在某些情況下，ESD（靜電放電）事件會(huì)毀壞數(shù)字電路，造成閂鎖效應(yīng)。例如，受到 ESD 觸發(fā)時(shí)，通常構(gòu)成 CMOS 器件中一部分的寄生晶體管會(huì)表現(xiàn)為一個(gè) SCR（可控硅整流器）。一旦 ESD 觸發(fā)， SCR 會(huì)在 CMOS 器件的兩部分之間形成一個(gè)低阻通道，并嚴(yán)重導(dǎo)電。除非立即切斷電路的電源，否則器件就會(huì)被損壞。人體交互產(chǎn)生的 ESD 是手機(jī)和醫(yī)療設(shè)備中遇到的大問題。為了有足夠的 ESD 防護(hù)，多數(shù)醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)設(shè)備都需要為 ESD 電流設(shè)置一個(gè)接地回路。而在實(shí)際生活中，移動(dòng)設(shè)備可以對(duì)付沒有合適的電源接地引出線的使用環(huán)境。
　　為了在沒有 ESD接地的情況下也能防止昂貴的設(shè)備遭受閂鎖故障，可以增加一個(gè)如圖顯示的電源斷路電路，防止由ESD引起的閂鎖而造成的損害。正常情況下，易受ESD影響的器件所吸收的電流會(huì)在電阻器R6上產(chǎn)生一個(gè)小壓降。R4和R5構(gòu)成的電壓分壓器規(guī)定了一個(gè)光隔離器IC1 LED端口的復(fù)位電流閾值，在正常工作電流消耗下，LED是不亮的。
　　IC₁的輸出控制著加在MOSFET Q₁上的柵極偏置，Q₁通常是導(dǎo)通的。當(dāng)出現(xiàn)閂鎖時(shí)，電源電流會(huì)快速增大一至多個(gè)數(shù)量級(jí)。R₆上產(chǎn)生的高電壓降正向偏置IC₁的LED ，于是 IC₁的光電晶體管導(dǎo)通，從而關(guān)斷Q₁，直流電源向受 ESD 影響器件的供電被中斷數(shù)毫秒。另外，系統(tǒng)的固件設(shè)計(jì)必須能夠達(dá)到允許從電源中斷狀態(tài)自動(dòng)恢復(fù)。

本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/8905.htm
　　下式描述了復(fù)位電流閾值與R4和R5值之間的關(guān)系：(R₄+R₅)/R₄=(I_T

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