半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進(jìn)一步提高的關(guān)鍵性因素。轉(zhuǎn)向低k銅工藝技術(shù)是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝。

　　為了能與芯片制造工藝完美結(jié)合，不產(chǎn)生可靠性問題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對低k材料研發(fā)本身的挑戰(zhàn)在于：在獲得所需要的低介電常數(shù)的同時，低k材料還必須滿足良好的熱和機(jī)械特性。但目前并沒有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來，因而給半導(dǎo)體制造工藝帶來了挑戰(zhàn)。

　　由于低k材料本身的材料特性（與金屬層較弱的粘結(jié)力，較弱的機(jī)械強(qiáng)度），在晶片的切割時在芯片的邊緣會出現(xiàn)嚴(yán)重的金屬層與ILD層的分層或剝離；在焊線過程中會出現(xiàn)斷焊，弱焊或金屬層與ILD層的剝離。金鋁兩種材料的焊接在可靠性測試中出現(xiàn)比非低k材料焊線嚴(yán)重的金屬間化合物的分層，導(dǎo)致集成電路電性失效。上述這些可制造性及可靠性的問題構(gòu)成了對半導(dǎo)體封裝工藝的挑戰(zhàn)。

　　1 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展趨勢

　　高速度，低成本和高可靠性代表了終端用戶對半導(dǎo)體集成電路發(fā)展／改進(jìn)的期望。而支持半導(dǎo)體集成電路不斷改進(jìn)的原動力是芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小。半導(dǎo)體集成電路制造產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為電子制造業(yè)的基礎(chǔ)和核心，支持并推動著相關(guān)產(chǎn)業(yè)的繁榮與發(fā)展。半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會（SIA Semiconductor Industry Association）在2007年2月2日的世界半導(dǎo)體集成電路銷售調(diào)查報告中提到“全球半導(dǎo)體集成電路的銷售額在2006年又創(chuàng)新高，達(dá)到2477 億美元，比2005年的2275億美元的銷售額提高了8.9%。2006年是消費(fèi)類半導(dǎo)體年，半導(dǎo)體集成電路銷售額的增長主要來自流行的消費(fèi)類產(chǎn)品，如手機(jī)，MP3播放器及高清電視等。而這些電子產(chǎn)品銷售額的增長應(yīng)歸功于半導(dǎo)體集成電路設(shè)計／制造技術(shù)的進(jìn)步以及隨之而來的功能更豐富，成本更低廉的半導(dǎo)體集成電路的問世。

　　國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖（ITRS International Technology Roadmap for Semiconductor）是由SIA出版的預(yù)測全球半導(dǎo)體集成電路技術(shù)發(fā)展的權(quán)威性報告[1]。 ITRS報告每兩年更新一次，圖1是ITRS 2005年版報告中關(guān)于DRAM和MPU技術(shù)節(jié)點(diǎn)(Technology Node)的發(fā)展趨勢的預(yù)測。從圖中可以看出，DRAM 線間距 （Half Pitch）從2001年以后，每3年改變一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)，每兩個技術(shù)節(jié)點(diǎn)，線間距降低50%。而在2001年以前，這個技術(shù)指標(biāo)每兩年就改變一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)。MPU / ASIC的1/2 線間距一直到2004年還維持著每隔2年改變一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)的能力，但在2004年以后，MPU / ASIC進(jìn)步的節(jié)奏也慢了下來，變?yōu)槊?年改變一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)，與DRAM的發(fā)展趨勢同步。

圖1半導(dǎo)體集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展路線圖

　　表1列出了對光刻技術(shù)的需求的時間路線圖，從表中也可以看出，MPU的物理柵極長度（Ph GL）自2005年以后也從每２年一個變化周期改為每３年一個變化周期，與DRAM/ MPU 1/2 線間距的變化趨勢同步。

表1半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)發(fā)展路線圖

　　2 半導(dǎo)體集成電路發(fā)展的瓶頸和解決方案

　　集成電路元器件密度與能力的不斷提高是以集成電路關(guān)鍵尺寸的不斷縮小和芯片內(nèi)信號互連布線不斷復(fù)雜化，布線層數(shù)不斷增加為代價的[2-3]。當(dāng)集成電路的關(guān)鍵尺寸降到90納米以下時，信號傳輸延遲，交互干擾噪聲已及互連線的功率消耗等問題已成為甚大規(guī)模集成電路（ULSI)發(fā)展的阻礙?；ミB線尺寸因素對集成電路性能的影響可以通過對多層互連線阻容信號延遲 （RC Delay）的分析獲得[4]。

