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            EEPW首頁 > EDA/PCB > 設計應用 > SDRAM接口的VHDL設計

            SDRAM接口的VHDL設計

            作者:清華大學電子工程系 沙燕萍 曾烈光 時間:2008-06-13 來源:電子技術應用 收藏

              3.2 寫操作時序設計

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/84168.htm

              當數據轉移方向為從雙口RAM到時,如果寫操作行地址未發(fā)生變化,可以滿足每時鐘周期寫入一次數據的高速操作。但是當SDRAM行地址發(fā)生變化時,必須返回預充狀態(tài),由于從SDRAM的寫命令輸入到SDRAM數據輸入之間沒有延時,所以判斷下一寫操作的行 地址是否發(fā)生變化無需提前判斷,因此寫操作狀態(tài)轉移圖比讀操作部分簡單。寫操作部分的狀態(tài)轉移圖如圖3所示。

              在所設計的讀、寫操作時序中,SDRAM地址、數據、控制信號和RAM部分的地址、數據、讀寫控制信號均由有限狀態(tài)機產生,因此在狀態(tài)轉移過程中還必須仔細考慮RAM部分輸出控制信號的時序關系。

             ?。?實現

              硬件描述語言(Very=high Speed IC HARDWARE DESCRIPTION Language)是一種應用于電路設計的高層次描述語言,具有行為級、寄存器傳輸級和門級等多層次描述,并且具有簡單、易讀、易修改和與工


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