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            65nm工藝:臺(tái)積電宣布工藝和制造展望

            作者: 時(shí)間:2005-04-30 來源: 收藏
                臺(tái)灣的半導(dǎo)體廠在San Jose開的會(huì)議上宣傳他們的65nm工藝,說第一塊晶元會(huì)在今年11月份生產(chǎn)出來。 

                說FPGA廠商Altera和其他一些客戶已經(jīng)提出了65nm的設(shè)計(jì)和原型,這些設(shè)計(jì)方案將在今年下半年提交給。他們稱65nm工藝比之90nm用在在SOC上面可以提高兩倍的器件密度。 

                臺(tái)積電的第一代65nm技術(shù)叫Nexsys,將在11月份開始生產(chǎn),它對(duì)低功耗進(jìn)行了優(yōu)化,在2006年將有另一個(gè)高速的技術(shù),到2006年年底將出現(xiàn)一般的65nm工藝。2007年還將推出一個(gè)SOI版本和一個(gè)超高速版本。據(jù)說Nexsys比90nm工藝提高50%速度,降低20%功耗。65nm工藝將包含strained silicon和nickel silicide,并且是臺(tái)積電的第三代low-k工藝,第四代銅互連工藝。而且可能是臺(tái)積電第一代使用immersion lithography的工藝。 

                另外有消息說臺(tái)積電正在進(jìn)行80nm的過渡工藝,這是對(duì)90nm的改進(jìn),并且有普通的,高速的,低功耗的等版本。之前臺(tái)積電也有對(duì)130nm的改進(jìn),即110nm工藝。還有關(guān)于臺(tái)積電45nm工藝的消息,說在2008年會(huì)出現(xiàn)這樣的工藝。45nm工藝將使用銅互連,ultra low-k和immersion lithography。發(fā)言人認(rèn)為high-k技術(shù)在45nm工藝上還不能使用。 

                臺(tái)積電說他們?cè)?004年的成績(jī)是全球第二大半導(dǎo)體廠商,落后于Intel,不過領(lǐng)先于三星。臺(tái)積電的消息真多,他們?cè)陂_一個(gè)會(huì)議。從這些消息可以看出工藝的大致發(fā)展路線圖。


            關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電

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