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    低壓差電壓調節(jié)芯片R1114的應用

    作者:■上海東鉅電子技術支援部 潘仰景 時間:2005-05-06 來源:eaw 收藏
    隨著如手機、PDA、MP3等大量便攜式電子設備需求猛增,此類電池供電產品電壓較低,同時內部供電電壓又有多種,故需要一種即能低壓工作,又具有三端穩(wěn)壓器的使用便利的降壓器件。同時還要具備小的封裝體積,于是LDO被研發(fā)出來并大量使用。這類器件不僅滿足了小體積,小壓差低壓工作特性,而且又具有低耗電能力。
    日本理光公司所生產的系列是一種高輸出電壓精度、低耗電、低導通阻抗、高紋波抑制以及采用CMOS工藝的電壓調節(jié)芯片。由于該系列具有良好的線性瞬時特性和有負載時的瞬時特性,因此非常適合于手持式通訊設備的供電。的封裝形式采用小體積SOT-23-5和SC-82AB,因此有利于在一塊板上進行高密度的安裝。此外,該系列還內置過流保護電路,可外接陶瓷電容,具有快速放電功能。的原理框圖如圖1所示。
    圖1中設定LDO Vout的內部電阻已確定,在訂貨時只需向生產商講明需求的電壓值即可,故整個電路的使用如三端穩(wěn)壓器一樣方便。在輸入端存在一個大于Vout的直流電壓,Vout端將出現(xiàn)一個預定的電壓,其中Vdd-Vout即LDO的壓差。在Vout已定的情況下,當Vdd發(fā)生跌落并跌至一個值時,LDO將會退出穩(wěn)壓。此時Vout也將會下降。在LDO退出穩(wěn)壓前,此時也有一個Vdd-Vout,這一值為LDO的最低壓差。LDO最低壓差和Iout有關,Iout越大則最低壓差也將越大。最低壓差同時也和內部的功率器件導通電阻值有關,在R1114系列的D系列中LDO內部在Vout和GND之間連接了一個MOS管,當CE腳不選時,MOS管導通可以使Vout端連接的外部電容通過MOS管快速放電。其外圍電路如圖2所示。
    當使用這些芯片的時候,應注意兩上方面:1.在這些IC中,為了使負載電流在發(fā)生變化的情況下,相位補償也能使芯片正常工作。要用一個頻率特性與等效串聯(lián)電阻穩(wěn)定的輸出電容。 2.使Vdd和GND腳的布線要足夠粗。假如它們的阻抗太高,產生的雜波可能會影響輸出。在Vdd和GND腳之間接入一個1.0mF的電容,該電容必需盡可能的接近IC相應的腳位。
    隨著便攜式產品越來越多的被應用,且隨著整機日益的復雜化,其內部供電電壓的重要性也越來越突出,R1114必將發(fā)揮更為重要的作用。■


    關鍵詞: R1114 東鉅

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