ODT終端電阻值RTT可以通過DDR2 SDRAM內部的EMR寄存器來設定：首先配置EMR[15:14]=01來選定該寄存器工作于EMR(擴展模式寄存器)模式，然后通過EMR[6]和EMR[2]兩位來設置內部RTT的值，允許選擇為RTT關閉，75歐姆，150歐姆，50歐姆這四種模式。以選擇75歐姆這種模式為例，圖1中，DQ引腳內部的上拉電阻和下拉電阻將配置為150歐姆。

　　需要注意，DDR2 SDRAM的ODT技術，只是對DQ,DQS,DM這些信號(在選擇了差分DQS的情況下，也包括DQS#信號)實現了內部匹配。而地址和控制信號等仍需要通過外部匹配。

　　* Posted CAS

　　以讀DDR2 SDRAM為例。

　　圖2 多塊數據讀取時的間隙問題

　　DDR2 SDRAM和DDR SDRAM一樣，是通過Bank(塊地址),Row(行地址)和Column(列地址)三者結合實現尋址。每一次對DDR2 SDRAM的操作，都以ACTIVE命令(圖2的ACT命令，通過有效#RAS信號實現)開始，在發(fā)出該命令的同時，通過地址信號線發(fā)出本次操作的Bank和Row地址，此后等待tRCD時間后，發(fā)起READ/AUTO PRECHARGE命令(圖2 的RD AP命令，通過有效#CAS信號實現)，該命令的作用是發(fā)出讀取命令，同時通過地址信號線發(fā)出本次操作的Column地址。最后，等待CAS Latency時間之后，數據即通過數據總線輸出。

　　由于DDR2 SDRAM的存儲空間相對DDR SDRAM有所增加，因此Bank數目也有所增加。例如，DDR SDRAM單片最大容量為1Gbit，Bank數目是4，而DDR2 SDRAM單片最大容量為2Gbit，Bank數目達到了8。DDR SDRAM的Bank數目最少是2，而DDR2 SDRAM的Bank數目最少是4。為了提高性能，經常需要在一個Bank的操作完成之前插入對下一個Bank的操作。如圖2，在發(fā)出對Bank0的ACT命令之后，無需等待對應的RD AP命令發(fā)出，只用滿足tRRD時間要求，即可發(fā)出對另一個Bank的ACT命令。

　　按照這種工作模式，從圖2中可以發(fā)現，對Bank2的ACT命令實際上延遲了一個時鐘周期，該命令本來應該在RD AP(Bank 0)的位置出現，但由于RD AP(Bank 0)命令已經出現在該時鐘周期(占用了地址總線，以發(fā)出Column地址)，從硬件信號上來說，即在這個周期已經使能了CAS#信號，所以無法使能對應另一個Bank的RAS#信號，因此只能延時一個時鐘周期。其結果是，本來應該是流水線式的數據輸出流被打斷，Bank1的數據輸出后，需要等待一個時鐘周期，Bank2的數據才得到輸出。數據流間隙的出現，將影響芯片的性能。