臺(tái)積電三星 明年強(qiáng)攻3D IC封裝
作者：
時(shí)間：2015-01-03
來(lái)源：經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對(duì)面交流
海量資料庫(kù)查詢
資策會(huì)MIC表示，明年包括美光、三星、海力士及臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠，持續(xù)精進(jìn)推出3D IC封裝技術(shù)。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/267606.htm資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所(MIC)指出，全球首顆3D IC異質(zhì)整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube)，將在明年正式量產(chǎn)，由記憶體大廠美光(Micron)和三星(Samsung)為首的混合記憶體立方聯(lián)盟(HMCC)推出。
資策會(huì)MIC表示，混合記憶體立方HMC，以3D IC技術(shù)堆疊多層動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和一層邏輯晶片，屬于異質(zhì)整合晶片。
另一方面，資策會(huì)MIC指出，記憶體大廠海力士(Hynix)明年也將推出高頻寬記憶體HBM(HighBandwidth Memory)，以3D IC技術(shù)堆疊四層DRAM，屬于同質(zhì)整合晶片。
臺(tái)積電明年在3D IC領(lǐng)域，也可望明顯進(jìn)展。資策會(huì)MIC表示，臺(tái)積電明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封裝技術(shù)，成本將低于目前2.5D IC層級(jí)的CoWoS技術(shù)。
MIC指出，臺(tái)積電InFO封裝技術(shù)，可因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式裝置所需晶片輕薄短小趨勢(shì)。
評(píng)論