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            臺積電12寸晶圓廠落腳南京 16納米鎖定高通/聯(lián)發(fā)科

            作者: 時間:2015-10-20 來源:經(jīng)濟(jì)日報 收藏
            編者按:臺積電登陸計劃確定落腳南京,直接切入最強(qiáng)悍且具競爭力的16納米制程,首座12寸廠并預(yù)定2018年正式啟用。

              到目前為止對大陸?yīng)氋Y設(shè)立12寸廠案,多以大陸生產(chǎn)成本仍高于臺灣,模糊登陸行動。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/281530.htm

              但半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示,多方評估后,確定落腳南京,已由南京市政府展開整地工程,預(yù)定最快年底或明年初進(jìn)行建廠作業(yè),2018年完工,并以目前承接蘋果高階處理器的16納米主力制程,直接在當(dāng)?shù)亟訂紊a(chǎn),為主力客戶高通、聯(lián)發(fā)科、海思、展訊等就近提供服務(wù)。

              據(jù)了解,臺積電一開始選定三處,包括英特爾大連廠、武漢及南京,進(jìn)行12寸廠設(shè)廠地點(diǎn),因大連英特爾舊廠是8寸廠,得打掉重建12寸,不符經(jīng)濟(jì)效益,臺積電放棄,最后在南京市政府提供優(yōu)惠的投資獎勵下,決定落腳南京。

              稍早南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)不小心在圍籬上寫上“臺積電建廠用地”,讓臺積電12寸廠投資案曝光,南京市政府雖立刻撤下標(biāo)示,但也配合臺積電的投資行動,展開整地工程。

              半導(dǎo)體設(shè)備廠表示,臺積電放棄的大連廠,將由英特爾直接重新規(guī)劃與展訊興建全新的12寸廠,并切入生產(chǎn)儲存型快閃記憶體(NAND Flash),可能是紫光集團(tuán)主導(dǎo)的首座12寸廠投資案,開啟進(jìn)軍記憶體的行動。

              至于臺積電落腳南京,則選定直接切入今年下半年量產(chǎn)的16納米FinFET+(鰭式場效電晶體強(qiáng)化版),這項制程也是目前臺積電為蘋果生產(chǎn)A9處理器完封三星14納米的利器,將成為大陸技術(shù)最先進(jìn)的邏輯芯片代工廠。

              半導(dǎo)體設(shè)備廠表示,臺積電設(shè)定時程是2017年底完成開始試產(chǎn),2018年正式接單量產(chǎn),以臺積電2018年在臺可能推進(jìn)到7納米量產(chǎn),臺積電直接切入16 納米在大陸接單量產(chǎn),仍符合投審會規(guī)范,不過臺積電這項制程布局,將大幅領(lǐng)先大陸設(shè)廠的中芯、聯(lián)芯等,預(yù)料將掀起極大的震撼。



              臺灣半導(dǎo)體業(yè)者在大陸12寸晶圓廠布局 圖/經(jīng)濟(jì)日報提供



            關(guān)鍵詞: 臺積電 晶圓

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