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            優(yōu)化高電壓應用的電源開關

            —— Optimising the power switch in high voltage applications
            作者:Zetex半導體分立式產品開發(fā)經理 Peter Blair 時間:2007-04-10 來源:電子產品世界 收藏

              如今,高電壓小負荷被應用到多種領域。無論是啟動器、電動機、螺線管或變壓器、轉換電路,都在無休止地追求更好的能源效能、更佳的可靠性和更少的成本及封裝體積。對于此類負荷范圍的開關,這些技術上的要求似乎不外是“增強開關的功率密度!”,但在實際應用中如何才能夠達到最佳效果呢?

              在某種程度上,上述技術要求是自相矛盾的。例如,采用增加芯片體積的方法來增強效能,確實可以通過降低工作溫度來減少傳導損失及改進可靠性,但是這樣做的代價卻是成本及組件體積的增加。

              為了達到增強開關功率密度的技術要求,我們必須考慮供電裝置制造的方方面面,包括芯片和組件的設計與構造。當考慮高達500V的擊穿電壓應用時,以下三種潛在技術可供我們選擇:BJT、MOSFET或IGBT。

            IGBT

              與常規(guī)技術相反,IGBT將雙極性和MOSFET物理特性相結合,創(chuàng)造用于較大型組件的高效能高功率裝置。問題是,額外發(fā)射極結增加至導通電壓的正向電壓,即使是在DPAK這樣的組件中,導通電壓仍然可超出1.8V,并且可能達到2.8V。熱電阻值可降至低于1



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