結(jié)到基板的總熱阻
因此參考整體熱阻RJ-B顯示出基板熱阻的降低并未對發(fā)光二極管的芯片有很大的作用。 雖然溫度有肯定性的減低， Rth跌幅并不很明顯。這是因為封裝本身的熱阻太高而即使基板的熱阻降低卻未能影響到整體結(jié)果。
圖11 結(jié)到基板的總模擬熱阻
當(dāng)其封裝的熱阻要求再下降，封裝型發(fā)光二極管的情況需重新評估。
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