線性穩(wěn)壓器的選擇依據(jù)通常性能列表中的主要規(guī)格，而不是位于數(shù)據(jù)表封面以內(nèi)的非常關(guān)鍵的核心和性能參數(shù)。規(guī)格經(jīng)常很容易令人誤解 — 封面上所列的規(guī)格只代表主要參數(shù)，但如果不與其他連接參數(shù)相結(jié)合時，便失去了價值。

　　例如，接地電流是這些參數(shù)中的一個。出現(xiàn)這種情形的原因是, 線性穩(wěn)壓器市場的競爭性質(zhì)讓器件制造商認(rèn)識到, 需要讓時間有限的工程師們更加關(guān)注自己的器件。此外，在信息提供方式方面，也沒有真正的標(biāo)準(zhǔn)化。不同的數(shù)值范圍、溫度和負(fù)載只會使設(shè)計工程師在比較部件時導(dǎo)致混淆。

　　線性穩(wěn)壓器 — 它們是什么？

　　現(xiàn)代線性穩(wěn)壓器為滿足具有挑戰(zhàn)性的要求提供了許多獨特的結(jié)構(gòu)。基本上，線性穩(wěn)壓器是一個運算放大器加一個和通路晶體管。運算放大器使用兩個參考點 — 一個是內(nèi)部帶隙基準(zhǔn)，另一個是輸出端的電阻分壓電路。在穩(wěn)壓過程中，電阻分壓網(wǎng)絡(luò)的電 壓值向運算放大器提供與帶隙基準(zhǔn)相比較的反饋。

　　比較的結(jié)果決定了通路晶體管增加或減少導(dǎo)通電流。這是具有兩個主極點的閉環(huán)系統(tǒng)，這兩個主極點分別是誤差放大器/通路晶體管的內(nèi)部極點，以及輸出電流需求和輸出電容器的 ESR 構(gòu)成的外部極點。這兩個主導(dǎo)極點的處理將影響器件的性能，并會對閉環(huán)的穩(wěn)定性構(gòu)成主要影響。

　　了解線性穩(wěn)壓器分類

　　更高的效率是設(shè)計工程師持續(xù)的要求。這個要求就轉(zhuǎn)化為對Iq(靜態(tài)工作電流) 和正向電壓降的降低。隨著制造商提高線性穩(wěn)壓器的標(biāo)準(zhǔn)性能，也為其它特性帶來了負(fù)面影響。

　　通用線性穩(wěn)壓器的設(shè)計可以提供最佳的整體性能。

圖1

　　彼此互相影響的性能指標(biāo)會被折衷處理。

　　封裝選擇則主要取決于成本和廣泛的市場接受能力。

　　數(shù)字線性穩(wěn)壓器

　　數(shù)字線性穩(wěn)壓器設(shè)計用于支持系統(tǒng)的主數(shù)字核心。現(xiàn)代 DSP 和微控制器必須具有快速的效率以及通常較高的電流要求。

　　需要無線標(biāo)準(zhǔn)的新興市場需要大量的濾波。這為數(shù)字處理核心的軟件負(fù)載帶來很大的壓力，這將轉(zhuǎn)化為電源管理器件的高要求和快速響應(yīng)。這些功能驅(qū)使著那些對于數(shù)字負(fù)載非常重要的主要特性的發(fā)展。線路和負(fù)載調(diào)整率/瞬態(tài)響應(yīng)是其中首要的功能。這些參數(shù)盡管在數(shù)據(jù)表中通常不太容易找到，但可以通過兩種方式來規(guī)定：V/I 的偏差百分比或?qū)嶋H V/I 偏差值。這些值應(yīng)以一種負(fù)載電流為參考基準(zhǔn)或以輸入電壓的變化為參考基準(zhǔn) 。

　　電池供電的和低功率的系統(tǒng)具有長期的非工作時間。數(shù)字線路穩(wěn)壓器被設(shè)計在這期間進(jìn)入休眠狀態(tài)，但在需要時快速啟動。在休眠模式期間，線性穩(wěn)壓器的所有主操作 — 包括帶隙基準(zhǔn) — 將關(guān)閉。重要的是，快速開啟時不能導(dǎo)致過沖。線性穩(wěn)壓器的過沖以及克服過沖的能力取決于 Iq 值。隨著 Iq 值的降低，保持或改進(jìn)這種能力將會更難。

　　我們所需的就是能夠快速驅(qū)動內(nèi)部電容節(jié)點，并且具有可用電流來實現(xiàn)這一點。隨著我們進(jìn)一步降低驅(qū)動內(nèi)部電容節(jié)點的可用電流，線性穩(wěn)壓器的反應(yīng)能力將隨之降低。

　　假定您設(shè)計了一個反應(yīng)能力足夠快的電路，但存在過沖現(xiàn)象，則克服過沖的一種方法就是通過采用電容器來阻滯過沖。結(jié)果，這將增加電容負(fù)載，并且提高 Iq 值的需求。

　　模擬/射頻線性穩(wěn)壓器

　　模擬線性穩(wěn)壓器主要圍繞著空中接口的要求驅(qū)動。

　　空中接口是便攜式通信的最薄弱環(huán)節(jié)，因為信號對噪聲和信號衰減極為敏感。因此當(dāng)考慮模擬線性穩(wěn)壓器時，很重要的一點是，器件本身不會在所需的信號中進(jìn)一步增加噪聲，并且抑制其他電源的噪聲。模擬穩(wěn)壓器需要良好的抗噪聲性能(以有效值VRMS來度量)以及噪聲抑制能力(以電源抑制比PSRR的dB值來度量）。

　　降低噪聲

　　帶隙參考和通路晶體管是主要噪聲源。增加外部旁路電容器可以降低此噪聲，但這會增加成本以及波形系數(shù)。也可以在硅片內(nèi)增加內(nèi)部電容器，因為晶體管級別的噪聲實際上是以下兩個因素構(gòu)成的：熱噪聲和閃爍噪聲。原因是電子相互碰撞，和Si02 級別中的電子捕獲。

　　PSRR 是器件抑制另一個穩(wěn)壓組件或噪聲源產(chǎn)生的噪聲的能力。這在模擬環(huán)境中相當(dāng)重要，因為模擬 IC 器件比數(shù)字 IC 器件對噪聲更敏感。

　　噪聲本身與接地電流具有直接相關(guān)性，因為它受晶體管驅(qū)動的影響。Mosfet 中的驅(qū)動電流越低，閃爍噪聲和熱噪聲越差。較低的驅(qū)動又將轉(zhuǎn)換為較低的 Iq 值。

　　因此，在選擇線性穩(wěn)壓器時，必須查看產(chǎn)品詳細(xì)資料以評估您的獨特應(yīng)用所需的整體性能。