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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 在微處理器復(fù)位IC中調(diào)節(jié)滯回(08-100)

            在微處理器復(fù)位IC中調(diào)節(jié)滯回(08-100)

            —— 在微處理器復(fù)位IC中調(diào)節(jié)滯回
            作者:Adjustable hysteresis in microprocessor-reset Ics Adjustable hysteresis in microprocessor-reset Ics 時(shí)間:2009-02-25 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

              基于的系統(tǒng)往往包括一個(gè)3引腳的復(fù)位。這些器件用于監(jiān)測(cè)單電源供電電壓,并在欠壓情況下提供一個(gè)系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)。一般來(lái)說(shuō),這種具有固定的滯回電壓(在VCC上升和下降時(shí)門(mén)限值電壓的差異),利用一個(gè)簡(jiǎn)單電路(圖1)可以調(diào)整這個(gè)電壓,提高設(shè)計(jì)靈活性。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/91692.htm

              隨著VIN上升到1.0V以上,/RESET輸出為低電平,表明輸入電壓低于監(jiān)測(cè)門(mén)限。電流從VIN經(jīng)過(guò)RP到內(nèi)部的MOSFET驅(qū)動(dòng)器,然后經(jīng)過(guò)RH到GND,在RH上產(chǎn)生一個(gè)偏移電壓。由于內(nèi)部的電壓基準(zhǔn)以GND為參考,偏移電壓加到了VCC上升時(shí)的門(mén)限值。新的上升門(mén)限值可以計(jì)算如下:

              當(dāng)VIN上升并跨越這一門(mén)限,而且保持時(shí)間超出復(fù)位周期時(shí),/RESET解除復(fù)位狀態(tài),流經(jīng)RH的電流下降,使VCC門(mén)限值恢復(fù)到標(biāo)稱(chēng)值。

              假定一個(gè)復(fù)位(MAX6383XR31D1)的復(fù)位門(mén)限為3.08V,上拉電阻(RP)為10kΩ。如果希望上升時(shí)的門(mén)限為3.18V(100mV滯回),由上述方程可以得到RH(忽略供電電流和MOSFET輸出驅(qū)動(dòng)器導(dǎo)通電阻的影響),為324.68Ω。最接近的1%標(biāo)準(zhǔn)電阻是324Ω。

              圖片(圖2)顯示了電路的工作狀態(tài)。測(cè)量到上升時(shí)的門(mén)限值為3.1984V,下降時(shí)的門(mén)限值為3.0891V,產(chǎn)生109.3mV滯回。9.3mV差異(相對(duì)計(jì)算值100mV)主要是由MOSFET的導(dǎo)通電阻、器件供電電流以及電阻誤差所致。

              注意,RH會(huì)把滯回電壓添加到/RESET輸出的VOL(邏輯低電平電壓)。在這個(gè)例子中,VOL測(cè)量到的最大值為127mV。因此,應(yīng)該確保連接到/RESET的電路能接受高一點(diǎn)的VOL。

             

              圖 1 電路中,RH和RP用于調(diào)整滯回并確定復(fù)位周期

             

              圖 2 對(duì)圖1電路的測(cè)試波形,100mV滯回,即VCC(CH1)在/RESET(CH2)上升沿和下降沿交點(diǎn)的電壓差為100mV



            關(guān)鍵詞: 微處理器 IC 示波器

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