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            英特爾芯片開發(fā)受阻 10nm要等到2017

            作者: 時(shí)間:2015-01-20 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家 收藏

              半導(dǎo)體工藝進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后,各大巨頭都遭遇了嚴(yán)重的困難,尤其是Intel 14nm出現(xiàn)了前所未有的延遲,與計(jì)劃進(jìn)度嚴(yán)重脫節(jié),至今只有寥寥兩個(gè)產(chǎn)品線,今年下半年才會(huì)全面普及。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/268353.htm

              16nm原本寄予厚望,2015年初就要快速量產(chǎn),結(jié)果連續(xù)跳票,現(xiàn)在看最快也得年底了,甚至得2016年。

              三星14nm相對(duì)還好一些,起步雖晚但是進(jìn)步很快,據(jù)說(shuō)良品率提高很快,又拉上Global Foundries做同盟,已經(jīng)贏得了蘋果、高通的芳心。

              如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式,后續(xù)進(jìn)展順利的話,Intel應(yīng)該在2016年底推出工藝新品,據(jù)說(shuō)代號(hào)為“Cannonlake”,取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake,但情況極為不樂觀。

              Intel CEO柯再奇近日也公開談到了,但他沒有給出好消息,而是說(shuō)他們還在繼續(xù)研究,尚未確立時(shí)間表。這就意味著2016年底推進(jìn)到的可能性已經(jīng)基本為零了。

              而對(duì)于來(lái)說(shuō),日子也不好過(guò)。近來(lái)關(guān)于16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語(yǔ)很多,比如說(shuō)設(shè)備安裝推遲到下半年,大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了,迫使高通、蘋果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET。

              在近日的投資者大會(huì)上,臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀也承認(rèn),2015年的Fin FET技術(shù)市場(chǎng)上,臺(tái)積電將會(huì)輸給三星,但在2017-2018年,臺(tái)積電將會(huì)實(shí)現(xiàn)反超。

              他同時(shí)披露說(shuō),已經(jīng)有50多名客戶利用臺(tái)積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作,大多數(shù)會(huì)在2015年第三季度投入量產(chǎn),新工藝也將在第四季度貢獻(xiàn)5-10%的收入。

              這就等于承認(rèn),此前說(shuō)的2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能,而從收入比例上看,所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推測(cè)基本相符。

              臺(tái)積電甚至說(shuō)已經(jīng)有一位客戶開始使用其16nmFinFET工藝生產(chǎn)芯片了,但具體是誰(shuí)不肯說(shuō),而大多數(shù)客戶都選擇等待更好的16nmFinFET+。

              

            英特爾芯片開發(fā)受阻 10nm要等到2017


            關(guān)鍵詞: 英特爾 10nm 臺(tái)積電

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