　　假設(shè)集成電路內(nèi)信號互連線的材料保持不變，則隨著互連線尺寸的不斷收縮，RC延遲將以互連線尺寸收縮速率的平方關(guān)系增加。在90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，由互連導(dǎo)致的信號延遲已經(jīng)超過了微處理器的門延遲。如果再考慮到交互干擾噪聲，功率消耗問題，集成電路的整體性能會進(jìn)一步下降。同時，由于器件集成度的提高，互連金屬線的層數(shù)也要相應(yīng)地增加，集成電路制造工藝的復(fù)雜化將會對制造良品率和制造成本產(chǎn)生負(fù)面影響。

　　為了解決上述問題，具有更低電阻率的互連金屬材料和較低介電常數(shù)的層間絕緣材料被開發(fā)出來。IBM公司于1997年率先宣布低介電常數(shù)銅工藝晶片制造技術(shù)開發(fā)成功。銅金屬具有比鋁金屬更低的電阻率（1.68μΩ.cm vs 2.65μΩ.cm），采用銅金屬互連線不僅可以降低互連線的線寬，還可以降低互連線的厚度，而后者可以有效地降低同一層中互連線之間的電容，減小交互干擾噪聲和電源功率消耗。銅互連導(dǎo)線與較低K值的層間絕緣材料的引進(jìn)，有效地解決了RC延遲的問題[5]。

　　3 低k銅工藝對半導(dǎo)體封裝工藝的挑戰(zhàn)

　　在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中引入低介電材料和銅導(dǎo)線能夠顯著地提高集成電路的性能，但同時它也為后續(xù)的半導(dǎo)體封裝工藝帶來了諸多困難。當(dāng)作為金屬層間絕緣材料的二氧化硅被低介電材料（K值小于３）所取代時，新的ILD層比傳統(tǒng)的ILD層更脆，而且具有相對較差的導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度，與金屬層的粘結(jié)力與傳統(tǒng)的二氧化硅材料相比較小。低k材料的引入給半導(dǎo)體封裝中的劃片（Dicing Saw）和焊線(Wire Bonding)工藝帶來了挑戰(zhàn)[6]。

　　4 在劃片工藝中金屬層與ILD層的分層與剝離

　　在低k 晶片的劃片過程中，最常見的缺陷是芯片邊緣金屬層和ILD層的分層(Delamination)或剝離(Peeling)。由于低k材料本身所固有的特性（如與金屬層較弱的粘結(jié)力，較弱的機(jī)械強(qiáng)度），在低k晶片的劃片過程中，經(jīng)?？梢栽谛酒吘壈l(fā)現(xiàn)嚴(yán)重的金屬層與ILD層的分層甚至是剝離（如圖2，3所示）。這種缺陷在普通的非低k晶片的劃片過程中是不存在的或是極少出現(xiàn)的。這種新的缺陷不僅降低了劃片工序的良品率，更嚴(yán)重的是它會使集成電路在使用過程中產(chǎn)生潛在的可靠性問題(圖4)。而在集成電路半導(dǎo)體封裝的大規(guī)模生產(chǎn)中，對每一個芯片的切割質(zhì)量進(jìn)行100%
的質(zhì)量檢查是不可能做到的，因為受檢測手段和檢測時間的限制，100%的質(zhì)量檢查無法滿足經(jīng)濟(jì)規(guī)模生產(chǎn)的要求。同時，依靠生產(chǎn)檢查人員對已劃片的芯片樣品進(jìn)行的抽檢又不能保證發(fā)現(xiàn)所有的切割缺陷。因為缺少對低k晶片切割缺陷的深入理解及其與封裝可靠性的關(guān)聯(lián)性，以及切割缺陷在晶片上的分布規(guī)律，使得低k晶片的切割工藝的可制造性受到了關(guān)注[7]。

圖2劃片時LowKILD層與金屬層的剝離

圖3劃片后的SEM照片

圖4經(jīng)過500次溫度循環(huán)老化試驗后的FIB分析

　　這種分層或剝離在芯片隨后的使用過程中或可靠性試驗中，隨著工況條件的惡化而擴(kuò)散，直至斷裂，導(dǎo)致集成電路的失效。