摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應(yīng)用。

　　近期，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在清華大學(xué)內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習(xí)會(huì)。此次交流學(xué)習(xí)會(huì)上，ROHM在對(duì)比各種功率器件的基礎(chǔ)上，對(duì)SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢(shì)做了分析，并對(duì)ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。

　　各種功率器件的比較

　　功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣轉(zhuǎn)換器(如圖1)。

　　功率器件中最主要的指標(biāo)之一是損耗，包括導(dǎo)通損耗(Econd)和開關(guān)損耗(Eon+Eoff)。理想地，人們希望損耗為零，但是不可能百分之百?zèng)]有。

　　硅(Si)產(chǎn)品歷經(jīng)三十年左右的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)技術(shù)瓶頸，就是高溫、高壓、高頻時(shí)損耗較大，需要尋找更好的器件來(lái)替代。2003年，美國(guó)Cree公司率先推出SiC產(chǎn)品，但當(dāng)時(shí)市場(chǎng)上并沒(méi)有很大的反響。2010年以后，業(yè)界開始對(duì)SiC產(chǎn)品真正關(guān)心，一些廠家推出了相關(guān)產(chǎn)品。

　　Si產(chǎn)品和SiC的區(qū)別如圖2所示?？梢姡诟哳l時(shí)，Si-MOSFET和SiC-MOSFET性能較好，主要源于MOSFET構(gòu)造上的優(yōu)勢(shì)。而IGBT中間的B代表Bipolar(雙極)，T是Transistor(三極管)，即雙極性三極管，可見IGBT是三極管結(jié)構(gòu)，因此Si-IGBT的高頻特性會(huì)差些。

　　從圖2還可看出，SiC可以做到更高壓。

　　總之，SiC產(chǎn)品可以做到更高頻和更高壓。

　　圖2中還有新材料——氮化鎵(GaN)。GaN最大優(yōu)勢(shì)是高頻特性，比Si、SiC更好;但是GaN同樣也有一個(gè)短板，就是做不了太高壓。

　　圖3所示為各種功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域。功率器件用得最多的地方是開關(guān)電源，開關(guān)電壓較高的是600V，1200V已經(jīng)是極限了。接下來(lái)的一個(gè)重要市場(chǎng)是車載，例如新能源汽車(EV/HEV)。此外，還有各種工業(yè)設(shè)備。